у наявності 194 шт:
109 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
13 шт - РАДІОМАГ-Одеса
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 18 грн |
10+ | 16 грн |
100+ | 14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP4NK60Z ST
- MOSFET, N, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:600V
- Cont Current Id:4A
- On State Resistance:2ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:3.75V
- Case Style:TO-220
- Termination Type:Through Hole
- Alternate Case Style:SOT-78B
- Max Voltage Vds:600V
- No. of Pins:3
- On State resistance @ Vgs = 10V:2ohm
- Power Dissipation Pd:70mW
- Pulse Current Idm:16A
- Rds Measurement Voltage:10V
- Voltage Vds:600V
- Transistor Case Style:TO-220
Інші пропозиції STP4NK60Z за ціною від 21.62 грн до 129.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STP4NK60Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4NK60Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4NK60Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
на замовлення 878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4NK60Z | Виробник : STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 1866 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4NK60Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP4NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4NK60Z | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 70W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60Z TSTP4NK60Z кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 175 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4NK60Z |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
STP4NK60Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STP4NK60Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STP4NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STP4NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |
З цим товаром купують
PC817A Код товару: 18418 |
Виробник: Sharp
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
у наявності: 2382 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4.5 грн |
10+ | 4.1 грн |
100+ | 3.7 грн |
1000+ | 3.3 грн |
TL3845P Код товару: 22072 |
Виробник: TI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: IC CUR-MODE PWM CONTROLLER
Напруга вхідна, V: 0...30 V
Iвых., A: 200 mA
Fosc, kHz: 500 kHz
Темп.діапазон: 0...+70°C
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: IC CUR-MODE PWM CONTROLLER
Напруга вхідна, V: 0...30 V
Iвых., A: 200 mA
Fosc, kHz: 500 kHz
Темп.діапазон: 0...+70°C
у наявності: 54 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 22 грн |
10+ | 19.8 грн |
2SK3562 Код товару: 30574 |
Виробник: Toshiba
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6 А
Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1050/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6 А
Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1050/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 131 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 30 грн |
10+ | 27 грн |
Перехідник SO8 / MSOP8-DIP8 двосторонній Код товару: 88555 |
Макетні плати > Макетні плати під пайку
Опис: Перехідник SO8 / MSOP8-DIP8 двосторонній
Тип: Перехідники
Вид: двостороння
Опис: Перехідник SO8 / MSOP8-DIP8 двосторонній
Тип: Перехідники
Вид: двостороння
у наявності: 1958 шт
очікується:
126 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5 грн |
10+ | 4.1 грн |
100+ | 3.24 грн |
1000+ | 2.92 грн |
1N4937 Код товару: 177777 |
Виробник: PANJIT/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-41
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 150 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-41
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 150 ns
у наявності: 901 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.3 грн |
100+ | 0.9 грн |