IRF3205PBF

IRF3205PBF IR/Infineon


irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
Код товару: 25094
Виробник: IR/Infineon
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності 3248 шт:

3248 шт - склад
очікується 250 шт:

250 шт - очікується
Кількість Ціна
4+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF3205PBF за ціною від 30.48 грн до 151.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+30.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 69901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+48.39 грн
267+47.91 грн
500+47.43 грн
1000+45.55 грн
3000+39.61 грн
10000+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
251+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 251
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 69911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+62.78 грн
15+51.87 грн
100+51.35 грн
500+49.02 грн
1000+45.20 грн
3000+40.76 грн
10000+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+82.77 грн
500+74.50 грн
1000+68.70 грн
10000+59.06 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+82.77 грн
500+74.50 грн
1000+68.70 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+82.77 грн
500+74.50 грн
1000+68.70 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+82.77 грн
500+74.50 грн
1000+68.70 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3205.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.35 грн
10+71.52 грн
25+61.73 грн
50+54.10 грн
100+47.79 грн
250+42.23 грн
500+39.74 грн
1000+38.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3205.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.22 грн
10+89.13 грн
25+74.08 грн
50+64.92 грн
100+57.35 грн
250+50.68 грн
500+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : INFINEON IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.69 грн
10+108.12 грн
100+61.30 грн
500+48.62 грн
1000+40.59 грн
5000+36.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 17585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.75 грн
10+142.90 грн
25+64.84 грн
100+59.42 грн
250+59.34 грн
500+48.67 грн
1000+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : Infineon Technologies irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 17028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.64 грн
50+70.56 грн
100+63.22 грн
500+47.26 грн
1000+43.38 грн
2000+40.11 грн
5000+37.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a IRF3205PBF Транзисторы
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

NE555P
Код товару: 26138
Додати до обраних Обраний товар

description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fse555
NE555P
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 1659 шт
1575 шт - склад
23 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
39 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
13+8.00 грн
14+7.20 грн
100+6.50 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007
Код товару: 176822
Додати до обраних Обраний товар

1N4001-ds.PDF
1N4007
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 64503 шт
57835 шт - склад
589 шт - РАДІОМАГ-Київ
3971 шт - РАДІОМАГ-Львів
775 шт - РАДІОМАГ-Харків
1333 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
100+1.00 грн
125+0.80 грн
167+0.60 грн
1000+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP250[F]
Код товару: 28540
Додати до обраних Обраний товар

TLP250[F]
Виробник: Toshiba
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-8
Тип: Драйвер затвора транзистора
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 20/1500 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -20…+85°C
товару немає в наявності
очікується: 200 шт
200 шт - очікується 25.01.2026
Кількість Ціна
2+66.00 грн
10+61.50 грн
100+56.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF
Код товару: 35403
Додати до обраних Обраний товар

infineon-irfz44ns-datasheet-en.pdf
IRFZ44NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
у наявності: 904 шт
813 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
27 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
50 шт - очікується
Кількість Ціна
6+18.00 грн
10+16.00 грн
100+13.50 грн
1000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF
Код товару: 22366
Додати до обраних Обраний товар

irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 1724 шт
1626 шт - склад
52 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
3+48.50 грн
10+43.60 грн
100+39.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.