IRF7811AVTR
Код товару: 25341
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 28 V
Idd,A: 11,4 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/23
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF7811AVTR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7811AVTR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SOInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1801 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V |
товару немає в наявності |
