Результат пошуку "20n6" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HGTG20N60A4 Код товару: 32885 |
FAIR |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 70 A Ic 100: 40 A Pd 25: 290 W td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73 |
у наявності: 6 шт
|
|
|||||||||||||||
HGTG20N60A4D Код товару: 29312 |
Fairchild |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 70 A Ic 100: 40 A Pd 25: 290 W td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73 |
у наявності: 9 шт
|
|
|||||||||||||||
HGTG20N60B3D Код товару: 28558 |
Fairchild |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 40 A Ic 100: 20 A Pd 25: 165 W td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220 |
очікується:
50 шт
|
|
|||||||||||||||
HGTP20N60A4 Код товару: 61820 |
Fairchild |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-220 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 70 A Ic 100: 40 A Pd 25: 290 W td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73 |
у наявності: 63 шт
|
|
|||||||||||||||
IKP20N60T Код товару: 84958 |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-220 Vces: 600 V Vce: 1,5 V Ic 25: 40 A Ic 100: 20 A Pd 25: 166 W td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199 |
у наявності: 12 шт
|
|
||||||||||||||||
JVR-20N681K-Bochen(варистор) Код товару: 123753 |
Bochen |
Пасивні компоненти > Варистори Uроб AC/DC, V: 420/560 V Uвар, V: 680(612...748) V Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 1120@5 В@A Iмакс.(8/20мкс): 6500 Iмакс.(8/20мкс) Потужність, W: 1 W Ємність, pF: 565 pF Розмір: 20D |
у наявності: 187 шт
|
|
|||||||||||||||
SPP20N60C3 Код товару: 25463 |
Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 650 V Idd,A: 20,7 A Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11 Монтаж: THT |
у наявності: 155 шт
очікується:
10 шт
|
|
|||||||||||||||
SPP20N60S5 Код товару: 32013 |
Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 600 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79 Монтаж: THT |
у наявності: 29 шт
|
|
|||||||||||||||
20N60A4D |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
20N60C3 | INFINION |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
20N60C3 | FAIRCHILD | TO-3P |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
20N60C3 | Infineon | 09+ |
на замовлення 178 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
20N60S5 | HARRIS | 09+ |
на замовлення 6018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
20N60S5 | SIEMENS | 2004 TO220 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
#220N61 | 2PAI SEMI | PAI220N61 Interfaces others - integrated circuits |
на замовлення 1109 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AIKB20N60CTATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETES |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AIKP20N60CTAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 156W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 406 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AIKQ120N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETES |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AIKW20N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETES |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF20N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 370mΩ Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 934 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF20N60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF20N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BIDW20N60T | Bourns | IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247 |
на замовлення 7097 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCA20N60 | onsemi / Fairchild | MOSFET HIGH POWER |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCA20N60-F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
FCA20N60F | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-CH FRFET |
на замовлення 874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCB20N60FTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP20N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP20N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP20N60 | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel SuperFET |
на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCPF20N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FGH20N60SFDTU | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V 20A Field Stop |
на замовлення 1682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FGH20N60SFDTU | ON-Semicoductor |
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ; FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 72 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGTG20N60A4 | Fairchaild | IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A |
на замовлення 7 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGTG20N60B3D | ON-Semicoductor |
40A; 600V; 165W; IGBT w/ Diode HGTG20N60B3D THGTG20n60b3d кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGTP20N60A4 | Fairchild |
70A; 600V; 290W; IGBT HGTP20N60A4 THGTP20n60a4 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGTP20N60A4 | Fairchild |
70A; 600V; 290W; IGBT HGTP20N60A4 THGTP20n60a4 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGB20N60H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT |
на замовлення 911 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP20N60H3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP20N60H3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 120 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP20N65F5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 |
на замовлення 1374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP20N65F5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 42A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP20N65F5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 42A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 307 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP20N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 170W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 170W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKB20N60H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKB20N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A |
на замовлення 843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKB20N65EH5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 62.5W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 40ns Turn-off time: 183ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKB20N65EH5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 62.5W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 40ns Turn-off time: 183ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 957 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKB20N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP20N60T | Infineon |
40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP20N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 166W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP20N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 166W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 389 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP20N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP20N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP20N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKQ120N60TXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKQ120N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKQ120N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
HGTG20N60A4 Код товару: 32885 |
Виробник: FAIR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 6 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 230 грн |
HGTG20N60A4D Код товару: 29312 |
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 9 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 220 грн |
HGTG20N60B3D Код товару: 28558 |
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220
очікується:
50 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 195 грн |
10+ | 184 грн |
HGTP20N60A4 Код товару: 61820 |
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 63 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 102 грн |
10+ | 91.4 грн |
IKP20N60T Код товару: 84958 |
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199
у наявності: 12 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 140 грн |
10+ | 128 грн |
JVR-20N681K-Bochen(варистор) Код товару: 123753 |
Виробник: Bochen
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 420/560 V
Uвар, V: 680(612...748) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 1120@5 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 6500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 1 W
Ємність, pF: 565 pF
Розмір: 20D
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 420/560 V
Uвар, V: 680(612...748) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 1120@5 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 6500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 1 W
Ємність, pF: 565 pF
Розмір: 20D
у наявності: 187 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 14 грн |
10+ | 12.5 грн |
100+ | 10.9 грн |
SPP20N60C3 Код товару: 25463 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
у наявності: 155 шт
очікується:
10 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 125 грн |
10+ | 114 грн |
SPP20N60S5 Код товару: 32013 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
у наявності: 29 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 240 грн |
10+ | 226 грн |
#220N61 |
Виробник: 2PAI SEMI
PAI220N61 Interfaces others - integrated circuits
PAI220N61 Interfaces others - integrated circuits
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 201.71 грн |
8+ | 131.44 грн |
21+ | 124.04 грн |
AIKB20N60CTATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 282.15 грн |
10+ | 234.29 грн |
25+ | 191.9 грн |
100+ | 164.3 грн |
250+ | 155.1 грн |
500+ | 145.9 грн |
1000+ | 124.21 грн |
AIKP20N60CTAKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 406 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 327.33 грн |
3+ | 278.96 грн |
5+ | 232.48 грн |
12+ | 220.16 грн |
250+ | 211.94 грн |
AIKQ120N60CTXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1009.77 грн |
10+ | 894.08 грн |
25+ | 751.17 грн |
50+ | 728.17 грн |
100+ | 665.08 грн |
240+ | 594.1 грн |
480+ | 567.16 грн |
AIKW20N60CTXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 419.4 грн |
10+ | 383.93 грн |
25+ | 316.11 грн |
100+ | 280.62 грн |
240+ | 255.65 грн |
AOTF20N60 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 934 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 184.01 грн |
5+ | 156.11 грн |
8+ | 129.8 грн |
21+ | 122.4 грн |
500+ | 118.29 грн |
AOTF20N60 |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 80.51 грн |
AOTF20N60 |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 88.54 грн |
BIDW20N60T |
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
на замовлення 7097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 239.22 грн |
10+ | 197.26 грн |
25+ | 166.93 грн |
100+ | 139.32 грн |
250+ | 123.55 грн |
600+ | 106.47 грн |
FCA20N60 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET HIGH POWER
MOSFET HIGH POWER
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 457.73 грн |
10+ | 378.64 грн |
25+ | 234.62 грн |
100+ | 205.04 грн |
900+ | 190.59 грн |
FCA20N60-F109 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)FCA20N60F |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-CH FRFET
MOSFET 600V N-CH FRFET
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 473.07 грн |
10+ | 425.5 грн |
25+ | 296.39 грн |
100+ | 270.76 грн |
250+ | 257.62 грн |
450+ | 250.39 грн |
900+ | 216.87 грн |
FCB20N60FTM |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 162.55 грн |
FCP20N60 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 399.58 грн |
FCP20N60 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 479.5 грн |
3+ | 397.54 грн |
4+ | 271.09 грн |
10+ | 256.3 грн |
FCP20N60 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-Channel SuperFET
MOSFET 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 277.55 грн |
50+ | 232.78 грн |
100+ | 185.99 грн |
250+ | 185.33 грн |
500+ | 174.16 грн |
1000+ | 156.41 грн |
FCPF20N60 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 411.38 грн |
3+ | 356.59 грн |
4+ | 262.88 грн |
10+ | 248.91 грн |
FGH20N60SFDTU |
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V 20A Field Stop
IGBT Transistors 600V 20A Field Stop
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 260.69 грн |
10+ | 216.15 грн |
25+ | 151.81 грн |
100+ | 141.3 грн |
450+ | 119.61 грн |
900+ | 118.95 грн |
5400+ | 118.29 грн |
FGH20N60SFDTU |
Виробник: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ; FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ; FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 158.82 грн |
HGTG20N60A4 |
Виробник: Fairchaild
IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 246.71 грн |
10+ | 206.18 грн |
HGTG20N60B3D |
Виробник: ON-Semicoductor
40A; 600V; 165W; IGBT w/ Diode HGTG20N60B3D THGTG20n60b3d
кількість в упаковці: 5 шт
40A; 600V; 165W; IGBT w/ Diode HGTG20N60B3D THGTG20n60b3d
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 279.59 грн |
HGTP20N60A4 |
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 119.24 грн |
HGTP20N60A4 |
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 119.24 грн |
IGB20N60H3 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 127.28 грн |
10+ | 104.3 грн |
100+ | 72.95 грн |
250+ | 67.03 грн |
500+ | 60.66 грн |
1000+ | 51.98 грн |
2000+ | 49.36 грн |
IGP20N60H3XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 121.85 грн |
8+ | 105.42 грн |
21+ | 99.95 грн |
IGP20N60H3XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 177.82 грн |
3+ | 151.85 грн |
8+ | 126.51 грн |
21+ | 119.94 грн |
250+ | 115.01 грн |
IGP20N65F5 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 151.81 грн |
10+ | 125.46 грн |
100+ | 86.09 грн |
250+ | 80.18 грн |
500+ | 61.12 грн |
1000+ | 58.69 грн |
2500+ | 58.62 грн |
IGP20N65F5XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 133.44 грн |
4+ | 110.22 грн |
9+ | 97.89 грн |
23+ | 92.42 грн |
25+ | 91.73 грн |
IGP20N65F5XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 307 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 160.13 грн |
3+ | 137.35 грн |
9+ | 117.47 грн |
23+ | 110.9 грн |
25+ | 110.08 грн |
IGP20N65F5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.64 грн |
IGW20N60H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 233.7 грн |
3+ | 195.1 грн |
6+ | 147.18 грн |
15+ | 138.97 грн |
50+ | 133.49 грн |
IGW20N60H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 280.44 грн |
3+ | 243.13 грн |
6+ | 176.62 грн |
15+ | 166.76 грн |
50+ | 160.19 грн |
IKB20N60H3 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 134.18 грн |
10+ | 114.88 грн |
100+ | 83.46 грн |
250+ | 81.49 грн |
500+ | 74.26 грн |
1000+ | 65.72 грн |
2000+ | 64.8 грн |
IKB20N60T |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 162.55 грн |
10+ | 138.31 грн |
100+ | 101.86 грн |
250+ | 100.55 грн |
500+ | 90.69 грн |
1000+ | 82.81 грн |
2000+ | 80.83 грн |
IKB20N65EH5ATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 233.7 грн |
5+ | 195.79 грн |
6+ | 149.92 грн |
15+ | 141.71 грн |
IKB20N65EH5ATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 957 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 280.44 грн |
5+ | 243.98 грн |
6+ | 179.91 грн |
15+ | 170.05 грн |
IKB20N65EH5ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 210.85 грн |
10+ | 175.34 грн |
25+ | 143.92 грн |
100+ | 123.55 грн |
250+ | 116.98 грн |
500+ | 109.09 грн |
1000+ | 93.32 грн |
IKP20N60T |
Виробник: Infineon
40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 119.24 грн |
IKP20N60TXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 235.18 грн |
3+ | 197.84 грн |
6+ | 150.61 грн |
15+ | 142.39 грн |
IKP20N60TXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 282.21 грн |
3+ | 246.54 грн |
6+ | 180.73 грн |
15+ | 170.87 грн |
IKP20N60TXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 79.74 грн |
IKP20N65H5XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 147.87 грн |
7+ | 128.02 грн |
18+ | 121.17 грн |
IKP20N65H5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 83.57 грн |
IKQ120N60TXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 845.7 грн |
10+ | 758.79 грн |
25+ | 579.64 грн |
100+ | 546.78 грн |
240+ | 534.3 грн |
480+ | 458.72 грн |
IKQ120N60TXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 489.17 грн |
IKQ120N65EH7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 855.66 грн |
10+ | 722.52 грн |
25+ | 570.44 грн |
100+ | 523.78 грн |
240+ | 492.89 грн |
480+ | 462.01 грн |
1200+ | 415.35 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]