Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR120NTRPBF
IRLR120NTRPBF

IRLR120NTRPBF

irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665
Код товару: 22353
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+14.50 грн
100+12.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR120NTRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:11A
  • Package/Case:D-PAK
  • Power Dissipation, Pd:39W
  • Continuous Drain Current - 100 Deg C:6.9A
  • Drain Source On Resistance @ 10V:185mohm

Можливі заміни IRLR120NTRPBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR120NPBF IRLR120NPBF
Код товару: 32182
Додати до обраних Обраний товар
irlr120npbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 27 шт
19 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 300 шт
300 шт - очікується 05.07.2026
2+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NPBF
Код товару: 32182
Додати до обраних Обраний товар
description irlr120npbf-datasheet.pdf
IRLR120NPBF
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 27 шт
19 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 300 шт
300 шт - очікується 05.07.2026
Кількість Ціна
2+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRLR120NTRPBF за ціною від 16.55 грн до 127.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 description Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.68 грн
4000+22.82 грн
6000+21.85 грн
10000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+31.61 грн
4000+29.22 грн
6000+28.48 грн
10000+27.18 грн
14000+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+31.79 грн
4000+29.40 грн
6000+28.66 грн
10000+27.35 грн
14000+25.07 грн
20000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+32.02 грн
4000+29.60 грн
6000+28.85 грн
10000+27.54 грн
14000+25.24 грн
20000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF INFINEON irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 description Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.30 грн
500+28.65 грн
1000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.08 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr120npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 11414 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.02 грн
10+43.34 грн
100+32.59 грн
250+29.12 грн
500+26.58 грн
1000+24.04 грн
2000+21.67 грн
4000+19.55 грн
6000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF INFINEON irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 description Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.05 грн
16+51.28 грн
100+39.30 грн
500+28.65 грн
1000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.25 грн
213+66.42 грн
299+47.29 грн
500+36.96 грн
1000+31.38 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 description Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 14839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.94 грн
10+57.60 грн
100+38.09 грн
500+27.87 грн
1000+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR120N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
на замовлення 11912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.99 грн
10+77.24 грн
100+44.45 грн
500+34.95 грн
1000+29.89 грн
2000+27.01 грн
4000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF International Rectifier/Infineon irlr120npbf.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 11, Ptot, Вт = 39, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25, Rds = 185 @ 10 В, 6 А мОм, Tексп, °C = -55...+175,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 473 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+19.31 грн
150+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665
IRLR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+25.68 грн
4000+22.82 грн
6000+21.85 грн
10000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf
IRLR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf
IRLR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+31.61 грн
4000+29.22 грн
6000+28.48 грн
10000+27.18 грн
14000+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf
IRLR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+31.79 грн
4000+29.40 грн
6000+28.66 грн
10000+27.35 грн
14000+25.07 грн
20000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf
IRLR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+32.02 грн
4000+29.60 грн
6000+28.85 грн
10000+27.54 грн
14000+25.24 грн
20000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665
IRLR120NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.30 грн
500+28.65 грн
1000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf
IRLR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+51.08 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description irlr120npbf.pdf
IRLR120NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 11414 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+72.02 грн
10+43.34 грн
100+32.59 грн
250+29.12 грн
500+26.58 грн
1000+24.04 грн
2000+21.67 грн
4000+19.55 грн
6000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665
IRLR120NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+82.05 грн
16+51.28 грн
100+39.30 грн
500+28.65 грн
1000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf
IRLR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+94.25 грн
213+66.42 грн
299+47.29 грн
500+36.96 грн
1000+31.38 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665
IRLR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 14839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.94 грн
10+57.60 грн
100+38.09 грн
500+27.87 грн
1000+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description Infineon_IRLR120N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
на замовлення 11912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.99 грн
10+77.24 грн
100+44.45 грн
500+34.95 грн
1000+29.89 грн
2000+27.01 грн
4000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description irlr120npbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 11, Ptot, Вт = 39, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25, Rds = 185 @ 10 В, 6 А мОм, Tексп, °C = -55...+175,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 473 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
75+19.31 грн
150+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.