IRFBE30
Код товару: 23059
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBE30 IR
- MOSFET, N TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:4.1A
- On State Resistance:3ohm
- Case Style:TO-220AB
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:800V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:125W
- Power Dissipation Pd:125W
- Pulse Current Idm:16A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRFBE30 за ціною від 67.99 грн до 67.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFBE30 | Виробник : Siliconix |
N-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|