Результат пошуку "10nb37" : 17

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4
Код товару: 34446 		cd00002226-datasheet.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: D²PAK
Vces: 410 V
Vce: 1,2 V
Ic 25: 20 A
Ic 100: 10 А
у наявності: 96 шт
1+127 грн
10+ 114.5 грн
STGB10NB37LZ; IGBT N-chanal; 20A 18V 125W; Корпус: D2PAK (TO-263); STM
на замовлення 48 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
8+89.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics STGB10NB37LZT4.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; internally clamped; logic level
Application: ignition systems
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+174.7 грн
5+ 146 грн
8+ 110.85 грн
20+ 104.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics STGB10NB37LZT4.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; internally clamped; logic level
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 621 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+209.64 грн
5+ 181.94 грн
8+ 133.02 грн
20+ 125.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics en.CD00002226.pdf Description: IGBT 440V 20A 125W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.8 грн
10+ 206.16 грн
100+ 166.81 грн
500+ 139.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics CD00002226-250902.pdf IGBT Transistors 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
2+183.2 грн
10+ 147.75 грн
100+ 99.93 грн
250+ 96.69 грн
500+ 85.01 грн
1000+ 58.21 грн
2000+ 55.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
Транзистор IGBT STGB10NB37LZT4 20A 440V D2PAK
на замовлення 22 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2+111.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
STGB10NB37
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STGB10NB37LZT4 en.CD00002226.pdf
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
STGB10NB37LZ STGB10NB37LZ STMicroelectronics cd0000222.pdf description Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
STGB10NB37LZ STGB10NB37LZ STMicroelectronics en.CD00002226.pdf description Description: IGBT 440V 20A 125W D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
товар відсутній
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics en.CD00002226.pdf Description: IGBT 440V 20A 125W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
товар відсутній
STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics cd0000222.pdf Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics cd0000222.pdf Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STGP10NB37LZ STGP10NB37LZ STMicroelectronics en.CD00002226.pdf Description: IGBT 440V 20A 125W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
товар відсутній
STGP10NB37LZ STGP10NB37LZ STMicroelectronics cd0000222.pdf Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STGB10NB37LZT4
Код товару: 34446		 cd00002226-datasheet.pdf
STGB10NB37LZT4
Транзистори > IGBT
Корпус: D²PAK
Vces: 410 V
Vce: 1,2 V
Ic 25: 20 A
Ic 100: 10 А
у наявності: 96 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+127 грн
10+ 114.5 грн
STGB10NB37LZ; IGBT N-chanal; 20A 18V 125W; Корпус: D2PAK (TO-263); STM
на замовлення 48 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+89.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4.pdf
STGB10NB37LZT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; internally clamped; logic level
Application: ignition systems
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+174.7 грн
5+ 146 грн
8+ 110.85 грн
20+ 104.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4.pdf
STGB10NB37LZT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; internally clamped; logic level
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 621 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+209.64 грн
5+ 181.94 грн
8+ 133.02 грн
20+ 125.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
STGB10NB37LZT4 en.CD00002226.pdf
STGB10NB37LZT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 440V 20A 125W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+254.8 грн
10+ 206.16 грн
100+ 166.81 грн
500+ 139.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
STGB10NB37LZT4 CD00002226-250902.pdf
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+183.2 грн
10+ 147.75 грн
100+ 99.93 грн
250+ 96.69 грн
500+ 85.01 грн
1000+ 58.21 грн
2000+ 55.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
Транзистор IGBT STGB10NB37LZT4 20A 440V D2PAK
на замовлення 22 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+111.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
STGB10NB37
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STGB10NB37LZT4 en.CD00002226.pdf
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
STGB10NB37LZ description cd0000222.pdf
STGB10NB37LZ
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
STGB10NB37LZ description en.CD00002226.pdf
STGB10NB37LZ
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 440V 20A 125W D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
товар відсутній
STGB10NB37LZT4 en.CD00002226.pdf
STGB10NB37LZT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 440V 20A 125W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
товар відсутній
STGB10NB37LZT4 cd0000222.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STGB10NB37LZT4 cd0000222.pdf
STGB10NB37LZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STGP10NB37LZ en.CD00002226.pdf
STGP10NB37LZ
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 440V 20A 125W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
товар відсутній
STGP10NB37LZ cd0000222.pdf
STGP10NB37LZ
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній