IRLML0060TRPBF
Код товару: 38412
2
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,092 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/2,5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 1562 шт:
370 шт - склад
371 шт - РАДІОМАГ-Київ
295 шт - РАДІОМАГ-Львів
185 шт - РАДІОМАГ-Харків
341 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 4.00 грн |
| 100+ | 3.60 грн |
| 1000+ | 3.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLML0060TRPBF за ціною від 2.79 грн до 75.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML0060TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 198868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 55499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.7A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 2071 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V |
на замовлення 70073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 198868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg |
на замовлення 47854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | UMW |
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 Транзистори |
на замовлення 4385 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 25 4,5 В, Rds = 92 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1907 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 8.37 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.36 грн |
| 6000+ | 8.21 грн |
| 9000+ | 7.81 грн |
| 15000+ | 6.90 грн |
| 21000+ | 6.64 грн |
| 30000+ | 6.40 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.91 грн |
| 6000+ | 8.75 грн |
| 9000+ | 8.66 грн |
| 15000+ | 8.27 грн |
| 21000+ | 7.58 грн |
| 30000+ | 7.20 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.08 грн |
| 6000+ | 9.27 грн |
| 9000+ | 9.17 грн |
| 15000+ | 8.76 грн |
| 21000+ | 7.71 грн |
| 24000+ | 7.33 грн |
| 30000+ | 7.26 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.08 грн |
| 6000+ | 9.27 грн |
| 9000+ | 9.17 грн |
| 15000+ | 8.76 грн |
| 21000+ | 7.71 грн |
| 24000+ | 7.33 грн |
| 30000+ | 7.26 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 584+ | 24.19 грн |
| 606+ | 23.31 грн |
| 1000+ | 22.55 грн |
| 2500+ | 21.10 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 198868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 28.72 грн |
| 250+ | 18.46 грн |
| 1000+ | 11.50 грн |
| 3000+ | 8.16 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 410+ | 34.49 грн |
| 414+ | 34.14 грн |
| 425+ | 33.22 грн |
| 708+ | 19.22 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 37.38 грн |
| 17+ | 25.14 грн |
| 50+ | 17.10 грн |
| 100+ | 14.56 грн |
| 500+ | 10.24 грн |
| 1000+ | 8.97 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
на замовлення 70073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.93 грн |
| 13+ | 24.61 грн |
| 100+ | 15.71 грн |
| 500+ | 11.12 грн |
| 1000+ | 9.95 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 198868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 47.01 грн |
| 50+ | 28.72 грн |
| 250+ | 18.46 грн |
| 1000+ | 11.50 грн |
| 3000+ | 8.16 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 56.80 грн |
| 22+ | 35.75 грн |
| 25+ | 33.40 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg
MOSFETs MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg
на замовлення 47854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.48 грн |
| 10+ | 51.60 грн |
| 100+ | 28.41 грн |
| 500+ | 17.51 грн |
| 1000+ | 12.94 грн |
| 3000+ | 11.46 грн |
| 6000+ | 9.92 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: UMW
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 Транзистори
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 4385 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 112+ | 2.79 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 25 4,5 В, Rds = 92 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 25 4,5 В, Rds = 92 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.85 грн |
З цим товаром купують
| IRLML0030TRPBF Код товару: 37076
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 3339 шт
1459 шт - склад
936 шт - РАДІОМАГ-Київ
484 шт - РАДІОМАГ-Львів
460 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
936 шт - РАДІОМАГ-Київ
484 шт - РАДІОМАГ-Львів
460 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 3.50 грн |
| 10+ | 3.00 грн |
| 100+ | 2.90 грн |
| 4,7uF 50V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B475KBHNNNE – Samsung) Код товару: 67047
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 4761 шт
4679 шт - склад
82 шт - РАДІОМАГ-Львів
82 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.10 грн |
| 100+ | 2.70 грн |
| 1000+ | 2.40 грн |
| IRLML5203TRPBF Код товару: 25596
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3 А
Rds(on),Om: 0,098 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3 А
Rds(on),Om: 0,098 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 1601 шт
1366 шт - склад
97 шт - РАДІОМАГ-Київ
66 шт - РАДІОМАГ-Львів
43 шт - РАДІОМАГ-Харків
29 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
97 шт - РАДІОМАГ-Київ
66 шт - РАДІОМАГ-Львів
43 шт - РАДІОМАГ-Харків
29 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 3.80 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.90 грн |
| IRLML9301TRPBF Код товару: 34218
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3,6 A
Rds(on),Om: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3,6 A
Rds(on),Om: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 874 шт
728 шт - склад
96 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
96 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.10 грн |
| 100+ | 4.50 грн |
| 1000+ | 4.20 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 42147
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
у наявності: 67479 шт
64697 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
2567 шт - РАДІОМАГ-Львів
165 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
2567 шт - РАДІОМАГ-Львів
165 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 0.90 грн |
| 100+ | 0.70 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| 10000+ | 0.40 грн |







