STW10NK80Z
Код товару: 2065
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ST
Корпус: TO-247
Uds,V: 800 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW10NK80Z ST
- MOSFET, N, TO-247
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:800V
- Cont Current Id:9A
- On State Resistance:0.9ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:3.75V
- Case Style:TO-247
- Termination Type:Through Hole
- Alternate Case Style:SOT-249
- Max Voltage Vds:800V
- No. of Pins:3
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.9ohm
- Power Dissipation Pd:160W
- Pulse Current Idm:36A
- Rds Measurement Voltage:10V
- Transistor Case Style:TO-247
Інші пропозиції STW10NK80Z за ціною від 105.66 грн до 465.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STW10NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 6225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STW10NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 6222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STW10NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STW10NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STW10NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 160W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 137 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STW10NK80Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V |
на замовлення 534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STW10NK80Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STW10NK80Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.9 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STW10NK80Z | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW10NK80Z TSTW10NK80Zкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STW10NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 153.79 грн |
| 10+ | 129.57 грн |
| 120+ | 128.28 грн |
| 510+ | 122.46 грн |
| 1020+ | 111.16 грн |
| 2520+ | 105.66 грн |
| STW10NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 92+ | 155.03 грн |
| 109+ | 130.62 грн |
| 120+ | 129.32 грн |
| 510+ | 123.45 грн |
| 1020+ | 112.06 грн |
| 2520+ | 106.50 грн |
| STW10NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 600+ | 216.96 грн |
| STW10NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 600+ | 216.96 грн |
| STW10NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 391.96 грн |
| 10+ | 245.19 грн |
| 30+ | 198.53 грн |
| 60+ | 178.16 грн |
| 120+ | 162.89 грн |
| STW10NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 406.77 грн |
| 30+ | 222.04 грн |
| 120+ | 184.69 грн |
| 510+ | 147.64 грн |
| STW10NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 421.84 грн |
| 10+ | 221.28 грн |
| 100+ | 160.70 грн |
| STW10NK80Z |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STW10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 465.42 грн |
| 10+ | 263.96 грн |
| 100+ | 207.22 грн |
| 500+ | 188.60 грн |
| STW10NK80Z |
![]() |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW10NK80Z TSTW10NK80Z
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW10NK80Z TSTW10NK80Z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 136.34 грн |








