Результат пошуку "140n6f7" : 36

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
STD140N6F7 STD140N6F7 STMicroelectronics en.DM00257307.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.1 грн
10+ 86.52 грн
100+ 68.86 грн
500+ 54.68 грн
1000+ 46.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD140N6F7 STD140N6F7 STMicroelectronics dm00257.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STD140N6F7 STD140N6F7 STMicroelectronics en.DM00257307.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD140N6F7 STD140N6F7 STMicroelectronics std140n6f7-1850428.pdf MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.53 грн
10+ 92.53 грн
100+ 64.89 грн
250+ 61.58 грн
500+ 55.09 грн
1000+ 47.82 грн
2500+ 45.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF140N6F7 STF140N6F7 STMicroelectronics stf140n6f7-1850511.pdf MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ 70 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.81 грн
10+ 111.93 грн
100+ 79.81 грн
250+ 73.32 грн
500+ 66.84 грн
1000+ 57.17 грн
2000+ 54.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF140N6F7 STF140N6F7 STMicroelectronics en.DM00175557.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.86 грн
50+ 100.11 грн
100+ 82.36 грн
500+ 65.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL140N6F7 STL140N6F7 STMicroelectronics stl140n6f7-1851132.pdf MOSFET N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ 140 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.15 грн
10+ 145.51 грн
100+ 100.58 грн
250+ 96.04 грн
500+ 85.01 грн
1000+ 72.68 грн
3000+ 68.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL140N6F7 STL140N6F7 STMicroelectronics en.DM00092175.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 145A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.55 грн
10+ 130.52 грн
100+ 103.87 грн
500+ 82.49 грн
1000+ 69.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP140N6F7 STP140N6F7 STMicroelectronics stp140n6f7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 158W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.91 грн
9+ 92.6 грн
24+ 87.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP140N6F7 STP140N6F7 STMicroelectronics stp140n6f7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 158W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+163.35 грн
3+ 143.19 грн
9+ 111.12 грн
24+ 105.45 грн
250+ 101.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP140N6F7 STP140N6F7 STMicroelectronics 13dm00175190.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STP140N6F7 STP140N6F7 STMicroelectronics stp140n6f7-1851273.pdf MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+160.49 грн
10+ 132.08 грн
100+ 90.85 грн
250+ 83.71 грн
500+ 75.92 грн
1000+ 64.89 грн
2000+ 62.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP140N6F7 STP140N6F7 STMicroelectronics en.DM00175190.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+148.11 грн
50+ 114.76 грн
100+ 94.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
STEVAL-SPIN3201 STEVAL-SPIN3201 STMicroelectronics en.DM00338893.pdf Description: EVAL BOARD FOR STSPIN32F0
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: STD140N6F7, STSPIN32F0
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Motors (BLDC)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4917.71 грн
STH140N6F7-2
Код товару: 132498 		STH140N6F7-2%2C6.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STP140N6F7
Код товару: 198556 		en.DM00175190.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
STD140N6F7 STMicroelectronics dm00257.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STF140N6F7 STF140N6F7 STMicroelectronics stf140n6f7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 60V; 50A; Idm: 280A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STF140N6F7 STF140N6F7 STMicroelectronics stf140n6f7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 60V; 50A; Idm: 280A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STF140N6F7 STMicroelectronics dm0017555.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
STF140N6F7 STF140N6F7 STMicroelectronics dm0017555.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
STH140N6F7-2 STH140N6F7-2 STMicroelectronics STH140N6F7-2%2C6.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товар відсутній
STH140N6F7-2 STH140N6F7-2 STMicroelectronics 825261749557207dm00092184.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товар відсутній
STH140N6F7-2 STH140N6F7-2 STMicroelectronics STH140N6F7-2%2C6.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товар відсутній
STH140N6F7-6 STH140N6F7-6 STMicroelectronics Description: MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товар відсутній
STH140N6F7-6 STH140N6F7-6 STMicroelectronics Description: MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товар відсутній
STH140N6F7-6 STH140N6F7-6 STMicroelectronics 825261749557207dm00092184.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
товар відсутній
STL140N6F7 STMicroelectronics stl140n6f7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 107A; Idm: 560A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 107A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 125W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STL140N6F7 STL140N6F7 STMicroelectronics en.dm00092175.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 140A 8-Pin Power Flat EP T/R
товар відсутній
STL140N6F7 STMicroelectronics en.dm00092175.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 140A 8-Pin Power Flat EP T/R
товар відсутній
STL140N6F7 STL140N6F7 STMicroelectronics en.DM00092175.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 145A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товар відсутній
STP140N6F7 STMicroelectronics 13dm00175190.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STL140N6F7 STMicroelectronics stl140n6f7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 107A; Idm: 560A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 107A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 125W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
STD140N6F7 en.DM00257307.pdf
STD140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.1 грн
10+ 86.52 грн
100+ 68.86 грн
500+ 54.68 грн
1000+ 46.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD140N6F7 dm00257.pdf
STD140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STD140N6F7 en.DM00257307.pdf
STD140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD140N6F7 std140n6f7-1850428.pdf
STD140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.53 грн
10+ 92.53 грн
100+ 64.89 грн
250+ 61.58 грн
500+ 55.09 грн
1000+ 47.82 грн
2500+ 45.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF140N6F7 stf140n6f7-1850511.pdf
STF140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ 70 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.81 грн
10+ 111.93 грн
100+ 79.81 грн
250+ 73.32 грн
500+ 66.84 грн
1000+ 57.17 грн
2000+ 54.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF140N6F7 en.DM00175557.pdf
STF140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.86 грн
50+ 100.11 грн
100+ 82.36 грн
500+ 65.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL140N6F7 stl140n6f7-1851132.pdf
STL140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ 140 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.15 грн
10+ 145.51 грн
100+ 100.58 грн
250+ 96.04 грн
500+ 85.01 грн
1000+ 72.68 грн
3000+ 68.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL140N6F7 en.DM00092175.pdf
STL140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 145A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.55 грн
10+ 130.52 грн
100+ 103.87 грн
500+ 82.49 грн
1000+ 69.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP140N6F7 stp140n6f7.pdf
STP140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 158W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.91 грн
9+ 92.6 грн
24+ 87.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP140N6F7 stp140n6f7.pdf
STP140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 158W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.35 грн
3+ 143.19 грн
9+ 111.12 грн
24+ 105.45 грн
250+ 101.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP140N6F7 13dm00175190.pdf
STP140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STP140N6F7 stp140n6f7-1851273.pdf
STP140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.49 грн
10+ 132.08 грн
100+ 90.85 грн
250+ 83.71 грн
500+ 75.92 грн
1000+ 64.89 грн
2000+ 62.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP140N6F7 en.DM00175190.pdf
STP140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+148.11 грн
50+ 114.76 грн
100+ 94.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
STEVAL-SPIN3201 en.DM00338893.pdf
STEVAL-SPIN3201
Виробник: STMicroelectronics
Description: EVAL BOARD FOR STSPIN32F0
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: STD140N6F7, STSPIN32F0
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Motors (BLDC)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4917.71 грн
STH140N6F7-2
Код товару: 132498		 STH140N6F7-2%2C6.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STP140N6F7
Код товару: 198556		 en.DM00175190.pdf
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
STD140N6F7 dm00257.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STF140N6F7 stf140n6f7.pdf
STF140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 60V; 50A; Idm: 280A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STF140N6F7 stf140n6f7.pdf
STF140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 60V; 50A; Idm: 280A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STF140N6F7 dm0017555.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
STF140N6F7 dm0017555.pdf
STF140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
STH140N6F7-2 STH140N6F7-2%2C6.pdf
STH140N6F7-2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товар відсутній
STH140N6F7-2 825261749557207dm00092184.pdf
STH140N6F7-2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товар відсутній
STH140N6F7-2 STH140N6F7-2%2C6.pdf
STH140N6F7-2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товар відсутній
STH140N6F7-6
STH140N6F7-6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товар відсутній
STH140N6F7-6
STH140N6F7-6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товар відсутній
STH140N6F7-6 825261749557207dm00092184.pdf
STH140N6F7-6
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
товар відсутній
STL140N6F7 stl140n6f7.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 107A; Idm: 560A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 107A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 125W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STL140N6F7 en.dm00092175.pdf
STL140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 140A 8-Pin Power Flat EP T/R
товар відсутній
STL140N6F7 en.dm00092175.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 140A 8-Pin Power Flat EP T/R
товар відсутній
STL140N6F7 en.DM00092175.pdf
STL140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 145A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товар відсутній
STP140N6F7 13dm00175190.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STL140N6F7 stl140n6f7.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 107A; Idm: 560A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 107A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 125W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній