Результат пошуку "1N65" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SPA11N65C3 Код товару: 60017 |
Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 650 V Idd,A: 11 А Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/5.5 Примітка: Ізольований корпус Монтаж: THT |
у наявності: 37 шт
|
|
|||||||||||||||
1N6508 | Microchip Technology | Inverters Arrays |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
1N65C3 | INFINEON 0804+ TO-220F |
на замовлення 153 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FCH041N65EF-F155 | onsemi / Fairchild | MOSFET 700V NChnl SuperFET II FRFET MOSFET |
на замовлення 781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCH041N65EFL4 | onsemi / Fairchild | MOSFET 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCH041N65F-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 650V N-Channel SuperFET II MOSFET |
на замовлення 418 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHB21N65EF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
на замовлення 1011 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHG21N65EF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SiHH21N65E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHW61N65EF-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AD |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SQW61N65EF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET E SERIES POWER MOSFET W/FAST B |
на замовлення 1512 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STB11N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshM5 710V |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STB21N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V |
на замовлення 918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STB31N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5 |
на замовлення 4380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD11N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package |
на замовлення 1561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD11N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS |
на замовлення 2309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF11N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF11N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS |
на замовлення 929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF21N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 10.7A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.7A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 179mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF21N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 10.7A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.7A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 179mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 51 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF21N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF31N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STL21N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID) |
на замовлення 2748 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STL31N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 650V 0.135 Ohm typ. 15A MDmeshM5 |
на замовлення 2944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP11N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package |
на замовлення 1013 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP31N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V |
на замовлення 1226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STU11N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package |
на замовлення 2914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMK11N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A Power dissipation: 63W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.2...1.45mm |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMK11N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A Power dissipation: 63W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.2...1.45mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 62 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WML11N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 28W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A Power dissipation: 28W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WML11N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 28W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A Power dissipation: 28W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 359 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMM11N65C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A Power dissipation: 63W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMM11N65C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A Power dissipation: 63W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 620 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMN11N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A Power dissipation: 63W Case: TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMN11N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A Power dissipation: 63W Case: TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMO11N65C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A Power dissipation: 63W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMO11N65C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A Power dissipation: 63W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 431 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMP11N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A Power dissipation: 63W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMP11N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A Power dissipation: 63W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 202 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
74HC191N-652 | PHILIPS | 2000 DIP-16 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
CWS11N65AC | China Wind |
на замовлення 30230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
CWS11N65AX | China Wind |
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
CWS11N65CDR | China Wind |
на замовлення 7144 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FCH041N65F-F085 | ON Semiconductor |
на замовлення 9884 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FCPF11N65 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MK4501N-65 |
на замовлення 260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NDC651N/651 | FAIR |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SPA11N65C3 | Infineon technologies |
на замовлення 355 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SPI11N65C3 |
на замовлення 950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SPP11N65C3 | INF | 07+; |
на замовлення 6990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPP11N65C3 | Infineon |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
STD11N65M5 | STMicroelectronics |
на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
STF11N65M2 | STMicroelectronics |
на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
STP31N65M5 | STMicroelectronics |
на замовлення 72 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
STW21N65M5 |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
T201N65TOH |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
T551N65 |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
T551N65TOH |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
T571N65TOF |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
U01N65 |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
SPA11N65C3 Код товару: 60017 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 11 А
Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/5.5
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 11 А
Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/5.5
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 37 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 81.5 грн |
10+ | 74.4 грн |
1N6508 |
Виробник: Microchip Technology
Inverters Arrays
Inverters Arrays
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5127.85 грн |
100+ | 4694.09 грн |
FCH041N65EF-F155 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 700V NChnl SuperFET II FRFET MOSFET
MOSFET 700V NChnl SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 975.27 грн |
10+ | 844.95 грн |
25+ | 718.31 грн |
50+ | 640.76 грн |
100+ | 633.53 грн |
250+ | 580.96 грн |
450+ | 567.81 грн |
FCH041N65EFL4 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
MOSFET 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1015.14 грн |
25+ | 848.73 грн |
100+ | 694.65 грн |
450+ | 603.3 грн |
900+ | 564.53 грн |
2700+ | 558.61 грн |
FCH041N65F-F085 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
MOSFET 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 998.27 грн |
10+ | 866.87 грн |
25+ | 726.85 грн |
50+ | 693.34 грн |
100+ | 639.45 грн |
250+ | 620.39 грн |
450+ | 527.72 грн |
SIHB21N65EF-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 348.86 грн |
10+ | 288.7 грн |
50+ | 236.59 грн |
100+ | 202.41 грн |
250+ | 191.24 грн |
500+ | 180.07 грн |
1000+ | 154.44 грн |
SIHG21N65EF-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 368.79 грн |
10+ | 305.33 грн |
25+ | 249.73 грн |
100+ | 214.24 грн |
250+ | 202.41 грн |
500+ | 180.07 грн |
1000+ | 168.24 грн |
SiHH21N65E-T1-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 453.13 грн |
10+ | 375.62 грн |
25+ | 308.22 грн |
100+ | 264.19 грн |
250+ | 249.08 грн |
500+ | 234.62 грн |
1000+ | 201.1 грн |
SIHW61N65EF-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AD
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AD
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 922.37 грн |
10+ | 831.35 грн |
960+ | 717 грн |
SQW61N65EF-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET E SERIES POWER MOSFET W/FAST B
MOSFET E SERIES POWER MOSFET W/FAST B
на замовлення 1512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 844.16 грн |
10+ | 733.85 грн |
25+ | 628.28 грн |
50+ | 609.22 грн |
100+ | 552.04 грн |
250+ | 542.18 грн |
480+ | 499.47 грн |
STB11N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshM5 710V
MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshM5 710V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 164.85 грн |
10+ | 135.28 грн |
100+ | 93.32 грн |
250+ | 89.38 грн |
500+ | 78.21 грн |
1000+ | 66.38 грн |
2000+ | 63.55 грн |
STB21N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 361.13 грн |
10+ | 298.53 грн |
25+ | 245.13 грн |
100+ | 210.3 грн |
250+ | 198.47 грн |
500+ | 187.3 грн |
1000+ | 159.7 грн |
STB31N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 312.82 грн |
10+ | 284.17 грн |
25+ | 202.41 грн |
100+ | 191.9 грн |
250+ | 172.18 грн |
500+ | 138.67 грн |
1000+ | 127.5 грн |
STD11N65M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 117.31 грн |
10+ | 95.98 грн |
100+ | 69.66 грн |
250+ | 68.35 грн |
500+ | 56.78 грн |
1000+ | 48.17 грн |
2500+ | 41.93 грн |
STD11N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS
MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 132.64 грн |
10+ | 108.83 грн |
100+ | 74.92 грн |
250+ | 72.29 грн |
500+ | 63.55 грн |
1000+ | 53.89 грн |
2500+ | 51.2 грн |
STF11N65M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 129.58 грн |
10+ | 106.56 грн |
100+ | 74.26 грн |
250+ | 68.35 грн |
500+ | 62.37 грн |
1000+ | 48.63 грн |
STF11N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS
MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 114.24 грн |
10+ | 75.58 грн |
100+ | 62.96 грн |
250+ | 62.37 грн |
1000+ | 61.71 грн |
2000+ | 59.08 грн |
5000+ | 54.94 грн |
STF21N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 10.7A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.7A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 179mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 10.7A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.7A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 179mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 308.9 грн |
3+ | 258.08 грн |
5+ | 197.84 грн |
12+ | 186.89 грн |
STF21N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 10.7A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.7A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 179mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 10.7A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.7A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 179mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 370.68 грн |
3+ | 321.61 грн |
5+ | 237.41 грн |
12+ | 224.27 грн |
STF21N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh
MOSFET N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 335.82 грн |
10+ | 324.98 грн |
25+ | 228.05 грн |
100+ | 196.5 грн |
250+ | 195.19 грн |
500+ | 173.5 грн |
1000+ | 147.21 грн |
STF31N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh
MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 305.92 грн |
10+ | 253.94 грн |
25+ | 165.61 грн |
100+ | 152.47 грн |
250+ | 151.81 грн |
500+ | 143.27 грн |
1000+ | 132.1 грн |
STL21N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)
MOSFET Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 372.63 грн |
10+ | 319.69 грн |
25+ | 270.76 грн |
100+ | 235.27 грн |
250+ | 230.02 грн |
500+ | 215.56 грн |
1000+ | 208.99 грн |
STL31N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.135 Ohm typ. 15A MDmeshM5
MOSFET N-Ch 650V 0.135 Ohm typ. 15A MDmeshM5
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 244.58 грн |
10+ | 213.13 грн |
25+ | 184.01 грн |
100+ | 159.04 грн |
250+ | 157.73 грн |
500+ | 143.92 грн |
1000+ | 128.15 грн |
STP11N65M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 123.44 грн |
10+ | 101.27 грн |
100+ | 70.32 грн |
250+ | 66.38 грн |
500+ | 58.49 грн |
1000+ | 50.21 грн |
2000+ | 47.65 грн |
STP31N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 254.55 грн |
10+ | 210.86 грн |
25+ | 145.9 грн |
100+ | 133.41 грн |
250+ | 132.75 грн |
500+ | 126.84 грн |
1000+ | 112.38 грн |
STU11N65M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 118.84 грн |
10+ | 97.49 грн |
100+ | 67.69 грн |
250+ | 64.8 грн |
500+ | 56.65 грн |
1000+ | 48.5 грн |
3000+ | 44.62 грн |
WMK11N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 85.57 грн |
10+ | 68.46 грн |
22+ | 36.9 грн |
60+ | 34.84 грн |
WMK11N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 132.7 грн |
3+ | 106.64 грн |
10+ | 82.15 грн |
22+ | 44.28 грн |
60+ | 41.81 грн |
WML11N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 49.39 грн |
9+ | 41.62 грн |
24+ | 34.09 грн |
64+ | 32.18 грн |
WML11N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 359 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 51.87 грн |
24+ | 40.91 грн |
64+ | 38.61 грн |
500+ | 37.21 грн |
WMM11N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 43.95 грн |
24+ | 33.68 грн |
65+ | 31.83 грн |
WMM11N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 620 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 54.77 грн |
24+ | 40.42 грн |
65+ | 38.2 грн |
WMN11N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 52.34 грн |
9+ | 41.62 грн |
25+ | 31.9 грн |
WMN11N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 51.87 грн |
25+ | 38.28 грн |
69+ | 36.23 грн |
WMO11N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 52.34 грн |
10+ | 37.38 грн |
25+ | 32.45 грн |
28+ | 28.34 грн |
77+ | 26.84 грн |
WMO11N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 431 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.81 грн |
6+ | 46.58 грн |
25+ | 38.94 грн |
28+ | 34.01 грн |
77+ | 32.2 грн |
WMP11N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 56.03 грн |
10+ | 37.38 грн |
25+ | 32.45 грн |
28+ | 28.34 грн |
77+ | 26.84 грн |
WMP11N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 202 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 67.24 грн |
6+ | 46.58 грн |
25+ | 38.94 грн |
28+ | 34.01 грн |
77+ | 32.2 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]