Інші пропозиції IRLD110PBF за ціною від 51.67 грн до 184.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLD110PBF | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs HVMDIP 100V 1A N-CH MOSFET |
на замовлення 2702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLD110PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIPInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Supplier Device Package: 4-HVMDIP Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Packaging: Tube |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRLD110PBF |
на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |


