Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IXFN50N80Q2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFN50N80Q2 |
 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
|||
 |
IXFN50N80Q2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: SOT-227B Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Power Dissipation (Max): 1135W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFN50N80Q2 | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules 50 Amps 800V |
товару немає в наявності |