Результат пошуку "15n6" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 24
Мінімальне замовлення: 38
Мінімальне замовлення: 27
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 67
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 38
Мінімальне замовлення: 38
Мінімальне замовлення: 38
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
680pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N681J1HL2-L-Hitano) Код товару: 104127 |
Hitano |
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори Ємність: 680 pF Номін.напруга: 50 V ТКЕ: NP0 Точність: ±5% J Крок: 2,54 mm Part Number: R15N681J1HL2-L |
у наявності: 1910 шт
|
|
|||||||||||||||
68pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N680J1HL2-L-Hitano) Код товару: 199263 |
Hitano |
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори Ємність: 68 pF Номін.напруга: 50 V ТКЕ: NP0 Точність: ±5% J Крок: 2,54 mm |
очікується:
5000 шт
|
||||||||||||||||
15N60 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
15N60C3 |
на замовлення 7596 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
A8L-11-15N6 | Omron Electronics | Rocker Switches 10A 250VAC SPST, QC |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
A8L-21-15N6 | Omron Electronics | Rocker Switches Rocker Switch |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AIGB15N65F5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AIKB15N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AIKB15N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EVALIKA15N65ET6TOBO1 | Infineon Technologies | Power Management IC Development Tools |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF15N65 | onsemi / Fairchild | MOSFET 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH |
на замовлення 2787 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGB15N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A |
на замовлення 1252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGB15N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGB15N65S5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGD15N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 2702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP15N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A |
на замовлення 9038 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKA15N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A |
на замовлення 393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKA15N60TXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A |
на замовлення 1230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKA15N65ET6XKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 11A Power dissipation: 22W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 57.5A Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of package: tube Manufacturer series: T6 Turn-on time: 50ns Turn-off time: 202ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IKA15N65ET6XKSA2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKA15N65ET6XKSA2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 17A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 6486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKA15N65F5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT |
на замовлення 310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKA15N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKA15N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKB15N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A |
на замовлення 1463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKB15N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 23A Power dissipation: 130W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 28ns Turn-off time: 238ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKB15N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 23A Power dissipation: 130W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 28ns Turn-off time: 238ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 848 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKB15N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD15N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 250W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 26ns Turn-off time: 319ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 2061 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD15N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 250W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 26ns Turn-off time: 319ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2061 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD15N60RATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A |
на замовлення 10268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD15N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD15N60RF | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC |
на замовлення 1770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP15N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP15N60TXKSA1 | Infineon |
30A; 600V; 130W; IGBT w/ Diode IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP15N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP15N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXYA15N65C3D1 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 15A Power dissipation: 200W Case: TO263 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: tube Turn-on time: 36ns Turn-off time: 102ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 280 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MG15N680J500CT | WALSIN |
Category: MLCC SMD capacitors Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 68pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402 Mounting: SMD Operating temperature: -55...125°C Type of capacitor: ceramic Tolerance: ±5% Dielectric: C0G (NP0) Capacitance: 68pF Kind of capacitor: MLCC Operating voltage: 50V Case - mm: 1005 Case - inch: 0402 |
на замовлення 9900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MG15N680J500CT | WALSIN |
Category: MLCC SMD capacitors Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 68pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402 Mounting: SMD Operating temperature: -55...125°C Type of capacitor: ceramic Tolerance: ±5% Dielectric: C0G (NP0) Capacitance: 68pF Kind of capacitor: MLCC Operating voltage: 50V Case - mm: 1005 Case - inch: 0402 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 9900 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MPEB-15N/630 | SR PASSIVES | MPEB-15N/630 THT Film Capacitors |
на замовлення 3730 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MT15N6R8B500CT | Walsin | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 6.8pF 10% 25V AEC-Q200 |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RF15N620J500CT | Walsin | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 62pF 5% 50V |
на замовлення 1810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RF15N6R0B500CT | Walsin | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 6.0pF +-0.1pF 50V |
на замовлення 3877 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RF15N6R2B500CT | Walsin | Конденсатор керамический C-0402 6,2 пФ ±0,1 пФ 50 В C0G (NP0) RF Microwave / High Q |
на замовлення 500 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RF15N6R2B500CT | Walsin | Конденсатор керамічний C-0603 6,2 пФ ±0,25 пФ 50 В C0G (NP0) |
на замовлення 3900 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RF15N6R2B500CT | Walsin | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 6.2pF +-0.1pF 50V |
на замовлення 13075 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RF15N6R2C500CT | Walsin | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 6.2 pF, +/- 0.25pF 50 V T&R RF |
на замовлення 9900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RF15N6R8B500CT | Walsin | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 6.8pF +-0.1% 50V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHA15N60E-E3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.6A Pulsed drain current: 39A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 485 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHA15N60E-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
на замовлення 697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHA15N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 600V |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHB15N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHF15N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
на замовлення 1036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHG15N60E-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.6A Pulsed drain current: 39A Power dissipation: 180W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 228 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHG15N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP15N60E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 600V |
на замовлення 1904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP15N60E-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 2832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP15N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP15N65E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
680pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N681J1HL2-L-Hitano) Код товару: 104127 |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 680 pF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: NP0
Точність: ±5% J
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15N681J1HL2-L
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 680 pF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: NP0
Точність: ±5% J
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15N681J1HL2-L
у наявності: 1910 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 2.6 грн |
100+ | 2.2 грн |
1000+ | 1.9 грн |
68pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N680J1HL2-L-Hitano) Код товару: 199263 |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 68 pF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: NP0
Точність: ±5% J
Крок: 2,54 mm
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 68 pF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: NP0
Точність: ±5% J
Крок: 2,54 mm
очікується:
5000 шт
A8L-11-15N6 |
Виробник: Omron Electronics
Rocker Switches 10A 250VAC SPST, QC
Rocker Switches 10A 250VAC SPST, QC
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 279.79 грн |
10+ | 247 грн |
100+ | 185.8 грн |
300+ | 177.23 грн |
600+ | 162.74 грн |
1200+ | 155.49 грн |
2700+ | 153.51 грн |
A8L-21-15N6 |
Виробник: Omron Electronics
Rocker Switches Rocker Switch
Rocker Switches Rocker Switch
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 261.34 грн |
10+ | 231.09 грн |
100+ | 162.74 грн |
300+ | 137.7 грн |
1200+ | 123.86 грн |
2700+ | 121.23 грн |
5100+ | 119.91 грн |
AIGB15N65F5ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 208.31 грн |
10+ | 172.75 грн |
25+ | 148.9 грн |
100+ | 121.23 грн |
250+ | 120.57 грн |
500+ | 108.05 грн |
1000+ | 92.24 грн |
AIKB15N65DF5ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 261.34 грн |
10+ | 216.7 грн |
25+ | 187.11 грн |
100+ | 152.85 грн |
250+ | 151.54 грн |
500+ | 135.72 грн |
1000+ | 115.96 грн |
AIKB15N65DH5ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 261.34 грн |
10+ | 216.7 грн |
25+ | 187.11 грн |
100+ | 152.85 грн |
250+ | 151.54 грн |
500+ | 135.72 грн |
1000+ | 115.96 грн |
EVALIKA15N65ET6TOBO1 |
Виробник: Infineon Technologies
Power Management IC Development Tools
Power Management IC Development Tools
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 7318.41 грн |
FDPF15N65 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
MOSFET 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 192.16 грн |
10+ | 173.51 грн |
50+ | 119.91 грн |
100+ | 105.42 грн |
250+ | 104.1 грн |
500+ | 101.46 грн |
1000+ | 82.36 грн |
IGB15N60T |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 136.05 грн |
10+ | 111.38 грн |
100+ | 77.09 грн |
250+ | 71.16 грн |
500+ | 64.96 грн |
1000+ | 55.15 грн |
2000+ | 52.38 грн |
IGB15N60TATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 136.05 грн |
10+ | 111.38 грн |
100+ | 77.09 грн |
250+ | 74.45 грн |
500+ | 64.96 грн |
1000+ | 55.15 грн |
2000+ | 52.38 грн |
IGB15N65S5ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 137.59 грн |
10+ | 113.65 грн |
100+ | 78.4 грн |
250+ | 74.45 грн |
500+ | 65.56 грн |
1000+ | 56.13 грн |
2000+ | 53.3 грн |
IGD15N65T6ARMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 153.73 грн |
10+ | 121.99 грн |
100+ | 87.63 грн |
250+ | 83.02 грн |
500+ | 73.79 грн |
1000+ | 64.7 грн |
IGP15N60T |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 9038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 123.75 грн |
10+ | 80.31 грн |
100+ | 61.27 грн |
250+ | 59.96 грн |
500+ | 54.88 грн |
1000+ | 48.56 грн |
2500+ | 47.9 грн |
IKA15N60T |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 147.58 грн |
10+ | 120.47 грн |
100+ | 83.02 грн |
250+ | 77.09 грн |
500+ | 69.18 грн |
1000+ | 60.42 грн |
IKA15N60TXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 150.66 грн |
10+ | 118.96 грн |
100+ | 84.99 грн |
500+ | 72.47 грн |
1000+ | 59.76 грн |
2500+ | 56.73 грн |
5000+ | 55.01 грн |
IKA15N65ET6XKSA2 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 11A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 57.5A
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 202ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 11A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 57.5A
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 202ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKA15N65ET6XKSA2 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 168.34 грн |
10+ | 137.9 грн |
100+ | 96.19 грн |
250+ | 92.24 грн |
500+ | 77.09 грн |
1000+ | 68.52 грн |
IKA15N65ET6XKSA2 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 17A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 17A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 6486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 42.05 грн |
IKA15N65F5 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
IGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 166.03 грн |
10+ | 135.62 грн |
100+ | 94.22 грн |
250+ | 89.6 грн |
500+ | 75.11 грн |
1000+ | 67.2 грн |
2500+ | 63.71 грн |
IKA15N65F5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 166.03 грн |
10+ | 131.84 грн |
100+ | 94.22 грн |
250+ | 90.26 грн |
500+ | 79.06 грн |
1000+ | 63.71 грн |
5000+ | 62 грн |
IKA15N65H5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 166.03 грн |
10+ | 131.84 грн |
100+ | 96.19 грн |
500+ | 78.4 грн |
1000+ | 63.71 грн |
5000+ | 62 грн |
IKB15N60T |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 167.57 грн |
10+ | 132.59 грн |
100+ | 94.87 грн |
250+ | 87.63 грн |
500+ | 79.72 грн |
1000+ | 67.2 грн |
2000+ | 64.37 грн |
IKB15N60TATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 23A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 23A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 189.21 грн |
5+ | 157.85 грн |
7+ | 124.22 грн |
18+ | 117.36 грн |
IKB15N60TATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 23A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 23A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 848 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 227.05 грн |
5+ | 196.71 грн |
7+ | 149.07 грн |
18+ | 140.83 грн |
IKB15N65EH5ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 209.08 грн |
10+ | 171.99 грн |
100+ | 118.59 грн |
250+ | 109.37 грн |
500+ | 100.15 грн |
1000+ | 84.99 грн |
2000+ | 81.04 грн |
IKD15N60RATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 105.69 грн |
5+ | 88.53 грн |
11+ | 73.43 грн |
30+ | 69.32 грн |
500+ | 67.26 грн |
IKD15N60RATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 126.83 грн |
5+ | 110.33 грн |
11+ | 88.12 грн |
30+ | 83.18 грн |
500+ | 80.71 грн |
IKD15N60RATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A
на замовлення 10268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 118.37 грн |
10+ | 96.98 грн |
100+ | 67.2 грн |
250+ | 64.96 грн |
500+ | 56.46 грн |
1000+ | 48.36 грн |
2500+ | 45.92 грн |
IKD15N60RC2ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 99.16 грн |
10+ | 79.56 грн |
100+ | 55.94 грн |
500+ | 49.28 грн |
1000+ | 41.38 грн |
2500+ | 38.94 грн |
5000+ | 37.09 грн |
IKD15N60RF |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 132.98 грн |
10+ | 109.11 грн |
100+ | 75.11 грн |
250+ | 69.84 грн |
500+ | 63.12 грн |
1000+ | 54.36 грн |
2500+ | 51.65 грн |
IKP15N60TXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 124.17 грн |
5+ | 99.51 грн |
11+ | 77.55 грн |
29+ | 73.43 грн |
IKP15N60TXKSA1 |
Виробник: Infineon
30A; 600V; 130W; IGBT w/ Diode IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 5 шт
30A; 600V; 130W; IGBT w/ Diode IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 85.34 грн |
IKP15N65F5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 185.25 грн |
10+ | 148.51 грн |
100+ | 104.76 грн |
500+ | 85.65 грн |
1000+ | 69.84 грн |
2500+ | 69.18 грн |
5000+ | 67.86 грн |
IKP15N65H5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 185.25 грн |
10+ | 148.51 грн |
100+ | 104.76 грн |
500+ | 84.99 грн |
1000+ | 69.84 грн |
2500+ | 69.18 грн |
5000+ | 67.86 грн |
IXYA15N65C3D1 |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 209.31 грн |
3+ | 182.17 грн |
7+ | 139.18 грн |
19+ | 131.77 грн |
MG15N680J500CT |
Виробник: WALSIN
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 68pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Type of capacitor: ceramic
Tolerance: ±5%
Dielectric: C0G (NP0)
Capacitance: 68pF
Kind of capacitor: MLCC
Operating voltage: 50V
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 68pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Type of capacitor: ceramic
Tolerance: ±5%
Dielectric: C0G (NP0)
Capacitance: 68pF
Kind of capacitor: MLCC
Operating voltage: 50V
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 0.52 грн |
2000+ | 0.18 грн |
5000+ | 0.15 грн |
6300+ | 0.13 грн |
MG15N680J500CT |
Виробник: WALSIN
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 68pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Type of capacitor: ceramic
Tolerance: ±5%
Dielectric: C0G (NP0)
Capacitance: 68pF
Kind of capacitor: MLCC
Operating voltage: 50V
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
кількість в упаковці: 100 шт
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 68pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Type of capacitor: ceramic
Tolerance: ±5%
Dielectric: C0G (NP0)
Capacitance: 68pF
Kind of capacitor: MLCC
Operating voltage: 50V
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 0.62 грн |
1200+ | 0.22 грн |
5000+ | 0.18 грн |
6300+ | 0.15 грн |
17200+ | 0.14 грн |
MPEB-15N/630 |
Виробник: SR PASSIVES
MPEB-15N/630 THT Film Capacitors
MPEB-15N/630 THT Film Capacitors
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 11.56 грн |
131+ | 7.38 грн |
358+ | 6.98 грн |
MT15N6R8B500CT |
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 6.8pF 10% 25V AEC-Q200
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 6.8pF 10% 25V AEC-Q200
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
38+ | 8.3 грн |
60+ | 5.08 грн |
122+ | 2.17 грн |
1000+ | 1.45 грн |
2500+ | 1.38 грн |
10000+ | 1.05 грн |
20000+ | 0.99 грн |
RF15N620J500CT |
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 62pF 5% 50V
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 62pF 5% 50V
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27+ | 11.61 грн |
41+ | 7.43 грн |
100+ | 3.29 грн |
1000+ | 2.11 грн |
2500+ | 1.98 грн |
10000+ | 1.58 грн |
20000+ | 1.52 грн |
RF15N6R0B500CT |
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 6.0pF +-0.1pF 50V
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 6.0pF +-0.1pF 50V
на замовлення 3877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 12.45 грн |
39+ | 7.96 грн |
100+ | 3.56 грн |
1000+ | 2.31 грн |
2500+ | 2.11 грн |
10000+ | 1.71 грн |
20000+ | 1.65 грн |
RF15N6R2B500CT |
Виробник: Walsin
Конденсатор керамический C-0402 6,2 пФ ±0,1 пФ 50 В C0G (NP0) RF Microwave / High Q
Конденсатор керамический C-0402 6,2 пФ ±0,1 пФ 50 В C0G (NP0) RF Microwave / High Q
на замовлення 500 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
67+ | 4.17 грн |
77+ | 3.35 грн |
RF15N6R2B500CT |
Виробник: Walsin
Конденсатор керамічний C-0603 6,2 пФ ±0,25 пФ 50 В C0G (NP0)
Конденсатор керамічний C-0603 6,2 пФ ±0,25 пФ 50 В C0G (NP0)
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 0.56 грн |
556+ | 0.46 грн |
RF15N6R2B500CT |
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 6.2pF +-0.1pF 50V
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 6.2pF +-0.1pF 50V
на замовлення 13075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
38+ | 8.3 грн |
109+ | 2.8 грн |
223+ | 1.19 грн |
1000+ | 0.79 грн |
10000+ | 0.72 грн |
20000+ | 0.59 грн |
100000+ | 0.53 грн |
RF15N6R2C500CT |
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 6.2 pF, +/- 0.25pF 50 V T&R RF
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 6.2 pF, +/- 0.25pF 50 V T&R RF
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
38+ | 8.3 грн |
122+ | 2.5 грн |
236+ | 1.12 грн |
1000+ | 0.72 грн |
10000+ | 0.53 грн |
100000+ | 0.4 грн |
RF15N6R8B500CT |
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 6.8pF +-0.1% 50V
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 6.8pF +-0.1% 50V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
38+ | 8.3 грн |
64+ | 4.77 грн |
130+ | 2.04 грн |
1000+ | 1.25 грн |
10000+ | 0.99 грн |
20000+ | 0.92 грн |
100000+ | 0.79 грн |
SIHA15N60E-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 211.97 грн |
5+ | 184.73 грн |
7+ | 135.89 грн |
20+ | 128.48 грн |
SIHA15N60E-E3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 210.61 грн |
10+ | 172.75 грн |
100+ | 119.25 грн |
250+ | 110.03 грн |
500+ | 100.8 грн |
1000+ | 84.99 грн |
2000+ | 80.38 грн |
SIHA15N60E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 210.61 грн |
10+ | 172.75 грн |
100+ | 119.25 грн |
250+ | 110.03 грн |
500+ | 103.44 грн |
1000+ | 87.63 грн |
2000+ | 86.31 грн |
SIHB15N60E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 214.46 грн |
10+ | 177.3 грн |
25+ | 145.61 грн |
100+ | 125.18 грн |
250+ | 117.93 грн |
500+ | 110.69 грн |
1000+ | 92.24 грн |
SIHF15N60E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 212.15 грн |
10+ | 176.54 грн |
25+ | 126.5 грн |
100+ | 112 грн |
250+ | 109.37 грн |
500+ | 102.78 грн |
1000+ | 90.26 грн |
SIHG15N60E-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 228 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 292.68 грн |
5+ | 253.15 грн |
6+ | 186.95 грн |
14+ | 176.24 грн |
SIHG15N60E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 229.06 грн |
10+ | 189.42 грн |
100+ | 133.09 грн |
500+ | 117.93 грн |
SIHP15N60E-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 202.93 грн |
10+ | 168.2 грн |
25+ | 137.7 грн |
100+ | 117.93 грн |
250+ | 111.35 грн |
500+ | 105.42 грн |
1000+ | 89.6 грн |
SIHP15N60E-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 114.53 грн |
10+ | 100.77 грн |
25+ | 84.33 грн |
SIHP15N60E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 142.2 грн |
10+ | 122.74 грн |
25+ | 89.6 грн |
100+ | 88.94 грн |
SIHP15N65E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 231.37 грн |
10+ | 191.69 грн |
50+ | 156.81 грн |
100+ | 134.41 грн |
250+ | 127.16 грн |
500+ | 119.25 грн |
1000+ | 98.17 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]