Інші пропозиції IRF7380TRPBF за ціною від 29.26 грн до 99.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7380TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7380TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7380TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7380TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7380TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7380TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT DUAL NCh 80V 3.6A |
на замовлення 17912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7380TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF7380TRPBF |
IRF7380TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 100 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| IRF7380TRPBF |
IRF7380TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 1026 шт: термін постачання 4 дні (днів) |