RFD14N05LSM
Код товару: 119555
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції RFD14N05LSM за ціною від 18.28 грн до 116.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RFD14N05LSM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 14A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 40nC |
на замовлення 74 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
RFD14N05LSM | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 50V 14A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
RFD14N05LSM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
на замовлення 15929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
RFD14N05LSM | Виробник : onsemi |
MOSFETs TO-252AA N-Ch Power |
на замовлення 1375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
RFD14N05LSM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFD14N05LSM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| RFD14N05LSM | Виробник : ON-Semiconductor |
N-MOSFET 14A 50V 48W 0.1Ω RFD14N05LSM smd TRFD14N05lsm кількість в упаковці: 75 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|