Інші пропозиції IRF840ASPBF (транзистор біполярный NPN) за ціною від 65.43 грн до 292.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF840ASPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840ASPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840ASPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840ASPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET |
на замовлення 12669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840ASPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840ASPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|




