Продукція > QORVO (UNITEDSIC) > Всі товари виробника QORVO (UNITEDSIC) (29) > Сторінка 1 з 1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
UF3C065030K3S UF3C065030K3S Qorvo (UnitedSiC) UF3C065030K3S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3442.8 грн
UF3C065030K3S UF3C065030K3S Qorvo (UnitedSiC) UF3C065030K3S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4131.36 грн
UF3C065030K4S UF3C065030K4S Qorvo (UnitedSiC) UF3C065030K4S.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Case: TO247-4
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3852.34 грн
3+ 3564.96 грн
5+ 3439.87 грн
UF3C065030K4S UF3C065030K4S Qorvo (UnitedSiC) UF3C065030K4S.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Case: TO247-4
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4622.81 грн
3+ 4442.48 грн
5+ 4127.84 грн
UF3C065040K3S UF3C065040K3S Qorvo (UnitedSiC) UF3C065040K3S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2655.45 грн
3+ 2437.74 грн
5+ 2370.89 грн
UF3C065040K3S UF3C065040K3S Qorvo (UnitedSiC) UF3C065040K3S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3186.54 грн
3+ 3037.8 грн
5+ 2845.06 грн
UF3C065080K4S UF3C065080K4S Qorvo (UnitedSiC) UF3C065080K4S.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1830.95 грн
2+ 1618.93 грн
3+ 1570.77 грн
UF3C065080K4S UF3C065080K4S Qorvo (UnitedSiC) UF3C065080K4S.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2197.14 грн
2+ 2017.44 грн
3+ 1884.92 грн
5+ 1867.67 грн
UJ2D1220K UJ2D1220K Qorvo (UnitedSiC) UJ2D1220K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 60/272W; UJ2D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Power dissipation: 60/272W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1.5V
Manufacturer series: UJ2D
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+755.6 грн
3+ 698.76 грн
UJ2D1220K UJ2D1220K Qorvo (UnitedSiC) UJ2D1220K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 60/272W; UJ2D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Power dissipation: 60/272W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1.5V
Manufacturer series: UJ2D
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+906.73 грн
3+ 870.76 грн
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065030B3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 51nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
Case: D2PAK
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2617.52 грн
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065030B3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 51nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3141.02 грн
UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065030K3S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2227.33 грн
2+ 1956.09 грн
10+ 1951.06 грн
UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065030K3S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2672.8 грн
2+ 2437.59 грн
10+ 2341.27 грн
30+ 2258.45 грн
UJ3C065030T3S UJ3C065030T3S Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065030T3S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2266.81 грн
2+ 1990.59 грн
UJ3C065030T3S UJ3C065030T3S Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065030T3S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2720.18 грн
2+ 2480.59 грн
10+ 2376.64 грн
50+ 2296.41 грн
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3 Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065080B3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18.2A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 51nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 65A
Case: D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+984.76 грн
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3 Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065080B3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18.2A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 51nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 65A
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1181.72 грн
2+ 983.63 грн
3+ 895.44 грн
UJ3C065080K3S UJ3C065080K3S Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065080K3S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
UJ3C065080K3S UJ3C065080K3S Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065080K3S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UJ3C065080T3S UJ3C065080T3S Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065080T3S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+881.02 грн
2+ 741.89 грн
3+ 741.17 грн
4+ 700.91 грн
10+ 698.76 грн
UJ3C065080T3S UJ3C065080T3S Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065080T3S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1057.23 грн
2+ 924.51 грн
3+ 889.41 грн
4+ 841.1 грн
10+ 838.51 грн
50+ 810.04 грн
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S Qorvo (UnitedSiC) UJ3C120040K3S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 429W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S Qorvo (UnitedSiC) UJ3C120040K3S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 429W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UJ3D06530TS Qorvo (UnitedSiC) DS_UJ3D06530TS.pdf UJ3D06530TS THT Schottky diodes
товар відсутній
UJ3D1220KSD UJ3D1220KSD Qorvo (UnitedSiC) UJ3D1220KSD.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 53.2/468.8W
Mounting: THT
Manufacturer series: UJ3D
Case: TO247-3
Power dissipation: 53.2/468.8W
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 220A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1097.02 грн
3+ 963.31 грн
UJ3D1220KSD UJ3D1220KSD Qorvo (UnitedSiC) UJ3D1220KSD.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 53.2/468.8W
Mounting: THT
Manufacturer series: UJ3D
Case: TO247-3
Power dissipation: 53.2/468.8W
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 220A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1316.42 грн
3+ 1200.43 грн
UJD06504TS UJD06504TS Qorvo (UnitedSiC) UJD06504TS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 9/71W; TO220-2; UJD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Power dissipation: 9/71W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward impulse current: 24A
Max. forward voltage: 1.5V
Manufacturer series: UJD
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.39 грн
10+ 76.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
UJD06504TS UJD06504TS Qorvo (UnitedSiC) UJD06504TS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 9/71W; TO220-2; UJD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Power dissipation: 9/71W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward impulse current: 24A
Max. forward voltage: 1.5V
Manufacturer series: UJD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+103.92 грн
10+ 92.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
UF3C065030K3S UF3C065030K3S.pdf
UF3C065030K3S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3442.8 грн
UF3C065030K3S UF3C065030K3S.pdf
UF3C065030K3S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4131.36 грн
UF3C065030K4S UF3C065030K4S.PDF
UF3C065030K4S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Case: TO247-4
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3852.34 грн
3+ 3564.96 грн
5+ 3439.87 грн
UF3C065030K4S UF3C065030K4S.PDF
UF3C065030K4S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Case: TO247-4
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4622.81 грн
3+ 4442.48 грн
5+ 4127.84 грн
UF3C065040K3S UF3C065040K3S.pdf
UF3C065040K3S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2655.45 грн
3+ 2437.74 грн
5+ 2370.89 грн
UF3C065040K3S UF3C065040K3S.pdf
UF3C065040K3S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3186.54 грн
3+ 3037.8 грн
5+ 2845.06 грн
UF3C065080K4S UF3C065080K4S.PDF
UF3C065080K4S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1830.95 грн
2+ 1618.93 грн
3+ 1570.77 грн
UF3C065080K4S UF3C065080K4S.PDF
UF3C065080K4S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2197.14 грн
2+ 2017.44 грн
3+ 1884.92 грн
5+ 1867.67 грн
UJ2D1220K UJ2D1220K.pdf
UJ2D1220K
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 60/272W; UJ2D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Power dissipation: 60/272W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1.5V
Manufacturer series: UJ2D
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+755.6 грн
3+ 698.76 грн
UJ2D1220K UJ2D1220K.pdf
UJ2D1220K
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 60/272W; UJ2D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Power dissipation: 60/272W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1.5V
Manufacturer series: UJ2D
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+906.73 грн
3+ 870.76 грн
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3.pdf
UJ3C065030B3
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 51nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
Case: D2PAK
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2617.52 грн
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3.pdf
UJ3C065030B3
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 51nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3141.02 грн
UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S.pdf
UJ3C065030K3S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2227.33 грн
2+ 1956.09 грн
10+ 1951.06 грн
UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S.pdf
UJ3C065030K3S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2672.8 грн
2+ 2437.59 грн
10+ 2341.27 грн
30+ 2258.45 грн
UJ3C065030T3S UJ3C065030T3S.pdf
UJ3C065030T3S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2266.81 грн
2+ 1990.59 грн
UJ3C065030T3S UJ3C065030T3S.pdf
UJ3C065030T3S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2720.18 грн
2+ 2480.59 грн
10+ 2376.64 грн
50+ 2296.41 грн
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3.pdf
UJ3C065080B3
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18.2A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 51nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 65A
Case: D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+984.76 грн
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3.pdf
UJ3C065080B3
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18.2A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 51nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 65A
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1181.72 грн
2+ 983.63 грн
3+ 895.44 грн
UJ3C065080K3S UJ3C065080K3S.pdf
UJ3C065080K3S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
UJ3C065080K3S UJ3C065080K3S.pdf
UJ3C065080K3S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UJ3C065080T3S UJ3C065080T3S.pdf
UJ3C065080T3S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+881.02 грн
2+ 741.89 грн
3+ 741.17 грн
4+ 700.91 грн
10+ 698.76 грн
UJ3C065080T3S UJ3C065080T3S.pdf
UJ3C065080T3S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1057.23 грн
2+ 924.51 грн
3+ 889.41 грн
4+ 841.1 грн
10+ 838.51 грн
50+ 810.04 грн
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S.pdf
UJ3C120040K3S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 429W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S.pdf
UJ3C120040K3S
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 429W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UJ3D06530TS DS_UJ3D06530TS.pdf
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
UJ3D06530TS THT Schottky diodes
товар відсутній
UJ3D1220KSD UJ3D1220KSD.pdf
UJ3D1220KSD
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 53.2/468.8W
Mounting: THT
Manufacturer series: UJ3D
Case: TO247-3
Power dissipation: 53.2/468.8W
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 220A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1097.02 грн
3+ 963.31 грн
UJ3D1220KSD UJ3D1220KSD.pdf
UJ3D1220KSD
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 53.2/468.8W
Mounting: THT
Manufacturer series: UJ3D
Case: TO247-3
Power dissipation: 53.2/468.8W
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 220A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1316.42 грн
3+ 1200.43 грн
UJD06504TS UJD06504TS.pdf
UJD06504TS
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 9/71W; TO220-2; UJD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Power dissipation: 9/71W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward impulse current: 24A
Max. forward voltage: 1.5V
Manufacturer series: UJD
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+83.39 грн
10+ 76.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
UJD06504TS UJD06504TS.pdf
UJD06504TS
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 9/71W; TO220-2; UJD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Power dissipation: 9/71W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward impulse current: 24A
Max. forward voltage: 1.5V
Manufacturer series: UJD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.92 грн
10+ 92.3 грн
Мінімальне замовлення: 3