IRLU3110ZPBF
Код товару: 32113
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 63 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3980/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLU3110ZPBF IR
- MOSFET, N, 100V, I-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:100V
- Cont Current Id:63A
- On State Resistance:14ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:2.5V
- Case Style:I-PAK
- Termination Type:Through Hole
- Cont Current Id @ 100`C:45A
- Cont Current Id @ 25`C:63A
- Max Voltage Vds:100V
- Max Voltage Vgs th:2.5V
- Min Voltage Vgs th:1V
- Power Dissipation Pd:140W
- Pulse Current Idm:250A
- Rds Measurement Voltage:10V
- Voltage Vds:100V
- Rth:1.05
- Transistor Case Style:I-PAK
Інші пропозиції IRLU3110ZPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLU3110ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRLU3110ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl |
товару немає в наявності |