Продукція > Транзистори > IGBT > SKM75GB123D

SKM75GB123D

Код товару: 36926
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SKM75GB123D

  • IGBT MODULE, DUAL
  • Transistor Type:IGBT Module
  • Max Voltage Vce Sat:3.2V
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
  • SVHC:No SVHC
  • Av Current Ic:78A
  • Case Style:SEMITRANS 2
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:34mm
  • External Length / Height:29.5mm
  • External Width:94mm
  • Fixing Centres:80mm
  • Fixing Hole Diameter:6.4mm
  • Max Current Ic Continuous a:75A
  • Max Current Ic Continuous b:50A
  • Max Power Dissipation Ptot:400W
  • No. of Transistors:2
  • Power Dissipation Pd:400W
  • Pulsed Current Icm:150A
  • Rise Time:56ns
  • Termination Type:Screw
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:1200V

Інші пропозиції SKM75GB123D

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SKM75GB123D SEMIKRON description
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SKM75GB123-D SEMIKRON MODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SKM75GB123D description
Виробник: SEMIKRON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SKM75GB123-D
Виробник: SEMIKRON
MODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.