A3G26H502W17SR3 NXP Semiconductors


A3G26H502W17S-1950238.pdf Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 80 W Avg., 48 V
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A3G26H502W17SR3 NXP Semiconductors

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 80 W Avg., 48 V.