IRF710PBF
Код товару: 22637
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF710PBF за ціною від 10.80 грн до 165.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF710PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF710PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF710PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF710PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF710PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 36W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF710PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 400V 2A N-CH MOSFET |
на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF710PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
на замовлення 4306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF710PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.5 A, 3.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 20W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF710PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF710PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |