IRFL9014TRPBF
Код товару: 31799
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SOT-223
Uds,V: 60 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 0,5 Ohm
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFL9014TRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Polarity:P Channel
- D
Можливі заміни IRFL9014TRPBF IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFL9014 Код товару: 123235
Додати до обраних
Обраний товар
|
SILI |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: SOT-223 Uds,V: 60 V Id,A: 1,8 A Rds(on),Om: 0,05 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 270/12 Монтаж: SMD |
у наявності: 67 шт
40 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
| IRFL9014 Код товару: 123235
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SILI
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-223
Uds,V: 60 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/12
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-223
Uds,V: 60 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/12
Монтаж: SMD
у наявності: 67 шт
40 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 43.00 грн |
| 10+ | 38.60 грн |
Інші пропозиції IRFL9014TRPBF за ціною від 23.14 грн до 210.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFL9014TRPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
на замовлення 47500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFL9014TRPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFL9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 3.1W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm |
на замовлення 6762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFL9014TRPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-Chan 60V 1.1 Amp |
на замовлення 2344 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFL9014TRPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
на замовлення 48522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFL9014TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 63.80 грн |
| 5000+ | 57.70 грн |
| 7500+ | 57.11 грн |
| IRFL9014TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
Description: VISHAY - IRFL9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 6762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 101.74 грн |
| 12+ | 73.84 грн |
| 100+ | 52.35 грн |
| 500+ | 39.08 грн |
| 1000+ | 34.95 грн |
| 5000+ | 23.14 грн |
| IRFL9014TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 60V 1.1 Amp
MOSFETs P-Chan 60V 1.1 Amp
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 111.58 грн |
| 10+ | 66.80 грн |
| 100+ | 45.57 грн |
| 500+ | 35.80 грн |
| 1000+ | 32.91 грн |
| 2500+ | 29.19 грн |
| 5000+ | 24.47 грн |
| IRFL9014TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 48522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 210.45 грн |
| 10+ | 131.19 грн |
| 100+ | 90.49 грн |
| 500+ | 68.59 грн |
| 1000+ | 65.60 грн |
З цим товаром купують
| 0 Ohm 5% 0805 (0805S8J0000T50-UNI-ОНМ) (резистор SMD) Код товару: 149420
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Uni-Ohm
SMD резистори > 0805
Номінал: 0 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 0 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 26460 шт
20700 шт - склад
4960 шт - РАДІОМАГ-Київ
800 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4960 шт - РАДІОМАГ-Київ
800 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.20 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.06 грн |
| NX2500-04SMS A2501WV-4P Код товару: 122522
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: JOINT TECH
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Гніздо пряме; провід-плата; "тато"; 2,5мм; PIN: 4; THT; 250В; 3А
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 4
Крок контактів: 2,5 mm
Серія роз’єма: NX2500
Монтаж: на плату
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Гніздо пряме; провід-плата; "тато"; 2,5мм; PIN: 4; THT; 250В; 3А
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 4
Крок контактів: 2,5 mm
Серія роз’єма: NX2500
Монтаж: на плату
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo) Код товару: 60735
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 123981 шт
114132 шт - склад
3384 шт - РАДІОМАГ-Київ
1440 шт - РАДІОМАГ-Львів
3960 шт - РАДІОМАГ-Харків
1065 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3384 шт - РАДІОМАГ-Київ
1440 шт - РАДІОМАГ-Львів
3960 шт - РАДІОМАГ-Харків
1065 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| 10000+ | 0.45 грн |
| 10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung) Код товару: 52241
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 966 шт
786 шт - РАДІОМАГ-Київ
180 шт - РАДІОМАГ-Львів
180 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 5.60 грн |
| 100+ | 5.00 грн |
| 1000+ | 4.20 грн |
| IRLML9301TRPBF Код товару: 34218
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3,6 A
Rds(on),Om: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3,6 A
Rds(on),Om: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 874 шт
728 шт - склад
96 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
96 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.10 грн |
| 100+ | 4.50 грн |
| 1000+ | 4.20 грн |










