BSO330N02K G

BSO330N02K G Infineon Technologies


BSO330N02K%20G%20Rev1.02_-86572.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 20V 5.4A DSO-8 OptiMOS 2
на замовлення 2319 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSO330N02K G Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 20µA, Supplier Device Package: PG-DSO-8, Part Status: Active.

Інші пропозиції BSO330N02K G за ціною від 17.86 грн до 17.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSO330N02KG Виробник : Infineon Technologies INFNS27921-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1422+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 1422