Результат пошуку "11n60" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
11N60 | SIEMENS | TO220 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
11N60C3 | INFINEON | 09+ DIP-3 |
на замовлення 2162 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
11N60S5 | TO-263 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
AOW11N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Case: TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: THT Gate charge: 30.6nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOW11N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Case: TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: THT Gate charge: 30.6nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 706 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOWF11N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Case: TO262F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Gate charge: 30.6nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOWF11N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Case: TO262F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Gate charge: 30.6nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 710 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCB11N60TM | onsemi / Fairchild | MOSFET HIGH POWER |
на замовлення 2042 шт: термін постачання 119-128 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP11N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP11N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 172 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP11N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 21900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP11N60 | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V 11A N-CH |
на замовлення 958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP11N60F | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V NCH MOSFET |
на замовлення 5664 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCPF11N60 | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V 11A N-CH |
на замовлення 6003 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCPF11N60F | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V NCH MOSFET |
на замовлення 879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHH11N60E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
на замовлення 2381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA11N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 1358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPB11N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3 |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 11A TO220-3 |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 8034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP11N60CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
STD11N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
на замовлення 4025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF11N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF11N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF11N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
на замовлення 2797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF11N60M2-EP | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET |
на замовлення 889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP11N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
на замовлення 1923 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMO11N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Power dissipation: 63W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMO11N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Power dissipation: 63W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2227 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCB11N60 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FCB11N60 | fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FCB11N60F | fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FCPF11N60/FSC | FSC | 08+; |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FCPF11N60NT | ON Semiconductor |
на замовлення 950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
INF-SPP11N60C3 | SPP11N60C3 Микросхемы |
на замовлення 96 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MDF11N60 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MDF11N60TH |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MDP11N60TH |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MGP11N60E |
на замовлення 5880 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MGP11N60ED |
на замовлення 5880 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
P11N60 |
на замовлення 4130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
R3111N601A-TR-FF | RICOH | 2005 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPA11N60C3 | Infineon | 09+ |
на замовлення 135 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPA11N60C3 | INFINEON | TO-220 06+ |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPA11N60C3 | INF | 07+; |
на замовлення 69400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPA11N60CFD | TI |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SPB11N60C2 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPB11N60C2 | INFINEON | TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPB11N60C3 | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPB11N60C3 | INFINEON | TO-263/D2-PAK |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPB11N60C3 | INFINEON |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SPB11N60C3 | Infineon technologies |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SPB11N60C3 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPB11N60C5 |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SPB11N60S5 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPB11N60S5 | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPB11N60S5 | INFINEON | TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPBI11N60C3 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SPI11N60C3 | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPI11N60C3 | INF |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
AOW11N60 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 48.66 грн |
9+ | 39.02 грн |
24+ | 33.89 грн |
65+ | 32.04 грн |
500+ | 30.81 грн |
AOW11N60 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 706 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 58.39 грн |
6+ | 48.63 грн |
24+ | 40.66 грн |
65+ | 38.45 грн |
500+ | 36.97 грн |
AOWF11N60 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 42.76 грн |
10+ | 34.5 грн |
25+ | 32.52 грн |
AOWF11N60 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 710 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 43 грн |
25+ | 39.02 грн |
FCB11N60TM |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET HIGH POWER
MOSFET HIGH POWER
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 235.38 грн |
10+ | 195.74 грн |
25+ | 168.24 грн |
100+ | 137.35 грн |
250+ | 135.38 грн |
500+ | 132.75 грн |
800+ | 108.44 грн |
FCP11N60 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 144.45 грн |
7+ | 124.59 грн |
18+ | 117.75 грн |
FCP11N60 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 209.67 грн |
3+ | 180 грн |
7+ | 149.51 грн |
18+ | 141.3 грн |
250+ | 135.55 грн |
FCP11N60 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 21900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 98.91 грн |
FCP11N60 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V 11A N-CH
MOSFET 600V 11A N-CH
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 208.55 грн |
10+ | 173.83 грн |
50+ | 142.61 грн |
100+ | 121.58 грн |
500+ | 109.09 грн |
1000+ | 100.55 грн |
5000+ | 98.58 грн |
FCP11N60F |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V NCH MOSFET
MOSFET 600V NCH MOSFET
на замовлення 5664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 224.65 грн |
10+ | 185.92 грн |
50+ | 109.75 грн |
100+ | 109.09 грн |
500+ | 105.15 грн |
1000+ | 93.98 грн |
FCPF11N60 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V 11A N-CH
MOSFET 600V 11A N-CH
на замовлення 6003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 216.22 грн |
10+ | 180.63 грн |
50+ | 155.75 грн |
100+ | 126.18 грн |
250+ | 125.52 грн |
500+ | 113.69 грн |
1000+ | 94.64 грн |
FCPF11N60F |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V NCH MOSFET
MOSFET 600V NCH MOSFET
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 255.32 грн |
10+ | 229 грн |
50+ | 173.5 грн |
100+ | 148.53 грн |
250+ | 143.92 грн |
500+ | 132.1 грн |
1000+ | 106.47 грн |
SIHH11N60E-T1-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 215.45 грн |
10+ | 178.36 грн |
25+ | 146.55 грн |
100+ | 126.18 грн |
250+ | 118.29 грн |
500+ | 111.72 грн |
1000+ | 95.95 грн |
SPA11N60C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 228.48 грн |
10+ | 188.94 грн |
25+ | 122.24 грн |
100+ | 112.38 грн |
250+ | 94.64 грн |
SPB11N60C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 240.75 грн |
10+ | 201.03 грн |
25+ | 166.93 грн |
100+ | 139.98 грн |
250+ | 133.41 грн |
500+ | 122.24 грн |
1000+ | 105.81 грн |
SPP11N60C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 600V 11A TO220-3
MOSFET N-Ch 600V 11A TO220-3
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 239.98 грн |
10+ | 229 грн |
25+ | 162.98 грн |
100+ | 139.98 грн |
500+ | 121.58 грн |
1000+ | 98.58 грн |
SPP11N60C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 67.32 грн |
SPP11N60CFDXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)STD11N60DM2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 107.34 грн |
10+ | 87.67 грн |
100+ | 60.79 грн |
250+ | 56.19 грн |
500+ | 51 грн |
1000+ | 44.36 грн |
2500+ | 44.29 грн |
STF11N60DM2 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 112.06 грн |
10+ | 72.56 грн |
13+ | 64.35 грн |
34+ | 60.93 грн |
STF11N60DM2 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 134.47 грн |
10+ | 90.43 грн |
13+ | 77.22 грн |
34+ | 73.11 грн |
500+ | 71.47 грн |
1000+ | 69.83 грн |
STF11N60DM2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 129.58 грн |
10+ | 68.02 грн |
100+ | 57.24 грн |
250+ | 54.55 грн |
500+ | 50.54 грн |
1000+ | 46.53 грн |
STF11N60M2-EP |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 117.31 грн |
10+ | 95.23 грн |
100+ | 64.21 грн |
500+ | 54.48 грн |
1000+ | 44.36 грн |
2000+ | 41.73 грн |
5000+ | 39.76 грн |
STP11N60DM2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 117.31 грн |
10+ | 93.72 грн |
100+ | 66.38 грн |
250+ | 63.55 грн |
500+ | 55.66 грн |
1000+ | 48.7 грн |
2000+ | 45.28 грн |
WMO11N60C2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 52.34 грн |
10+ | 35.87 грн |
25+ | 31.63 грн |
28+ | 28.48 грн |
77+ | 26.97 грн |
500+ | 26.22 грн |
WMO11N60C2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.81 грн |
6+ | 44.7 грн |
25+ | 37.95 грн |
28+ | 34.17 грн |
77+ | 32.37 грн |
500+ | 31.46 грн |
FCB11N60 |
Виробник: fairchild
07+ to-263/d2-pak
07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)FCB11N60F |
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPB11N60C2 |
Виробник: INFINEON
07+ TO-263/D2-PAK
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPB11N60C2 |
Виробник: INFINEON
TO-263/D2-PAK
TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPB11N60C3 |
Виробник: INFINEON
TO-263/D2-PAK
TO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPB11N60C3 |
Виробник: INFINEON
07+ TO-263/D2-PAK
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPB11N60S5 |
Виробник: INFINEON
07+ TO-263/D2-PAK
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPB11N60S5 |
Виробник: INFINEON
TO-263/D2-PAK
TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]