Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STD2NK90ZT4
STD2NK90ZT4

STD2NK90ZT4

en.CD00043981.pdf
Код товару: 41387
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ST
Корпус: TO-252/D-Pak
Uds,V: 900 V
Idd,A: 2,1 A
Ciss, pF/Qg, nC: 485/19.5
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+30.50 грн
10+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STD2NK90ZT4 за ціною від 43.60 грн до 187.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD2NK90ZT4 STD2NK90ZT4 STMicroelectronics STD2NK90Z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+151.33 грн
10+100.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90ZT4 STD2NK90ZT4 STMICROELECTRONICS en.CD00043981.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD2NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.1 A, 5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.91 грн
10+116.51 грн
100+81.14 грн
500+55.84 грн
1000+48.88 грн
5000+43.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90ZT4 STD2NK90ZT4 STMicroelectronics en.CD00043981.pdf MOSFETs N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH
на замовлення 5393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.94 грн
10+121.31 грн
100+71.73 грн
500+59.85 грн
1000+53.80 грн
2500+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90ZT4 STD2NK90ZT4 STMicroelectronics en.CD00043981.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.51 грн
10+116.34 грн
100+79.78 грн
500+60.17 грн
1000+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90ZT4 STD2NK90Z.pdf
STD2NK90ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+151.33 грн
10+100.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90ZT4 en.CD00043981.pdf
STD2NK90ZT4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD2NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.1 A, 5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+164.91 грн
10+116.51 грн
100+81.14 грн
500+55.84 грн
1000+48.88 грн
5000+43.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90ZT4 en.CD00043981.pdf
STD2NK90ZT4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH
на замовлення 5393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.94 грн
10+121.31 грн
100+71.73 грн
500+59.85 грн
1000+53.80 грн
2500+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90ZT4 en.CD00043981.pdf
STD2NK90ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.51 грн
10+116.34 грн
100+79.78 грн
500+60.17 грн
1000+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.