Продукція > SAMSUNGEM > CIGT201608EH1R0MNE
CIGT201608EH1R0MNE

CIGT201608EH1R0MNE SAMSUNGEM

cigt201608eh1r0mne.pdf Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Shielded Thin Film 1uH 20% 1MHz Metal 3.6A 0.048Ohm DCR 0806 T/R
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CIGT201608EH1R0MNE SAMSUNGEM

Inductor Power Shielded Thin Film 1uH 20% 1MHz Metal 3.6A 0.048Ohm DCR 0806 T/R.