Продукція > ST > STW20NM60FD

STW20NM60FD


en.CD00003368.pdf
Виробник: ST
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 290mOhm; 20A; 214W; -65°C ~ 150°C; STW20NM60FD STMicroelectronics TSTW20NM60fd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 60 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+236.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW20NM60FD ST

Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STW20NM60FD за ціною від 138.88 грн до 558.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW20NM60FD STW20NM60FD Виробник : STMicroelectronics cd0000336.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+138.99 грн
30+138.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FD STW20NM60FD Виробник : STMicroelectronics cd0000336.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
102+139.56 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FD STW20NM60FD Виробник : STMicroelectronics en.CD00003368.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+521.61 грн
30+289.17 грн
120+242.32 грн
510+195.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FD STW20NM60FD Виробник : STMicroelectronics en.CD00003368.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+540.93 грн
10+307.56 грн
100+224.15 грн
600+204.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60FD STW20NM60FD Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS31108-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+558.04 грн
10+321.79 грн
100+264.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.