BAS 116 E6433 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 25.39 грн |
| 18+ | 17.5 грн |
| 100+ | 7.48 грн |
| 1000+ | 4.34 грн |
| 2500+ | 3.81 грн |
| 10000+ | 2.87 грн |
| 20000+ | 2.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS 116 E6433 Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V.
Інші пропозиції BAS 116 E6433
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BAS116 E6433 | Виробник : Infineon | SOT23 |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
BAS116E6433 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V |
товар відсутній |