Результат пошуку "055n03l" : 17

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IPP055N03L G IPP055N03L G Infineon Technologies IPP055N03L_rev1_04-1732316.pdf MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.11 грн
10+ 68.32 грн
100+ 46.27 грн
500+ 39.1 грн
1000+ 31.87 грн
2500+ 30.03 грн
5000+ 28.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP055N03LG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.1 грн
6+ 58.19 грн
20+ 40.6 грн
54+ 38.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP055N03LG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+97.31 грн
5+ 72.51 грн
20+ 48.71 грн
54+ 46.09 грн
500+ 45.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 Infineon Technologies IPP055N03L_rev1_04-1732316.pdf MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.11 грн
10+ 67.11 грн
100+ 46.27 грн
500+ 39.1 грн
1000+ 30.03 грн
2500+ 29.84 грн
5000+ 29.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 Infineon Technologies ipp055n03l_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 13
IPP055N03LG infineon 08+
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB055N03L G
Код товару: 61412 		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPB055N03LGATMA1 IPB055N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB055N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPB055N03LGATMA1 IPB055N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB055N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPB055N03LGATMA1 IPB055N03LGATMA1 Infineon Technologies IP%28B%2CP%29055N03LG.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
товар відсутній
IPB055N03LGATMA1 IPB055N03LGATMA1 Infineon Technologies ipp055n03l_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPC055N03L3X1SA1 Infineon Technologies ds_ipc055n03l3_2_5.pdffileiddb3a30434422e00e01442bf9dfc6521bfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3-Pin Chip Wafer
товар відсутній
IPC055N03L3X1SA1 Infineon Technologies DS_IPC055N03L3_2_5.pdf?fileId=db3a30434422e00e01442bf9dfc6521b Description: MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Sawn on foil
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товар відсутній
IPP055N03LGHKSA1 IPP055N03LGHKSA1 Infineon Technologies ipp055n03l_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 Infineon Technologies IP%28B%2CP%29055N03LG.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP055N03L G IPP055N03L_rev1_04-1732316.pdf
IPP055N03L G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.11 грн
10+ 68.32 грн
100+ 46.27 грн
500+ 39.1 грн
1000+ 31.87 грн
2500+ 30.03 грн
5000+ 28.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LG-DTE.pdf
IPP055N03LGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+81.1 грн
6+ 58.19 грн
20+ 40.6 грн
54+ 38.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LG-DTE.pdf
IPP055N03LGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97.31 грн
5+ 72.51 грн
20+ 48.71 грн
54+ 46.09 грн
500+ 45.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03L_rev1_04-1732316.pdf
IPP055N03LGXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.11 грн
10+ 67.11 грн
100+ 46.27 грн
500+ 39.1 грн
1000+ 30.03 грн
2500+ 29.84 грн
5000+ 29.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP055N03LGXKSA1 ipp055n03l_rev2.01.pdf
IPP055N03LGXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 13
IPP055N03LG
Виробник: infineon
08+
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB055N03L G
Код товару: 61412
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPB055N03LGATMA1 IPB055N03LG-DTE.pdf
IPB055N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPB055N03LGATMA1 IPB055N03LG-DTE.pdf
IPB055N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPB055N03LGATMA1 IP%28B%2CP%29055N03LG.pdf
IPB055N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
товар відсутній
IPB055N03LGATMA1 ipp055n03l_rev2.01.pdf
IPB055N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPC055N03L3X1SA1 ds_ipc055n03l3_2_5.pdffileiddb3a30434422e00e01442bf9dfc6521bfolde.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 3-Pin Chip Wafer
товар відсутній
IPC055N03L3X1SA1 DS_IPC055N03L3_2_5.pdf?fileId=db3a30434422e00e01442bf9dfc6521b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Sawn on foil
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товар відсутній
IPP055N03LGHKSA1 ipp055n03l_rev2.01.pdf
IPP055N03LGHKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP055N03LGXKSA1 IP%28B%2CP%29055N03LG.pdf
IPP055N03LGXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
товар відсутній