IRF1407PBF
Код товару: 24062
Виробник: IRКорпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності 110 шт:
101 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 10 шт:
10 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 50.00 грн |
| 10+ | 46.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1407PBF IR
- MOSFET, N, 75V, 130A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:75V
- Cont Current Id:130A
- On State Resistance:0.0078ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
- Max Voltage Vds:75V
- On State resistance @ Vgs = 10V:7.8ohm
- Power Dissipation:330W
- Power Dissipation Pd:330W
- Pulse Current Idm:520A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRF1407PBF за ціною від 29.53 грн до 200.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF1407PBF | Виробник : International Rectifier |
Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF1407PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 130A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
на замовлення 9619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF1407PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 130A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC |
на замовлення 1053 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF1407PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRF1407PBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| Li-Ion 3500mAh, 3.65V, 18650 EVE літій-іонний акумулятор INR18650/35V Grade A Код товару: 194474
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: EVE
Акумулятори > LiIon акумулятори
Технологія: Li-Ion
Типорозмір / габарити: 18650
Ємність: 3500 mAh
Форма: циліндрична
Напруга, V: 3,65 V
Максимальний струм розряду: 10 A
Вага: 50 g
Акумулятори > LiIon акумулятори
Технологія: Li-Ion
Типорозмір / габарити: 18650
Ємність: 3500 mAh
Форма: циліндрична
Напруга, V: 3,65 V
Максимальний струм розряду: 10 A
Вага: 50 g
у наявності: 4887 шт
4611 шт - склад
126 шт - РАДІОМАГ-Київ
60 шт - РАДІОМАГ-Львів
90 шт - РАДІОМАГ-Харків
126 шт - РАДІОМАГ-Київ
60 шт - РАДІОМАГ-Львів
90 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується:
500 шт
500 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 140.00 грн |
| 10+ | 128.90 грн |
| 100+ | 122.37 грн |
| 1000+ | 120.51 грн |
| 2SD882P (транзистор біполярний NPN) Код товару: 31893
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NEC
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 80 MHz
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 3 А
h21: 400
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 80 MHz
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 3 А
h21: 400
Монтаж: THT
у наявності: 130 шт
85 шт - склад
23 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
23 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 9.00 грн |
| 10+ | 8.00 грн |
| 100+ | 7.20 грн |
| 470uF 25V EFH 10x16 (EFH471M25B – Hitano) Код товару: 114670
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EFH
Тип: для баласту з довгим терміном служби, 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 7000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EFH
Тип: для баласту з довгим терміном служби, 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 7000 годин
у наявності: 165 шт
124 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
19 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
19 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується:
3050 шт
50 шт - очікується
3000 шт - очікується 24.01.2026
3000 шт - очікується 24.01.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.50 грн |
| 100+ | 3.90 грн |
| IRF840PBF Код товару: 182602
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
у наявності: 114 шт
105 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується:
430 шт
30 шт - очікується
400 шт - очікується 06.12.2025
400 шт - очікується 06.12.2025
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 34.00 грн |
| 10+ | 30.50 грн |
| 100+ | 27.20 грн |
| LL4148 Код товару: 2413
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
у наявності: 56538 шт
47655 шт - склад
1924 шт - РАДІОМАГ-Київ
2461 шт - РАДІОМАГ-Львів
680 шт - РАДІОМАГ-Харків
3818 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1924 шт - РАДІОМАГ-Київ
2461 шт - РАДІОМАГ-Львів
680 шт - РАДІОМАГ-Харків
3818 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 1.00 грн |
| 80+ | 0.50 грн |
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.30 грн |
| 10000+ | 0.20 грн |









