BF1005E6327 Infineon
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ RF (up to 1 GHz) N-MOSFET SOT143 Udss=8V; Id=0,025A; Pdmax=0,2W; двухзатворный, Gp=19 dB
Транз. Пол. ММ RF (up to 1 GHz) N-MOSFET SOT143 Udss=8V; Id=0,025A; Pdmax=0,2W; двухзатворный, Gp=19 dB
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 13.48 грн |
| 23+ | 11.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BF1005E6327 Infineon
Транз. Пол. ММ RF (up to 1 GHz) N-MOSFET SOT143 Udss=8V; Id=0,025A; Pdmax=0,2W; двухзатворный, Gp=19 dB.
Інші пропозиції BF1005E6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BF 1005 E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
 RF MOSFET Transistors Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
товар відсутній |