Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB20N50KPBF Vishay
IRFB20N50KPBF

IRFB20N50KPBF Vishay

irfb20n50k.pdf
Код товару: 35981
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Vishay
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,21 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2870/110
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB20N50KPBF Vishay

  • MOSFET, N, 500V, 20A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:500V
  • Cont Current Id:20A
  • On State Resistance:0.25ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
  • Max Voltage Vds:500V
  • Power Dissipation:280W
  • Power Dissipation Pd:280W
  • Pulse Current Idm:80A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRFB20N50KPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB20N50KPBF Vishay/IR IRFB20N50K_Vishay.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 20 А, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2870 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 12 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 4
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KPBF IRFB20N50KPBF Vishay Siliconix irfb20n50k.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KPBF IRFB20N50KPBF Vishay Semiconductors irfb20n50k.pdf description MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KPBF description IRFB20N50K_Vishay.pdf
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 20 А, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2870 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 12 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 4
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KPBF description irfb20n50k.pdf
IRFB20N50KPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KPBF description irfb20n50k.pdf
IRFB20N50KPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.