STB55NF06LT4
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 18mOhm; 55A; 95W; -55°C~175°C; Substitute: STB55NF06LT4; STB55NF06L-VB; STB55NF06L TSTB55NF06L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 78.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB55NF06LT4 ST
Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 95W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 16V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STB55NF06LT4 за ціною від 37.36 грн до 166.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB55NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB55NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STB55NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB55NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 39A Power dissipation: 95W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 467 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STB55NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 1443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB55NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 55 Amp |
на замовлення 2956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB55NF06LT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 16V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STB55NF06LT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 16V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |