Продукція > ST > STN1NK60Z

STN1NK60Z

en.CD00003347.pdf
Виробник: ST
600V 13Ohm, 0.8A Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 STN1NK60Z TSTN1nk60z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STN1NK60Z ST

Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STN1NK60Z за ціною від 18.31 грн до 105.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STN1NK60Z STN1NK60Z STMicroelectronics en.CD00003347.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.50 грн
8000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60Z STN1NK60Z STM en.CD00003347.pdf MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 Транзистори
на замовлення 2243 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
13+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60Z STN1NK60Z STMicroelectronics STN1NK60Z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 189mA
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 3946 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.85 грн
14+30.64 грн
16+27.60 грн
50+23.28 грн
100+22.43 грн
250+21.50 грн
500+20.82 грн
1000+19.72 грн
2000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60Z STN1NK60Z STMICROELECTRONICS en.CD00003347.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.24 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60Z STN1NK60Z STMicroelectronics en.CD00003347.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 10136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.86 грн
10+50.74 грн
100+33.37 грн
500+24.29 грн
1000+22.03 грн
2000+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60Z STN1NK60Z STMicroelectronics en.CD00003347.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH
на замовлення 8806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.02 грн
10+64.30 грн
100+36.85 грн
500+28.90 грн
1000+24.75 грн
2000+22.36 грн
4000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60Z STN1NK60Z STMICROELECTRONICS en.CD00003347.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60Z en.CD00003347.pdf
STN1NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+20.50 грн
8000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60Z en.CD00003347.pdf
STN1NK60Z
Виробник: STM
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 Транзистори
на замовлення 2243 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60Z STN1NK60Z.pdf
STN1NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 189mA
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 3946 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+42.85 грн
14+30.64 грн
16+27.60 грн
50+23.28 грн
100+22.43 грн
250+21.50 грн
500+20.82 грн
1000+19.72 грн
2000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60Z en.CD00003347.pdf
STN1NK60Z
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+59.24 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60Z en.CD00003347.pdf
STN1NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 10136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.86 грн
10+50.74 грн
100+33.37 грн
500+24.29 грн
1000+22.03 грн
2000+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60Z en.CD00003347.pdf
STN1NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH
на замовлення 8806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.02 грн
10+64.30 грн
100+36.85 грн
500+28.90 грн
1000+24.75 грн
2000+22.36 грн
4000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60Z en.CD00003347.pdf
STN1NK60Z
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.