Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > G3SBA80L-6000M3/51

G3SBA80L-6000M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

G3SBA20-M3,G3SBA60-M3,G3SBA80-M3_Aug5,2015_DS.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.3A GBU
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3SBA80L-6000M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.3A GBU.