IRG4PH50KD China
Код товару: 200971
Виробник: ChinaКорпус: TO-247AC
Vces: 1200 V
Vce: 2,77 V
Ic 25: 45 A
Ic 100: 24 A
Pd 25: 200 W
у наявності 36 шт:
36 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 205 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRG4PH50KD China
- IGBT, TO-247
- Transistor Type:IGBT
- Transistor Polarity:N
- Max Current Ic Continuous a:45A
- Max Voltage Vce Sat:2.77V
- Power Dissipation:200W
- Case Style:TO-247
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Fall Time:300ns
- Min Short Circuit Withstand Time:10es
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:200W
- Pulsed Current Icm:90A
- Rise Time:100ns
Можливі заміни IRG4PH50KD China
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRG4PH50KD Код товару: 23471 |
Виробник : IR |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247AC Vces: 1200 V Vce: 2,77 V Ic 25: 45 A Ic 100: 24 A Pd 25: 200 W |
у наявності: 2 шт
|
|
Інші пропозиції IRG4PH50KD за ціною від 248 грн до 248 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRG4PH50KD Код товару: 23471 |
Виробник : IR |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247AC Vces: 1200 V Vce: 2,77 V Ic 25: 45 A Ic 100: 24 A Pd 25: 200 W |
у наявності: 2 шт
|
|