Результат пошуку "15n120" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
HGT1S15N120C3 HGT1S15N120C3 Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 4004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+264.56 грн
Мінімальне замовлення: 75
HGT1S15N120C3S Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+264.56 грн
Мінімальне замовлення: 75
HGTG15N120C3 HGTG15N120C3 Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+284.31 грн
Мінімальне замовлення: 70
IGW15N120H3 IGW15N120H3 Infineon Technologies Infineon_IGW15N120H3_DS_v02_01_EN-3360244.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.32 грн
10+ 270.49 грн
25+ 198.31 грн
100+ 170.64 грн
240+ 166.69 грн
480+ 129.13 грн
1200+ 121.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW15N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.77 грн
3+ 249.13 грн
4+ 216.87 грн
11+ 205.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW15N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+364.52 грн
3+ 310.45 грн
4+ 260.25 грн
11+ 246.25 грн
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies 687ds_ig15n120h3_1_1_final.pdffileiddb3a304325305e6d012591b22bb86ffb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.69 грн
30+ 205.09 грн
120+ 175.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120E1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.61 грн
7+ 123.53 грн
18+ 116.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120E1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+213.75 грн
3+ 186.44 грн
7+ 148.24 грн
18+ 140.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW15N120E1_DataSheet_v02_01_EN-3362110.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 3324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.24 грн
10+ 173.51 грн
25+ 133.09 грн
100+ 113.32 грн
240+ 111.35 грн
480+ 100.8 грн
1200+ 85.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW15N120E1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156a2b608492129 Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 300µJ (off)
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.6 грн
30+ 136.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw15n120e1-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW15N120R3 IHW15N120R3 Infineon Technologies Infineon_IHW15N120R3_DS_v02_05_EN-3362413.pdf IGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.06 грн
10+ 189.42 грн
25+ 155.49 грн
100+ 133.09 грн
240+ 119.91 грн
480+ 117.93 грн
1200+ 100.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3 Infineon 30A; 1200V; 254W; IGBT w/ Diode IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+102.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120R3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.9 грн
3+ 203.15 грн
6+ 156.48 грн
14+ 147.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120R3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+292.68 грн
3+ 253.15 грн
6+ 187.77 грн
14+ 177.07 грн
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW15N120R3_DS_v02_05_EN-3362413.pdf IGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.31 грн
10+ 188.66 грн
25+ 144.29 грн
100+ 131.77 грн
240+ 100.8 грн
1200+ 95.53 грн
2640+ 94.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw15n120r3-ds-v02_05-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Infineon Technologies IHW15N120R3_Rev2_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304320d39d590121814cb068197b Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.96 грн
30+ 161.01 грн
120+ 138 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120BH6_DataSheet_v02_01_EN-3362341.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.83 грн
10+ 219.73 грн
25+ 156.15 грн
100+ 134.41 грн
240+ 133.75 грн
480+ 101.46 грн
1200+ 96.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw15n120cs7-datasheet-v01_00-en.pdf SP005419706
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120CS7XKSA1 IKW15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449081.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.62 грн
10+ 365.96 грн
25+ 276.06 грн
100+ 241.8 грн
240+ 235.21 грн
480+ 179.87 грн
1200+ 169.98 грн
IKW15N120CS7XKSA1 IKW15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97db2b905a6 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.88 грн
30+ 286.14 грн
IKW15N120H3 IKW15N120H3 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3361843.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+391.25 грн
10+ 324.29 грн
25+ 266.18 грн
100+ 227.96 грн
240+ 214.79 грн
480+ 202.27 грн
1200+ 172.62 грн
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.91 грн
30+ 274.61 грн
120+ 235.38 грн
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies ikw15n120h3_rev1_2g.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3361843.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+390.48 грн
10+ 323.53 грн
25+ 265.52 грн
100+ 227.3 грн
240+ 214.79 грн
480+ 202.27 грн
1200+ 172.62 грн
IKW15N120T2 IKW15N120T2 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120T2_DataSheet_v02_02_EN-3362490.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.51 грн
10+ 414.45 грн
25+ 234.55 грн
100+ 203.58 грн
240+ 179.21 грн
480+ 166.69 грн
1200+ 156.81 грн
IKW15N120T2 Infineon IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+310.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+410.2 грн
3+ 342.47 грн
4+ 263.54 грн
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+492.24 грн
3+ 426.76 грн
4+ 316.25 грн
9+ 298.95 грн
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw15n120t2-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRG8P15N120KD-EPBF IRG8P15N120KD-EPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRG8P15N120 - DISCRETE IGBT WITH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 8125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+221.78 грн
Мінімальне замовлення: 90
IRG8P15N120KDPBF IRG8P15N120KDPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 6634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+184.27 грн
Мінімальне замовлення: 108
MIW15N120FA-BP MIW15N120FA-BP Micro Commercial Components (MCC) MIW15N120FA_TO_247AB_-3044734.pdf IGBT Transistors
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.19 грн
10+ 219.73 грн
25+ 179.87 грн
100+ 154.17 грн
250+ 145.61 грн
500+ 137.04 грн
1000+ 117.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
MIW15N120FA-BP MIW15N120FA-BP Micro Commercial Co MIW15N120FA(TO-247AB).pdf Description: IGBT 1200V 15A,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AB
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/128ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.46 грн
10+ 197.38 грн
100+ 159.71 грн
500+ 133.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
NGTB15N120FL2WG NGTB15N120FL2WG onsemi ngtb15n120fl2w-d.pdf Description: IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.93 грн
NGTB15N120FL2WG onsemi NGTB15N120FL2W_D-2317897.pdf IGBT Transistors 1200V/15A VERY FAST IGBT
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.21 грн
10+ 385.66 грн
30+ 279.35 грн
120+ 257.61 грн
210+ 249.05 грн
420+ 200.29 грн
1050+ 188.43 грн
NGTB15N120FLWG NGTB15N120FLWG onsemi ngtb15n120flw-d.pdf Description: IGBT 1200V 15A TO247-3
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+146.1 грн
Мінімальне замовлення: 151
NGTB15N120IHRWG NGTB15N120IHRWG onsemi ngtb15n120ihr-d.pdf Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 340µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 21949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+132.93 грн
Мінімальне замовлення: 149
NGTB15N120LWG NGTB15N120LWG onsemi NGTB15N120LWG.pdf Description: IGBT 1200V 30A 156W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
на замовлення 6987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+102.67 грн
Мінімальне замовлення: 193
NGTG15N120FL2WG NGTG15N120FL2WG onsemi ngtg15n120fl2w-d.pdf Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+143.47 грн
Мінімальне замовлення: 138
RF15N120F500CT RF15N120F500CT Walsin Microwave_Caps-1535561.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
на замовлення 4359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+22.44 грн
22+ 14.4 грн
100+ 6.32 грн
1000+ 4.08 грн
2500+ 3.89 грн
10000+ 3.16 грн
20000+ 2.9 грн
Мінімальне замовлення: 14
RF15N120G500CT RF15N120G500CT Walsin Microwave_Caps-1535561.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF
на замовлення 4644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+11.61 грн
48+ 6.36 грн
100+ 3.16 грн
1000+ 2.04 грн
2500+ 1.71 грн
10000+ 1.38 грн
20000+ 1.25 грн
Мінімальне замовлення: 27
RF15N120J100CT RF15N120J100CT Walsin Microwave_Caps-1535561.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
на замовлення 13647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
38+8.3 грн
73+ 4.17 грн
143+ 1.84 грн
1000+ 1.19 грн
10000+ 1.12 грн
20000+ 0.92 грн
50000+ 0.86 грн
Мінімальне замовлення: 38
RF15N120J500CT RF15N120J500CT Walsin Microwave_Caps-1535561.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
на замовлення 6295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+9.15 грн
55+ 5.53 грн
106+ 2.5 грн
1000+ 1.58 грн
2500+ 1.52 грн
10000+ 1.19 грн
20000+ 1.12 грн
Мінімальне замовлення: 34
SGH15N120RUFDTU SGH15N120RUFDTU Fairchild Semiconductor FAIRS19572-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+205.33 грн
Мінімальне замовлення: 97
SGH15N120RUFTU SGH15N120RUFTU Fairchild Semiconductor FAIRS17744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+260.61 грн
Мінімальне замовлення: 76
TW015N120C,S1F TW015N120C,S1F Toshiba Toshiba_TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4825.64 грн
TW015N120C,S1F TW015N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4307.56 грн
30+ 3629.19 грн
Транзистор IGBT FGA15N120ANTDTU_F109 30A 1200V TO-3PN
на замовлення 22 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2+128.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
Транзистор IGBT IKW15N120H3 (K15H1203) 15A 1200V TO-247
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+241.18 грн
6MBI15N-120 FUJI MODULE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120ANDTU FAIRCHILD FGA15N120AND.pdf 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120ANFD
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120ANTD
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120ANTDTU-F109 ON Semiconductor fga15n120antdtu-d.pdf
на замовлення 34010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120ANTDTU_F109 FAIRCHILD
на замовлення 26730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HGT1S15N120C3 HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S15N120C3
Виробник: Harris Corporation
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 4004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+264.56 грн
Мінімальне замовлення: 75
HGT1S15N120C3S HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+264.56 грн
Мінімальне замовлення: 75
HGTG15N120C3 HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG15N120C3
Виробник: Harris Corporation
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+284.31 грн
Мінімальне замовлення: 70
IGW15N120H3 Infineon_IGW15N120H3_DS_v02_01_EN-3360244.pdf
IGW15N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+291.32 грн
10+ 270.49 грн
25+ 198.31 грн
100+ 170.64 грн
240+ 166.69 грн
480+ 129.13 грн
1200+ 121.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3-DTE.pdf
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+303.77 грн
3+ 249.13 грн
4+ 216.87 грн
11+ 205.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3-DTE.pdf
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+364.52 грн
3+ 310.45 грн
4+ 260.25 грн
11+ 246.25 грн
IGW15N120H3FKSA1 687ds_ig15n120h3_1_1_final.pdffileiddb3a304325305e6d012591b22bb86ffb.pdf
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGW15N120H3FKSA1 DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+268.69 грн
30+ 205.09 грн
120+ 175.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+149.61 грн
7+ 123.53 грн
18+ 116.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.75 грн
3+ 186.44 грн
7+ 148.24 грн
18+ 140.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120E1XKSA1 Infineon_IHW15N120E1_DataSheet_v02_01_EN-3362110.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 3324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.24 грн
10+ 173.51 грн
25+ 133.09 грн
100+ 113.32 грн
240+ 111.35 грн
480+ 100.8 грн
1200+ 85.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120E1XKSA1 Infineon-IHW15N120E1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156a2b608492129
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 300µJ (off)
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.6 грн
30+ 136.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120E1XKSA1 infineon-ihw15n120e1-datasheet-v02_01-en.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW15N120R3 Infineon_IHW15N120R3_DS_v02_05_EN-3362413.pdf
IHW15N120R3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+229.06 грн
10+ 189.42 грн
25+ 155.49 грн
100+ 133.09 грн
240+ 119.91 грн
480+ 117.93 грн
1200+ 100.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3
Виробник: Infineon
30A; 1200V; 254W; IGBT w/ Diode IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+102.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3.pdf
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+243.9 грн
3+ 203.15 грн
6+ 156.48 грн
14+ 147.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3.pdf
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+292.68 грн
3+ 253.15 грн
6+ 187.77 грн
14+ 177.07 грн
IHW15N120R3FKSA1 Infineon_IHW15N120R3_DS_v02_05_EN-3362413.pdf
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.31 грн
10+ 188.66 грн
25+ 144.29 грн
100+ 131.77 грн
240+ 100.8 грн
1200+ 95.53 грн
2640+ 94.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1 infineon-ihw15n120r3-ds-v02_05-en.pdf
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3_Rev2_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304320d39d590121814cb068197b
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.96 грн
30+ 161.01 грн
120+ 138 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120BH6XKSA1 Infineon_IKW15N120BH6_DataSheet_v02_01_EN-3362341.pdf
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+229.83 грн
10+ 219.73 грн
25+ 156.15 грн
100+ 134.41 грн
240+ 133.75 грн
480+ 101.46 грн
1200+ 96.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120CS7XKSA1 infineon-ikw15n120cs7-datasheet-v01_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SP005419706
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120CS7XKSA1 Infineon_IKW15N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449081.pdf
IKW15N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+406.62 грн
10+ 365.96 грн
25+ 276.06 грн
100+ 241.8 грн
240+ 235.21 грн
480+ 179.87 грн
1200+ 169.98 грн
IKW15N120CS7XKSA1 Infineon-IKW15N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97db2b905a6
IKW15N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+374.88 грн
30+ 286.14 грн
IKW15N120H3 Infineon_IKW15N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3361843.pdf
IKW15N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+391.25 грн
10+ 324.29 грн
25+ 266.18 грн
100+ 227.96 грн
240+ 214.79 грн
480+ 202.27 грн
1200+ 172.62 грн
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+359.91 грн
30+ 274.61 грн
120+ 235.38 грн
IKW15N120H3FKSA1 ikw15n120h3_rev1_2g.pdf
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120H3FKSA1 Infineon_IKW15N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3361843.pdf
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+390.48 грн
10+ 323.53 грн
25+ 265.52 грн
100+ 227.3 грн
240+ 214.79 грн
480+ 202.27 грн
1200+ 172.62 грн
IKW15N120T2 Infineon_IKW15N120T2_DataSheet_v02_02_EN-3362490.pdf
IKW15N120T2
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+453.51 грн
10+ 414.45 грн
25+ 234.55 грн
100+ 203.58 грн
240+ 179.21 грн
480+ 166.69 грн
1200+ 156.81 грн
IKW15N120T2
Виробник: Infineon
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+310.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd
IKW15N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+410.2 грн
3+ 342.47 грн
4+ 263.54 грн
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd
IKW15N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+492.24 грн
3+ 426.76 грн
4+ 316.25 грн
9+ 298.95 грн
IKW15N120T2FKSA1 infineon-ikw15n120t2-datasheet-v02_02-en.pdf
IKW15N120T2FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+165.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRG8P15N120KD-EPBF IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P15N120KD-EPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IRG8P15N120 - DISCRETE IGBT WITH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 8125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
90+221.78 грн
Мінімальне замовлення: 90
IRG8P15N120KDPBF IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P15N120KDPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 6634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
108+184.27 грн
Мінімальне замовлення: 108
MIW15N120FA-BP MIW15N120FA_TO_247AB_-3044734.pdf
MIW15N120FA-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
IGBT Transistors
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+265.19 грн
10+ 219.73 грн
25+ 179.87 грн
100+ 154.17 грн
250+ 145.61 грн
500+ 137.04 грн
1000+ 117.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
MIW15N120FA-BP MIW15N120FA(TO-247AB).pdf
MIW15N120FA-BP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: IGBT 1200V 15A,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AB
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/128ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+244.46 грн
10+ 197.38 грн
100+ 159.71 грн
500+ 133.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
NGTB15N120FL2WG ngtb15n120fl2w-d.pdf
NGTB15N120FL2WG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+416.93 грн
NGTB15N120FL2WG NGTB15N120FL2W_D-2317897.pdf
Виробник: onsemi
IGBT Transistors 1200V/15A VERY FAST IGBT
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+441.21 грн
10+ 385.66 грн
30+ 279.35 грн
120+ 257.61 грн
210+ 249.05 грн
420+ 200.29 грн
1050+ 188.43 грн
NGTB15N120FLWG ngtb15n120flw-d.pdf
NGTB15N120FLWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 1200V 15A TO247-3
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
151+146.1 грн
Мінімальне замовлення: 151
NGTB15N120IHRWG ngtb15n120ihr-d.pdf
NGTB15N120IHRWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 340µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 21949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
149+132.93 грн
Мінімальне замовлення: 149
NGTB15N120LWG NGTB15N120LWG.pdf
NGTB15N120LWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 1200V 30A 156W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
на замовлення 6987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
193+102.67 грн
Мінімальне замовлення: 193
NGTG15N120FL2WG ngtg15n120fl2w-d.pdf
NGTG15N120FL2WG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
138+143.47 грн
Мінімальне замовлення: 138
RF15N120F500CT Microwave_Caps-1535561.pdf
RF15N120F500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
на замовлення 4359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.44 грн
22+ 14.4 грн
100+ 6.32 грн
1000+ 4.08 грн
2500+ 3.89 грн
10000+ 3.16 грн
20000+ 2.9 грн
Мінімальне замовлення: 14
RF15N120G500CT Microwave_Caps-1535561.pdf
RF15N120G500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF
на замовлення 4644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+11.61 грн
48+ 6.36 грн
100+ 3.16 грн
1000+ 2.04 грн
2500+ 1.71 грн
10000+ 1.38 грн
20000+ 1.25 грн
Мінімальне замовлення: 27
RF15N120J100CT Microwave_Caps-1535561.pdf
RF15N120J100CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
на замовлення 13647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
38+8.3 грн
73+ 4.17 грн
143+ 1.84 грн
1000+ 1.19 грн
10000+ 1.12 грн
20000+ 0.92 грн
50000+ 0.86 грн
Мінімальне замовлення: 38
RF15N120J500CT Microwave_Caps-1535561.pdf
RF15N120J500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
на замовлення 6295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+9.15 грн
55+ 5.53 грн
106+ 2.5 грн
1000+ 1.58 грн
2500+ 1.52 грн
10000+ 1.19 грн
20000+ 1.12 грн
Мінімальне замовлення: 34
SGH15N120RUFDTU FAIRS19572-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGH15N120RUFDTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
97+205.33 грн
Мінімальне замовлення: 97
SGH15N120RUFTU FAIRS17744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGH15N120RUFTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
76+260.61 грн
Мінімальне замовлення: 76
TW015N120C,S1F Toshiba_TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf
TW015N120C,S1F
Виробник: Toshiba
MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4825.64 грн
TW015N120C,S1F TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C
TW015N120C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4307.56 грн
30+ 3629.19 грн
Транзистор IGBT FGA15N120ANTDTU_F109 30A 1200V TO-3PN
на замовлення 22 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+128.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
Транзистор IGBT IKW15N120H3 (K15H1203) 15A 1200V TO-247
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+241.18 грн
6MBI15N-120
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120ANDTU FGA15N120AND.pdf
Виробник: FAIRCHILD
09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120ANFD
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120ANTD
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120ANTDTU-F109 fga15n120antdtu-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 34010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120ANTDTU_F109
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 26730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]