Продукція > STMICROELECTRONICS > STW26NM60N
STW26NM60N

STW26NM60N STMicroelectronics

457761520311195dm0009.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+332.18 грн
10+241.31 грн
100+219.73 грн
600+209.77 грн
3000+192.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW26NM60N STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.135 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm.

Інші пропозиції STW26NM60N за ціною від 142.53 грн до 568.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW26NM60N STW26NM60N STMicroelectronics 457761520311195dm0009.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+333.57 грн
59+242.32 грн
100+220.66 грн
600+210.66 грн
3000+193.09 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N STW26NM60N STMicroelectronics STW26NM60N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+489.54 грн
10+271.73 грн
30+237.87 грн
60+218.40 грн
90+208.24 грн
120+200.62 грн
150+194.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N STW26NM60N STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807681-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.135 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
на замовлення 5958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+534.94 грн
10+341.31 грн
100+287.16 грн
500+245.32 грн
1000+222.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N STW26NM60N STMicroelectronics STW26NM60N.pdf MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh II Power
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+565.30 грн
10+336.44 грн
100+246.14 грн
1200+228.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N STW26NM60N STMicroelectronics STW26NM60N.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+568.85 грн
30+317.09 грн
120+266.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N ST STW26NM60N.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 165mOhm; 20A; 140W; -55°C ~ 150°C; STW26NM60N TSTW26NM60N
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+142.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N 457761520311195dm0009.pdf
STW26NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+333.57 грн
59+242.32 грн
100+220.66 грн
600+210.66 грн
3000+193.09 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N STW26NM60N-DTE.pdf
STW26NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+489.54 грн
10+271.73 грн
30+237.87 грн
60+218.40 грн
90+208.24 грн
120+200.62 грн
150+194.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N SGST-S-A0002807681-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STW26NM60N
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.135 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
на замовлення 5958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+534.94 грн
10+341.31 грн
100+287.16 грн
500+245.32 грн
1000+222.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N STW26NM60N.pdf
STW26NM60N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh II Power
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+565.30 грн
10+336.44 грн
100+246.14 грн
1200+228.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N STW26NM60N.pdf
STW26NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+568.85 грн
30+317.09 грн
120+266.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N STW26NM60N.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 165mOhm; 20A; 140W; -55°C ~ 150°C; STW26NM60N TSTW26NM60N
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+142.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.