Інші пропозиції DMN2005UFG-7 за ціною від 10 грн до 45.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2005UFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V |
на замовлення 76000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2005UFG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2005UFG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2005UFG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2005UFG-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 0.004 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.05W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2005UFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V |
на замовлення 77298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2005UFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC |
на замовлення 5065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2005UFG-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 0.004 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.05W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2005UFG-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| DMN2005UFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 14A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 2.27W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 164nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| DMN2005UFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 14A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 2.27W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 164nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |