Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJ11015G
- DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3
- Transistor Polarity:PNP
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:120V
- No. of Pins:2
- Av Current Ic:30A
- Case Style:TO-3
- Current Ic hFE:20A
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Current Ic:30A
- Max Current Ic Continuous a:30A
- Max Power Dissipation Ptot:200W
- Max Voltage Vce Sat:-3V
- Min Gain Bandwidth ft:4MHz
- Min Hfe:1000
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:200W
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:Bipolar Darlington
- Voltage Vcbo:120V
Інші пропозиції MJ11015G за ціною від 263.05 грн до 642.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJ11015G | ONSEMI |
Category: PNP THT Darlington transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJ11015G | ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJ11015G | ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJ11015G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ11015G - Darlington-Transistor, PNP, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 30A Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MJ11015G | onsemi |
Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power PNP |
на замовлення 427 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJ11015G | onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 120V 30A TO204Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 W |
на замовлення 1408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MJ11015G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 471.31 грн |
| 2+ | 420.72 грн |
| 5+ | 407.17 грн |
| MJ11015G | ![]() |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 66+ | 535.08 грн |
| MJ11015G | ![]() |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 572.23 грн |
| 27+ | 540.13 грн |
| 100+ | 504.71 грн |
| MJ11015G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ11015G - Darlington-Transistor, PNP, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MJ11015G - Darlington-Transistor, PNP, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 588.27 грн |
| 5+ | 546.43 грн |
| 10+ | 452.90 грн |
| 50+ | 381.69 грн |
| 100+ | 322.79 грн |
| 250+ | 300.29 грн |
| MJ11015G | ![]() |
![]() |
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power PNP
Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power PNP
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 602.22 грн |
| 10+ | 424.59 грн |
| MJ11015G | ![]() |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 120V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 W
Description: TRANS PNP DARL 120V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 642.42 грн |
| 10+ | 424.28 грн |
| 100+ | 314.79 грн |
| 500+ | 263.05 грн |







