IRLML6401 MULTICOMP PRO
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.65 грн |
| 105+ | 7.80 грн |
| 500+ | 5.42 грн |
| 1000+ | 4.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLML6401 MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: NO, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, Verlustleistung: 1.3W, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm.
Інші пропозиції IRLML6401 за ціною від 3.06 грн до 18.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLML6401 | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
на замовлення 4880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRLML6401 | Виробник : MLCCBASE |
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 110mOhm; 3,5A; 0,35W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 MLCCBASE TIRLML6401 MLC кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRLML6401 | Виробник : HUASHUO |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1805 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRLML6401 | Виробник : HUASHUO |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRLML6401 | Виробник : HXY MOSFET |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 HXY MOSFET TIRLML6401 HXY кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 990 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRLML6401 | Виробник : TECH PUBLIC |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 TEC кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2201 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|