IRFR5305TRPBF
Код товару: 4177
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR5305TRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Continuous Drain Current, Id:-31A
- Drain Source Voltage, Vds:-55V
- On Resistance, Rds(on):65mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
- Power Dissipation, Pd:110W
Можливі заміни IRFR5305TRPBF IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR5305TR Код товару: 185048
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Infineon |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: D-Pak Uds,V: 55 V Id,A: 25 A Rds(on),Om: 0,065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63 Монтаж: SMD |
у наявності: 506 шт
380 шт - склад
70 шт - РАДІОМАГ-Київ 49 шт - РАДІОМАГ-Львів 4 шт - РАДІОМАГ-Харків 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRFR5305TRPBF за ціною від 18.47 грн до 144.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFR5305TR | Виробник : UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5305TR | Виробник : UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 195 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5305TR | Виробник : UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5305TR | Виробник : JGSEMI |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR JGSEMI TIRFR5305 JGSкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5305TR | Виробник : Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 87 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5305TR | Виробник : Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 5800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5305TR | Виробник : Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5305TR | Виробник : Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5305TR | Виробник : Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5305TR | Виробник : Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 23063 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 68000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 282000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 282000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR5305TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3314 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR5305TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR5305TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
на замовлення 47967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 68587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC |
на замовлення 49692 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|




