Результат пошуку "11N80c" : 24

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SPP11N80C3 SPP11N80C3
Код товару: 111118 		Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en-1227668.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/8
Монтаж: THT
у наявності: 36 шт
1+165 грн
10+ 149 грн
11N80C3 INFINEON
на замовлення 5045 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.39 грн
50+ 143.82 грн
100+ 123.26 грн
500+ 102.83 грн
1000+ 88.05 грн
2000+ 82.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA1 Infineon Technologies infineon-spa11n80c3-ds-v02_93-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPA11N80C3XKSA1 Infineon SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA2 SPA11N80C3 TSPA11n80c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+191.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPA11N80C3XKSA2 SPA11N80C3XKSA2 Infineon Technologies infineon-spa11n80c3-ds-v02_93-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPA11N80C3XKSA2 SPA11N80C3XKSA2 Infineon Technologies SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.39 грн
50+ 143.82 грн
100+ 123.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N80C3 SPP11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP11N80C3-dte.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.94 грн
3+ 160.19 грн
7+ 122.54 грн
18+ 115.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N80C3 SPP11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP11N80C3-dte.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 324 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+229.13 грн
3+ 199.62 грн
7+ 147.05 грн
18+ 138.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a9132fee5c9a Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 3415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.97 грн
50+ 142.64 грн
100+ 122.26 грн
500+ 101.98 грн
1000+ 87.32 грн
2000+ 82.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Infineon Technologies spp11n80c3_rev2.91.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPP11N80C3XKSA1 Infineon Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a9132fee5c9a N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 SPP11N80C3XKSA1 TSPP11n80c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+163.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPW11N80C3FKSA1 SPW11N80C3FKSA1 Infineon Technologies SPW11N80C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bf6e0463d Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.22 грн
30+ 170.55 грн
120+ 146.19 грн
510+ 121.95 грн
1020+ 104.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPW11N80CC
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPA11N80C3 SPA11N80C3
Код товару: 119117 		description Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SPW11N80C3
Код товару: 132782 		description Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SPA11N80C3 SPA11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SPA11N80C3 SPA11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPW11N80C3 SPW11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW11N80C3-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SPW11N80C3 SPW11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW11N80C3-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPW11N80C3FKSA1 SPW11N80C3FKSA1 Infineon Technologies spw11n80c3_rev2.91.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
SPP11N80C3
Код товару: 111118		 Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en-1227668.pdf
SPP11N80C3
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/8
Монтаж: THT
у наявності: 36 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+165 грн
10+ 149 грн
11N80C3
Виробник: INFINEON
на замовлення 5045 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPA11N80C3XKSA1 SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec
SPA11N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+188.39 грн
50+ 143.82 грн
100+ 123.26 грн
500+ 102.83 грн
1000+ 88.05 грн
2000+ 82.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA11N80C3XKSA1 infineon-spa11n80c3-ds-v02_93-en.pdf
SPA11N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPA11N80C3XKSA1 SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA2 SPA11N80C3 TSPA11n80c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+191.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPA11N80C3XKSA2 infineon-spa11n80c3-ds-v02_93-en.pdf
SPA11N80C3XKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPA11N80C3XKSA2 SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec
SPA11N80C3XKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+188.39 грн
50+ 143.82 грн
100+ 123.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N80C3 SPP11N80C3-dte.pdf
SPP11N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.94 грн
3+ 160.19 грн
7+ 122.54 грн
18+ 115.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N80C3 SPP11N80C3-dte.pdf
SPP11N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 324 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+229.13 грн
3+ 199.62 грн
7+ 147.05 грн
18+ 138.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N80C3XKSA1 Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a9132fee5c9a
SPP11N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 3415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.97 грн
50+ 142.64 грн
100+ 122.26 грн
500+ 101.98 грн
1000+ 87.32 грн
2000+ 82.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N80C3XKSA1 spp11n80c3_rev2.91.pdf
SPP11N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPP11N80C3XKSA1 Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a9132fee5c9a
Виробник: Infineon
N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 SPP11N80C3XKSA1 TSPP11n80c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+163.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPW11N80C3FKSA1 SPW11N80C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bf6e0463d
SPW11N80C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.22 грн
30+ 170.55 грн
120+ 146.19 грн
510+ 121.95 грн
1020+ 104.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPW11N80CC
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPA11N80C3
Код товару: 119117		 description
SPA11N80C3
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SPW11N80C3
Код товару: 132782		 description
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SPA11N80C3 description
SPA11N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SPA11N80C3 description
SPA11N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPW11N80C3 description SPW11N80C3-DTE.pdf
SPW11N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SPW11N80C3 description SPW11N80C3-DTE.pdf
SPW11N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPW11N80C3FKSA1 spw11n80c3_rev2.91.pdf
SPW11N80C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній