Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (10948) > Сторінка 162 з 183

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 180 183  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SIHA22N60AE-GE3 SIHA22N60AE-GE3 Vishay Siliconix siha22n60ae.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.99 грн
10+ 192.27 грн
100+ 155.56 грн
500+ 129.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQJ860EP-T1_BE3 SQJ860EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj860ep.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.02 грн
6000+ 21.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ860EP-T1_BE3 SQJ860EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj860ep.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.78 грн
10+ 52.79 грн
100+ 36.53 грн
500+ 28.64 грн
1000+ 24.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQJ418EP-T1_GE3 SQJ418EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj418ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ418EP-T1_GE3 SQJ418EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj418ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.92 грн
10+ 59.75 грн
100+ 46.5 грн
500+ 36.99 грн
1000+ 30.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHA21N65EF-GE3 SIHA21N65EF-GE3 Vishay Siliconix siha21n65ef.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+144.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHA21N65EF-GE3 SIHA21N65EF-GE3 Vishay Siliconix siha21n65ef.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+310.26 грн
10+ 251.04 грн
100+ 203.07 грн
500+ 169.4 грн
DG9234EDY-T1-GE3 DG9234EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix dg9232e.pdf Description: IC SWITCH SPST DUAL 8SOIC
товар відсутній
DG9234EDY-T1-GE3 DG9234EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix dg9232e.pdf Description: IC SWITCH SPST DUAL 8SOIC
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.99 грн
10+ 142.36 грн
25+ 134.3 грн
100+ 107.39 грн
250+ 100.84 грн
500+ 88.23 грн
1000+ 77.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFR9220PBF-BE3 IRFR9220PBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr922.pdf Description: P-CHANNEL 200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товар відсутній
DG405DJ DG405DJ Vishay Siliconix DG401,403,405_Rev2009.pdf Description: IC ANALOG SWITCH SPDT 16DIP
товар відсутній
SIRC16DP-T1-RE3 SIRC16DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sirc16dp.pdf Description: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIRC16DP-T1-RE3 SIRC16DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sirc16dp.pdf Description: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.87 грн
10+ 68.68 грн
100+ 53.4 грн
500+ 42.48 грн
1000+ 34.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHH250N60EF-T1GE3 SIHH250N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix sihh250n60ef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+138.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIHH250N60EF-T1GE3 SIHH250N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix sihh250n60ef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 100 V
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.98 грн
10+ 229.39 грн
100+ 185.6 грн
500+ 154.82 грн
1000+ 132.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQUN700E-T1_GE3 SQUN700E-T1_GE3 Vishay Siliconix squn700e.pdf Description: 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1474pF @ 20V, 600pF @ 100V, 1302pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 75mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, 11nC @ 10V, 30.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товар відсутній
SQUN700E-T1_GE3 SQUN700E-T1_GE3 Vishay Siliconix squn700e.pdf Description: 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1474pF @ 20V, 600pF @ 100V, 1302pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 75mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, 11nC @ 10V, 30.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товар відсутній
SIZ254DT-T1-GE3 SIZ254DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz254dt.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 70V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 32.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795pF @ 35V, 765pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active
товар відсутній
SiP32430EVB SiP32430EVB Vishay Siliconix sip32430.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIP32430
Packaging: Bulk
Function: Power Distribution Switch (Load Switch)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: SIP32430
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
товар відсутній
SIHFR9220-GE3 SIHFR9220-GE3 Vishay Siliconix sihfr922.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 200V
товар відсутній
SIHFR9220-GE3 SIHFR9220-GE3 Vishay Siliconix sihfr922.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 200V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.05 грн
10+ 52.44 грн
100+ 40.2 грн
500+ 29.82 грн
1000+ 23.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIHFRC20TR-GE3 SIHFRC20TR-GE3 Vishay Siliconix sihfrc20.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній
SIHFRC20TR-GE3 SIHFRC20TR-GE3 Vishay Siliconix sihfrc20.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.62 грн
10+ 58.49 грн
100+ 44.82 грн
500+ 33.25 грн
1000+ 26.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIHFR320TR-GE3 SIHFR320TR-GE3 Vishay Siliconix sihfr320.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній
SIHFR320TR-GE3 SIHFR320TR-GE3 Vishay Siliconix sihfr320.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.21 грн
10+ 47.1 грн
100+ 32.59 грн
500+ 25.56 грн
1000+ 21.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIHFR320TRL-GE3 SIHFR320TRL-GE3 Vishay Siliconix sihfr320.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній
SIHFR320TRL-GE3 SIHFR320TRL-GE3 Vishay Siliconix sihfr320.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.05 грн
10+ 51.67 грн
100+ 35.81 грн
500+ 28.08 грн
1000+ 23.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIHFBF30S-GE3 SIHFBF30S-GE3 Vishay Siliconix sihbf30s.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 900V
товар відсутній
SIHFBF30S-GE3 SIHFBF30S-GE3 Vishay Siliconix sihbf30s.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 900V
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.32 грн
10+ 116.27 грн
100+ 93.49 грн
500+ 72.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHFBE30S-GE3 SIHFBE30S-GE3 Vishay Siliconix sihfbe30.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товар відсутній
SIHFBE30S-GE3 SIHFBE30S-GE3 Vishay Siliconix sihfbe30.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 800V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.18 грн
10+ 96.59 грн
100+ 76.87 грн
500+ 61.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHFR9310TRL-GE3 SIHFR9310TRL-GE3 Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.27 грн
6000+ 18.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIHFR9310TRL-GE3 SIHFR9310TRL-GE3 Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 6878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.29 грн
10+ 44.5 грн
100+ 30.81 грн
500+ 24.16 грн
1000+ 20.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIHFBE30STRL-GE3 SIHFBE30STRL-GE3 Vishay Siliconix sihfbe30.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
SIHFBE30STRL-GE3 SIHFBE30STRL-GE3 Vishay Siliconix sihfbe30.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 800V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.18 грн
10+ 96.59 грн
100+ 76.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHFR024-GE3 SIHFR024-GE3 Vishay Siliconix sihfr024.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товар відсутній
SIHFR024-GE3 SIHFR024-GE3 Vishay Siliconix sihfr024.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.94 грн
10+ 47.73 грн
100+ 33.04 грн
500+ 25.91 грн
1000+ 22.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIHFBC40AS-GE3 SIHFBC40AS-GE3 Vishay Siliconix sihfbc40.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHFBC40AS-GE3 SIHFBC40AS-GE3 Vishay Siliconix sihfbc40.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.21 грн
10+ 111.49 грн
100+ 89.62 грн
500+ 69.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHFL210TR-GE3 SIHFL210TR-GE3 Vishay Siliconix sihfl210.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 200V
товар відсутній
SIHFL210TR-GE3 SIHFL210TR-GE3 Vishay Siliconix sihfl210.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 200V
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.18 грн
10+ 39.44 грн
100+ 29.46 грн
500+ 21.72 грн
1000+ 16.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIHFR9310TRR-GE3 SIHFR9310TRR-GE3 Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
SIHFR9310TRR-GE3 SIHFR9310TRR-GE3 Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.29 грн
10+ 44.5 грн
100+ 30.81 грн
500+ 24.16 грн
1000+ 20.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIHF9620S-GE3 SIHF9620S-GE3 Vishay Siliconix sihf9620.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHF9620S-GE3 SIHF9620S-GE3 Vishay Siliconix sihf9620.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.65 грн
10+ 65.73 грн
100+ 51.27 грн
500+ 39.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIDR626EP-T1-RE3 SIDR626EP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr626ep.pdf Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.8A (Ta), 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
товар відсутній
SIDR626EP-T1-RE3 SIDR626EP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr626ep.pdf Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.8A (Ta), 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.36 грн
10+ 174.41 грн
100+ 141.13 грн
500+ 117.72 грн
1000+ 100.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIZF914DT-T1-GE3 Vishay Siliconix sizf914dt.pdf Description: DUAL N-CH 25-V (D-S) MOSFET W/SC
товар відсутній
SI2323DS-T1-BE3 SI2323DS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2323ds.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2323DS-T1-BE3 SI2323DS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2323ds.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
на замовлення 4351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.45 грн
10+ 39.3 грн
100+ 27.23 грн
500+ 21.35 грн
1000+ 18.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIC788CD-T1-GE3 SIC788CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic788a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Package / Case: PowerPAK® MLP66-40
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP66-40
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIC788CD-T1-GE3 SIC788CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic788a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Package / Case: PowerPAK® MLP66-40
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP66-40
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 4843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.51 грн
10+ 157.82 грн
25+ 148.89 грн
100+ 119.04 грн
250+ 111.78 грн
500+ 97.81 грн
1000+ 79.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
SISA34DN-T1-GE3 SISA34DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa34dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
товар відсутній
SISA34DN-T1-GE3 SISA34DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa34dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.42 грн
12+ 24.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIC468ED-T1-GE3 SIC468ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 4A POWERPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 4A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 15V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+140.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIC468ED-T1-GE3 SIC468ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 4A POWERPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 4A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 15V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 9924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.98 грн
10+ 182.92 грн
25+ 172.94 грн
100+ 140.64 грн
250+ 133.43 грн
500+ 126.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFR320TRPBF-BE3 IRFR320TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr320.pdf Description: N-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній
SQJ443EP-T1_BE3 SQJ443EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj443ep.pdf Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
товар відсутній
SQJ443EP-T1_BE3 SQJ443EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj443ep.pdf Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
товар відсутній
SQJ443EP-T2_GE3 SQJ443EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj443ep.pdf Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.37 грн
6000+ 26.94 грн
9000+ 25.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIHA22N60AE-GE3 siha22n60ae.pdf
SIHA22N60AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+237.99 грн
10+ 192.27 грн
100+ 155.56 грн
500+ 129.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQJ860EP-T1_BE3 sqj860ep.pdf
SQJ860EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+24.02 грн
6000+ 21.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ860EP-T1_BE3 sqj860ep.pdf
SQJ860EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.78 грн
10+ 52.79 грн
100+ 36.53 грн
500+ 28.64 грн
1000+ 24.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQJ418EP-T1_GE3 sqj418ep.pdf
SQJ418EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ418EP-T1_GE3 sqj418ep.pdf
SQJ418EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.92 грн
10+ 59.75 грн
100+ 46.5 грн
500+ 36.99 грн
1000+ 30.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHA21N65EF-GE3 siha21n65ef.pdf
SIHA21N65EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+144.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHA21N65EF-GE3 siha21n65ef.pdf
SIHA21N65EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+310.26 грн
10+ 251.04 грн
100+ 203.07 грн
500+ 169.4 грн
DG9234EDY-T1-GE3 dg9232e.pdf
DG9234EDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST DUAL 8SOIC
товар відсутній
DG9234EDY-T1-GE3 dg9232e.pdf
DG9234EDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST DUAL 8SOIC
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.99 грн
10+ 142.36 грн
25+ 134.3 грн
100+ 107.39 грн
250+ 100.84 грн
500+ 88.23 грн
1000+ 77.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFR9220PBF-BE3 sihfr922.pdf
IRFR9220PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товар відсутній
DG405DJ DG401,403,405_Rev2009.pdf
DG405DJ
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH SPDT 16DIP
товар відсутній
SIRC16DP-T1-RE3 sirc16dp.pdf
SIRC16DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+36.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIRC16DP-T1-RE3 sirc16dp.pdf
SIRC16DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.87 грн
10+ 68.68 грн
100+ 53.4 грн
500+ 42.48 грн
1000+ 34.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHH250N60EF-T1GE3 sihh250n60ef.pdf
SIHH250N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+138.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIHH250N60EF-T1GE3 sihh250n60ef.pdf
SIHH250N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 100 V
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+283.98 грн
10+ 229.39 грн
100+ 185.6 грн
500+ 154.82 грн
1000+ 132.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQUN700E-T1_GE3 squn700e.pdf
SQUN700E-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1474pF @ 20V, 600pF @ 100V, 1302pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 75mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, 11nC @ 10V, 30.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товар відсутній
SQUN700E-T1_GE3 squn700e.pdf
SQUN700E-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1474pF @ 20V, 600pF @ 100V, 1302pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 75mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, 11nC @ 10V, 30.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товар відсутній
SIZ254DT-T1-GE3 siz254dt.pdf
SIZ254DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 70V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 32.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795pF @ 35V, 765pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active
товар відсутній
SiP32430EVB sip32430.pdf
SiP32430EVB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIP32430
Packaging: Bulk
Function: Power Distribution Switch (Load Switch)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: SIP32430
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
товар відсутній
SIHFR9220-GE3 sihfr922.pdf
SIHFR9220-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 200V
товар відсутній
SIHFR9220-GE3 sihfr922.pdf
SIHFR9220-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 200V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.05 грн
10+ 52.44 грн
100+ 40.2 грн
500+ 29.82 грн
1000+ 23.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIHFRC20TR-GE3 sihfrc20.pdf
SIHFRC20TR-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній
SIHFRC20TR-GE3 sihfrc20.pdf
SIHFRC20TR-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.62 грн
10+ 58.49 грн
100+ 44.82 грн
500+ 33.25 грн
1000+ 26.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIHFR320TR-GE3 sihfr320.pdf
SIHFR320TR-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній
SIHFR320TR-GE3 sihfr320.pdf
SIHFR320TR-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.21 грн
10+ 47.1 грн
100+ 32.59 грн
500+ 25.56 грн
1000+ 21.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIHFR320TRL-GE3 sihfr320.pdf
SIHFR320TRL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній
SIHFR320TRL-GE3 sihfr320.pdf
SIHFR320TRL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.05 грн
10+ 51.67 грн
100+ 35.81 грн
500+ 28.08 грн
1000+ 23.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIHFBF30S-GE3 sihbf30s.pdf
SIHFBF30S-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 900V
товар відсутній
SIHFBF30S-GE3 sihbf30s.pdf
SIHFBF30S-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 900V
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.32 грн
10+ 116.27 грн
100+ 93.49 грн
500+ 72.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHFBE30S-GE3 sihfbe30.pdf
SIHFBE30S-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товар відсутній
SIHFBE30S-GE3 sihfbe30.pdf
SIHFBE30S-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.18 грн
10+ 96.59 грн
100+ 76.87 грн
500+ 61.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHFR9310TRL-GE3 sihfr931.pdf
SIHFR9310TRL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+20.27 грн
6000+ 18.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIHFR9310TRL-GE3 sihfr931.pdf
SIHFR9310TRL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 6878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.29 грн
10+ 44.5 грн
100+ 30.81 грн
500+ 24.16 грн
1000+ 20.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIHFBE30STRL-GE3 sihfbe30.pdf
SIHFBE30STRL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+67.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
SIHFBE30STRL-GE3 sihfbe30.pdf
SIHFBE30STRL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.18 грн
10+ 96.59 грн
100+ 76.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHFR024-GE3 sihfr024.pdf
SIHFR024-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товар відсутній
SIHFR024-GE3 sihfr024.pdf
SIHFR024-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.94 грн
10+ 47.73 грн
100+ 33.04 грн
500+ 25.91 грн
1000+ 22.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIHFBC40AS-GE3 sihfbc40.pdf
SIHFBC40AS-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+63.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHFBC40AS-GE3 sihfbc40.pdf
SIHFBC40AS-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.21 грн
10+ 111.49 грн
100+ 89.62 грн
500+ 69.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHFL210TR-GE3 sihfl210.pdf
SIHFL210TR-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 200V
товар відсутній
SIHFL210TR-GE3 sihfl210.pdf
SIHFL210TR-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 200V
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.18 грн
10+ 39.44 грн
100+ 29.46 грн
500+ 21.72 грн
1000+ 16.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIHFR9310TRR-GE3 sihfr931.pdf
SIHFR9310TRR-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
SIHFR9310TRR-GE3 sihfr931.pdf
SIHFR9310TRR-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.29 грн
10+ 44.5 грн
100+ 30.81 грн
500+ 24.16 грн
1000+ 20.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIHF9620S-GE3 sihf9620.pdf
SIHF9620S-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHF9620S-GE3 sihf9620.pdf
SIHF9620S-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.65 грн
10+ 65.73 грн
100+ 51.27 грн
500+ 39.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIDR626EP-T1-RE3 sidr626ep.pdf
SIDR626EP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.8A (Ta), 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
товар відсутній
SIDR626EP-T1-RE3 sidr626ep.pdf
SIDR626EP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.8A (Ta), 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+215.36 грн
10+ 174.41 грн
100+ 141.13 грн
500+ 117.72 грн
1000+ 100.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIZF914DT-T1-GE3 sizf914dt.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CH 25-V (D-S) MOSFET W/SC
товар відсутній
SI2323DS-T1-BE3 si2323ds.pdf
SI2323DS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2323DS-T1-BE3 si2323ds.pdf
SI2323DS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
на замовлення 4351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.45 грн
10+ 39.3 грн
100+ 27.23 грн
500+ 21.35 грн
1000+ 18.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIC788CD-T1-GE3 sic788a.pdf
SIC788CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Package / Case: PowerPAK® MLP66-40
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP66-40
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+83.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIC788CD-T1-GE3 sic788a.pdf
SIC788CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Package / Case: PowerPAK® MLP66-40
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP66-40
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 4843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+182.51 грн
10+ 157.82 грн
25+ 148.89 грн
100+ 119.04 грн
250+ 111.78 грн
500+ 97.81 грн
1000+ 79.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
SISA34DN-T1-GE3 sisa34dn.pdf
SISA34DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
товар відсутній
SISA34DN-T1-GE3 sisa34dn.pdf
SISA34DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.42 грн
12+ 24.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIC468ED-T1-GE3 sic46x.pdf
SIC468ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BUCK ADJ 4A POWERPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 4A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 15V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+140.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIC468ED-T1-GE3 sic46x.pdf
SIC468ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BUCK ADJ 4A POWERPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 4A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 15V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 9924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.98 грн
10+ 182.92 грн
25+ 172.94 грн
100+ 140.64 грн
250+ 133.43 грн
500+ 126.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFR320TRPBF-BE3 sihfr320.pdf
IRFR320TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній
SQJ443EP-T1_BE3 sqj443ep.pdf
SQJ443EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
товар відсутній
SQJ443EP-T1_BE3 sqj443ep.pdf
SQJ443EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
товар відсутній
SQJ443EP-T2_GE3 sqj443ep.pdf
SQJ443EP-T2_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+29.37 грн
6000+ 26.94 грн
9000+ 25.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 180 183  [ Наступна Сторінка >> ]