Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN80N50P IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 66A SOT227B, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: SOT-227B, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V.
Інші пропозиції IXFN80N50P за ціною від 1666.39 грн до 2708.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN80N50P | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 500V 66A SOT227BDrain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: SOT-227B Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Power Dissipation (Max): 700W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|