Технічний опис IRFPS38N60L IR
Description: MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7990 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 540W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 23A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-274AA, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IRFPS38N60L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFPS38N60L Код товару: 31847
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
 Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-247 Uds,V: 600 V Idd,A: 38 A Rds(on), Ohm: 0,12 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 7990/320 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
 |
IRFPS38N60L | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7990 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 540W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 23A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-274AA Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFPS38N60L | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFPS38N60LPBF |
товару немає в наявності |