Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FDN302P Fairchild
FDN302P

FDN302P Fairchild

FDN302P.pdf
Код товару: 31343
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Fairchild
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,4 A
Rds(on),Om: 0,055 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 882/9
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+20.00 грн
10+12.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDN302P за ціною від 7.26 грн до 50.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDN302P FDN302P onsemi FDN302P-D.PDF Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.81 грн
6000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P ONSEMI FDN302P-D.PDF Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P onsemi / Fairchild FDN302P_D-2312833.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V
на замовлення 11924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.88 грн
13+26.18 грн
100+12.29 грн
1000+9.36 грн
3000+8.45 грн
9000+7.47 грн
24000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P onsemi FDN302P-D.PDF Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
на замовлення 9790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.35 грн
12+27.23 грн
100+17.44 грн
500+12.40 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P ONSEMI FDN302P-D.PDF Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.83 грн
50+31.45 грн
100+20.20 грн
500+14.15 грн
1500+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P-D.PDF
FDN302P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.81 грн
6000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P-D.PDF
FDN302P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P_D-2312833.pdf
FDN302P
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V
на замовлення 11924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+37.88 грн
13+26.18 грн
100+12.29 грн
1000+9.36 грн
3000+8.45 грн
9000+7.47 грн
24000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P-D.PDF
FDN302P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
на замовлення 9790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+46.35 грн
12+27.23 грн
100+17.44 грн
500+12.40 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P-D.PDF
FDN302P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+50.83 грн
50+31.45 грн
100+20.20 грн
500+14.15 грн
1500+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.