Результат пошуку "160n04" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
160N04S2-03 infineon
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G160N04K G160N04K Goford Semiconductor GOFORD-G160N04K.pdf Description: N40V, 25A,RD<15M@10V,VTH1.0V~2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
G160N04K G160N04K Goford Semiconductor GOFORD-G160N04K.pdf Description: N40V, 25A,RD<15M@10V,VTH1.0V~2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 20 V
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+31.99 грн
11+ 26.29 грн
100+ 18.26 грн
500+ 13.38 грн
1000+ 10.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
G160N04K G160N04K Goford Semiconductor GOFORD-G160N04K.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPB160N04S203ATMA4 IPB160N04S203ATMA4 Infineon Technologies Infineon_IPB160N04S2_03_DS_v01_00_en-1731721.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.39 грн
10+ 251.67 грн
25+ 208.99 грн
100+ 177.44 грн
250+ 167.58 грн
500+ 157.07 грн
1000+ 134.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB160N04S203ATMA4 IPB160N04S203ATMA4 Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S2_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b97434564&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.1 грн
10+ 226.73 грн
100+ 183.44 грн
500+ 153.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB160N04S2L03ATMA2 IPB160N04S2L03ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S2L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b99f14568 Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPB160N04S2L03ATMA2 IPB160N04S2L03ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S2L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b99f14568 Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+256.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB160N04S3H2ATMA1 IPB160N04S3H2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S3_H2-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b8da04548&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+141.79 грн
Мінімальне замовлення: 139
IPB160N04S4-H1 IPB160N04S4-H1 Infineon Technologies Infineon_IPB160N04S4_H1_DS_v01_00_en-1226981.pdf MOSFET N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.65 грн
10+ 185.92 грн
25+ 153.13 грн
100+ 130.78 грн
250+ 123.55 грн
500+ 116.98 грн
1000+ 99.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB160N04S4H1ATMA1 IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB160N04S4_H1_DS_v01_00_en-1226981.pdf MOSFET N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.92 грн
10+ 176.85 грн
25+ 152.47 грн
100+ 124.87 грн
250+ 122.89 грн
500+ 110.41 грн
1000+ 93.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB160N04S4H1ATMA1 IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10920 pF @ 25 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.87 грн
10+ 167.1 грн
100+ 135.15 грн
500+ 112.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB160N04S4LH1ATMA1 IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S4LH110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f0ac006489 Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+106.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB160N04S4LH1ATMA1 IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB160N04S4LH110_DS_v01_00_en-1731637.pdf MOSFET N-CHANNEL 30/40V
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.92 грн
10+ 176.85 грн
25+ 152.47 грн
100+ 124.87 грн
250+ 122.89 грн
500+ 110.41 грн
1000+ 93.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB160N04S4LH1ATMA1 IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S4LH110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f0ac006489 Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.87 грн
10+ 167.1 грн
100+ 135.15 грн
500+ 112.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA160N04T2 IXTA160N04T2 IXYS IXTA(P)160N04T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.91 грн
3+ 185.52 грн
6+ 148.55 грн
10+ 147.87 грн
15+ 140.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA160N04T2 IXTA160N04T2 IXYS IXTA(P)160N04T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+266.29 грн
3+ 231.19 грн
6+ 178.26 грн
10+ 177.44 грн
15+ 168.41 грн
IXTA160N04T2 IXTA160N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_160n04t2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.41 грн
10+ 222.08 грн
100+ 179.67 грн
500+ 149.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA160N04T2 IXTA160N04T2 IXYS media-3322466.pdf MOSFET 160Amps 40V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.02 грн
10+ 258.47 грн
50+ 190.59 грн
100+ 173.5 грн
250+ 153.13 грн
500+ 147.87 грн
1000+ 142.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
MCB160N04Y-TP MCB160N04Y-TP Micro Commercial Co Description: N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+64.77 грн
Мінімальне замовлення: 800
MCB160N04Y-TP MCB160N04Y-TP Micro Commercial Co Description: N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 25 V
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.88 грн
10+ 92.62 грн
100+ 73.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
RBA160N04AHPF-4UA01#GB0 RBA160N04AHPF-4UA01#GB0 Renesas Electronics Corporation rba160n04ahpf-4ua01-40v-160a-n-channel-power-mosfet-application-automotive Description: POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS MP-25L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+171.11 грн
1600+ 141.09 грн
2400+ 132.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
RBA160N04AHPF-4UA01#GB0 RBA160N04AHPF-4UA01#GB0 Renesas Electronics REN_r07ds1344ej0200_rba160n04ahpf_4ua01_DST_202007-3215211.pdf MOSFET POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS MP-25LZU
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+308.22 грн
10+ 255.45 грн
25+ 214.9 грн
100+ 179.41 грн
250+ 174.16 грн
500+ 159.7 грн
800+ 128.15 грн
RBA160N04AHPF-4UA01#GB0 RBA160N04AHPF-4UA01#GB0 Renesas Electronics Corporation rba160n04ahpf-4ua01-40v-160a-n-channel-power-mosfet-application-automotive Description: POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS MP-25L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.65 грн
10+ 229.13 грн
100+ 185.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB160N04S2-03 SPB160N04S2-03 Infineon Technologies spb160n04s2-03_1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 160A, 40V N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7320 pF @ 25 V
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+152.95 грн
Мінімальне замовлення: 129
GLT4160N04P-100TC G-LINK 2003
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GLT4160N04P-100TC GL 03+
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GLT4160N04P-100TC318 TSOP24
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB160N04S2-03 INF 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB160N04S2-03 infineon 07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB160N04S2-03 infineon to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB160N04S2K-03 infineon 07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB160N04S2K-03 infineon to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB160N04S2L03ATMA2 Infineon Infineon-IPB160N04S2L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b99f14568
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon Infineon-IPB160N04S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&ack=t
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP160N04TDG NEC 08+
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP160N04TDG NEC 08+
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP160N04TDG-E1
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP160N04TUG-E1
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PE160N04 INFINEON
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PE16DN114(PE160N04
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PE16DN114(PE160N04)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB160N04S2-03 INF spb160n04s2-03_1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB160N04S2-03 INFINEON spb160n04s2-03_1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB160N04S2-03 INFINEON spb160n04s2-03_1.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB160N04S2L-03 INFINEON 07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB160N04S2L-03 INFINEON TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB160N04S2L-03 INF 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB160N04S4H1ATMA1 (IPB160N04S4-H1)
Код товару: 166065 		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPB160N04S203ATMA1 IPB160N04S203ATMA1 Infineon Technologies ipb160n04s2-03_green.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB160N04S203ATMA1 IPB160N04S203ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S2_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b97434564&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товар відсутній
IPB160N04S203ATMA4 IPB160N04S203ATMA4 Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S2_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b97434564&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товар відсутній
IPB160N04S203ATMA4 IPB160N04S203ATMA4 Infineon Technologies ipb160n04s2-03_green.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB160N04S2L03ATMA1 IPB160N04S2L03ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S2L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b99f14568 Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
товар відсутній
IPB160N04S2L03ATMA1 IPB160N04S2L03ATMA1 Infineon Technologies ipb160n04s2l-03_green.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB160N04S2L03ATMA2 IPB160N04S2L03ATMA2 Infineon Technologies ipb160n04s2l-03_green.pdf OptiMOS - T Power-Transistor
товар відсутній
IPB160N04S2L03ATMA2 IPB160N04S2L03ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPB160N04S2L_03_DS_v01_00_en-1534418.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
товар відсутній
IPB160N04S3H2ATMA1 IPB160N04S3H2ATMA1 Infineon Technologies ipb160n04s3-h2_ds_1_1.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB160N04S3H2ATMA1 IPB160N04S3H2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S3_H2-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b8da04548&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
товар відсутній
IPB160N04S3H2ATMA1 IPB160N04S3H2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S3_H2-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b8da04548&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
товар відсутній
160N04S2-03
Виробник: infineon
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G160N04K GOFORD-G160N04K.pdf
G160N04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V, 25A,RD<15M@10V,VTH1.0V~2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
G160N04K GOFORD-G160N04K.pdf
G160N04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V, 25A,RD<15M@10V,VTH1.0V~2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 20 V
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+31.99 грн
11+ 26.29 грн
100+ 18.26 грн
500+ 13.38 грн
1000+ 10.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
G160N04K GOFORD-G160N04K.pdf
G160N04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPB160N04S203ATMA4 Infineon_IPB160N04S2_03_DS_v01_00_en-1731721.pdf
IPB160N04S203ATMA4
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+304.39 грн
10+ 251.67 грн
25+ 208.99 грн
100+ 177.44 грн
250+ 167.58 грн
500+ 157.07 грн
1000+ 134.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB160N04S203ATMA4 Infineon-IPB160N04S2_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b97434564&ack=t
IPB160N04S203ATMA4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+280.1 грн
10+ 226.73 грн
100+ 183.44 грн
500+ 153.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB160N04S2L03ATMA2 Infineon-IPB160N04S2L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b99f14568
IPB160N04S2L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPB160N04S2L03ATMA2 Infineon-IPB160N04S2L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b99f14568
IPB160N04S2L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+256.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB160N04S3H2ATMA1 Infineon-IPB160N04S3_H2-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b8da04548&ack=t
IPB160N04S3H2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
139+141.79 грн
Мінімальне замовлення: 139
IPB160N04S4-H1 Infineon_IPB160N04S4_H1_DS_v01_00_en-1226981.pdf
IPB160N04S4-H1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+224.65 грн
10+ 185.92 грн
25+ 153.13 грн
100+ 130.78 грн
250+ 123.55 грн
500+ 116.98 грн
1000+ 99.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon_IPB160N04S4_H1_DS_v01_00_en-1226981.pdf
IPB160N04S4H1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.92 грн
10+ 176.85 грн
25+ 152.47 грн
100+ 124.87 грн
250+ 122.89 грн
500+ 110.41 грн
1000+ 93.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon-IPB160N04S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&ack=t
IPB160N04S4H1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10920 pF @ 25 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.87 грн
10+ 167.1 грн
100+ 135.15 грн
500+ 112.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon-IPB160N04S4LH110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f0ac006489
IPB160N04S4LH1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+106.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon_IPB160N04S4LH110_DS_v01_00_en-1731637.pdf
IPB160N04S4LH1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL 30/40V
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.92 грн
10+ 176.85 грн
25+ 152.47 грн
100+ 124.87 грн
250+ 122.89 грн
500+ 110.41 грн
1000+ 93.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon-IPB160N04S4LH110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f0ac006489
IPB160N04S4LH1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.87 грн
10+ 167.1 грн
100+ 135.15 грн
500+ 112.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA160N04T2 IXTA(P)160N04T2.pdf
IXTA160N04T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+221.91 грн
3+ 185.52 грн
6+ 148.55 грн
10+ 147.87 грн
15+ 140.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA160N04T2 IXTA(P)160N04T2.pdf
IXTA160N04T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+266.29 грн
3+ 231.19 грн
6+ 178.26 грн
10+ 177.44 грн
15+ 168.41 грн
IXTA160N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_160n04t2_datasheet.pdf.pdf
IXTA160N04T2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+274.41 грн
10+ 222.08 грн
100+ 179.67 грн
500+ 149.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA160N04T2 media-3322466.pdf
IXTA160N04T2
Виробник: IXYS
MOSFET 160Amps 40V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+299.02 грн
10+ 258.47 грн
50+ 190.59 грн
100+ 173.5 грн
250+ 153.13 грн
500+ 147.87 грн
1000+ 142.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
MCB160N04Y-TP
MCB160N04Y-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+64.77 грн
Мінімальне замовлення: 800
MCB160N04Y-TP
MCB160N04Y-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 25 V
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.88 грн
10+ 92.62 грн
100+ 73.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
RBA160N04AHPF-4UA01#GB0 rba160n04ahpf-4ua01-40v-160a-n-channel-power-mosfet-application-automotive
RBA160N04AHPF-4UA01#GB0
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS MP-25L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+171.11 грн
1600+ 141.09 грн
2400+ 132.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
RBA160N04AHPF-4UA01#GB0 REN_r07ds1344ej0200_rba160n04ahpf_4ua01_DST_202007-3215211.pdf
RBA160N04AHPF-4UA01#GB0
Виробник: Renesas Electronics
MOSFET POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS MP-25LZU
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+308.22 грн
10+ 255.45 грн
25+ 214.9 грн
100+ 179.41 грн
250+ 174.16 грн
500+ 159.7 грн
800+ 128.15 грн
RBA160N04AHPF-4UA01#GB0 rba160n04ahpf-4ua01-40v-160a-n-channel-power-mosfet-application-automotive
RBA160N04AHPF-4UA01#GB0
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS MP-25L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+283.65 грн
10+ 229.13 грн
100+ 185.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB160N04S2-03 spb160n04s2-03_1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPB160N04S2-03
Виробник: Infineon Technologies
Description: 160A, 40V N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7320 pF @ 25 V
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
129+152.95 грн
Мінімальне замовлення: 129
GLT4160N04P-100TC
Виробник: G-LINK
2003
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GLT4160N04P-100TC
Виробник: GL
03+
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GLT4160N04P-100TC318
TSOP24
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB160N04S2-03
Виробник: INF
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB160N04S2-03
Виробник: infineon
07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB160N04S2-03
Виробник: infineon
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB160N04S2K-03
Виробник: infineon
07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB160N04S2K-03
Виробник: infineon
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB160N04S2L03ATMA2 Infineon-IPB160N04S2L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b99f14568
Виробник: Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon-IPB160N04S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&ack=t
Виробник: Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP160N04TDG
Виробник: NEC
08+
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP160N04TDG
Виробник: NEC
08+
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP160N04TDG-E1
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP160N04TUG-E1
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PE160N04
Виробник: INFINEON
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PE16DN114(PE160N04
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PE16DN114(PE160N04)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB160N04S2-03 spb160n04s2-03_1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INF
09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB160N04S2-03 spb160n04s2-03_1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB160N04S2-03 spb160n04s2-03_1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON
TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB160N04S2L-03
Виробник: INFINEON
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB160N04S2L-03
Виробник: INFINEON
TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB160N04S2L-03
Виробник: INF
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB160N04S4H1ATMA1 (IPB160N04S4-H1)
Код товару: 166065
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPB160N04S203ATMA1 ipb160n04s2-03_green.pdf
IPB160N04S203ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB160N04S203ATMA1 Infineon-IPB160N04S2_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b97434564&ack=t
IPB160N04S203ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товар відсутній
IPB160N04S203ATMA4 Infineon-IPB160N04S2_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b97434564&ack=t
IPB160N04S203ATMA4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товар відсутній
IPB160N04S203ATMA4 ipb160n04s2-03_green.pdf
IPB160N04S203ATMA4
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB160N04S2L03ATMA1 Infineon-IPB160N04S2L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b99f14568
IPB160N04S2L03ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
товар відсутній
IPB160N04S2L03ATMA1 ipb160n04s2l-03_green.pdf
IPB160N04S2L03ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB160N04S2L03ATMA2 ipb160n04s2l-03_green.pdf
IPB160N04S2L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS - T Power-Transistor
товар відсутній
IPB160N04S2L03ATMA2 Infineon_IPB160N04S2L_03_DS_v01_00_en-1534418.pdf
IPB160N04S2L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
товар відсутній
IPB160N04S3H2ATMA1 ipb160n04s3-h2_ds_1_1.pdf
IPB160N04S3H2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB160N04S3H2ATMA1 Infineon-IPB160N04S3_H2-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b8da04548&ack=t
IPB160N04S3H2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
товар відсутній
IPB160N04S3H2ATMA1 Infineon-IPB160N04S3_H2-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b8da04548&ack=t
IPB160N04S3H2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
товар відсутній
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]