Результат пошуку "20n6" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
HGTG20N60A4 HGTG20N60A4
Код товару: 32885
FAIR HGTG30N60A4.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 6 шт
1+230 грн
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Код товару: 29312
Fairchild hgtg20n60a4d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 9 шт
1+220 грн
HGTG20N60B3D HGTG20N60B3D
Код товару: 28558
Fairchild hgtg20n60b3d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220
очікується: 50 шт
1+195 грн
10+ 184 грн
HGTP20N60A4 HGTP20N60A4
Код товару: 61820
Fairchild hgtp20n60a4-1010384.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 63 шт
1+102 грн
10+ 91.4 грн
IKP20N60T IKP20N60T
Код товару: 84958
ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199
у наявності: 12 шт
1+140 грн
10+ 128 грн
JVR-20N681K-Bochen(варистор) JVR-20N681K-Bochen(варистор)
Код товару: 123753
Bochen datasheet-20n0680k.pdf Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 420/560 V
Uвар, V: 680(612...748) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 1120@5 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 6500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 1 W
Ємність, pF: 565 pF
Розмір: 20D
у наявності: 187 шт
1+14 грн
10+ 12.5 грн
100+ 10.9 грн
SPP20N60C3 SPP20N60C3
Код товару: 25463
Infineon INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
у наявності: 155 шт
очікується: 10 шт
1+125 грн
10+ 114 грн
SPP20N60S5 SPP20N60S5
Код товару: 32013
Infineon SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
у наявності: 29 шт
1+240 грн
10+ 226 грн
20N60A4D
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60C3 INFINION
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60C3 FAIRCHILD TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60C3 Infineon 09+
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60S5 HARRIS 09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60S5 SIEMENS 2004 TO220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
#220N61 2PAI SEMI PAI220N61 Interfaces others - integrated circuits
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+201.71 грн
8+ 131.44 грн
21+ 124.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKB20N60CT_DS_v02_01_EN-1730938.pdf IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.15 грн
10+ 234.29 грн
25+ 191.9 грн
100+ 164.3 грн
250+ 155.1 грн
500+ 145.9 грн
1000+ 124.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKP20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 406 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+327.33 грн
3+ 278.96 грн
5+ 232.48 грн
12+ 220.16 грн
250+ 211.94 грн
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKQ120N60CT_DS_v02_01_EN-1731031.pdf IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1009.77 грн
10+ 894.08 грн
25+ 751.17 грн
50+ 728.17 грн
100+ 665.08 грн
240+ 594.1 грн
480+ 567.16 грн
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW20N60CT_DS_v02_01_EN-1731018.pdf IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+419.4 грн
10+ 383.93 грн
25+ 316.11 грн
100+ 280.62 грн
240+ 255.65 грн
AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF20N60-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 934 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+184.01 грн
5+ 156.11 грн
8+ 129.8 грн
21+ 122.4 грн
500+ 118.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOTF20N60 AOTF20N60 Alpha & Omega Semiconductor 51136592388968456aot20n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOTF20N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+88.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
BIDW20N60T BIDW20N60T Bourns Bourns_7_25_2022_BIDW20N60T_datasheet-3005222.pdf IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
на замовлення 7097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.22 грн
10+ 197.26 грн
25+ 166.93 грн
100+ 139.32 грн
250+ 123.55 грн
600+ 106.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCA20N60 FCA20N60 onsemi / Fairchild FCA20N60_F109_D-2311741.pdf MOSFET HIGH POWER
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+457.73 грн
10+ 378.64 грн
25+ 234.62 грн
100+ 205.04 грн
900+ 190.59 грн
FCA20N60-F109 FCA20N60-F109 ON Semiconductor fca20n60_f109-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FCA20N60F FCA20N60F onsemi / Fairchild FCA20N60F_D-2311914.pdf MOSFET 600V N-CH FRFET
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.07 грн
10+ 425.5 грн
25+ 296.39 грн
100+ 270.76 грн
250+ 257.62 грн
450+ 250.39 грн
900+ 216.87 грн
FCB20N60FTM FCB20N60FTM ON Semiconductor 3350347030925052fcb20n60f.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+162.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+399.58 грн
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+479.5 грн
3+ 397.54 грн
4+ 271.09 грн
10+ 256.3 грн
FCP20N60 FCP20N60 onsemi / Fairchild FCP20N60_D-2311949.pdf MOSFET 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.55 грн
50+ 232.78 грн
100+ 185.99 грн
250+ 185.33 грн
500+ 174.16 грн
1000+ 156.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+411.38 грн
3+ 356.59 грн
4+ 262.88 грн
10+ 248.91 грн
FGH20N60SFDTU FGH20N60SFDTU onsemi / Fairchild FGH20N60SFDTU_F085_D-2313335.pdf IGBT Transistors 600V 20A Field Stop
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.69 грн
10+ 216.15 грн
25+ 151.81 грн
100+ 141.3 грн
450+ 119.61 грн
900+ 118.95 грн
5400+ 118.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH20N60SFDTU ON-Semicoductor fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+158.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
HGTG20N60A4 Fairchaild IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+246.71 грн
10+ 206.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
HGTG20N60B3D ON-Semicoductor hgtg20n60b3d-d.pdf 40A; 600V; 165W; IGBT w/ Diode   HGTG20N60B3D THGTG20n60b3d
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+279.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
HGTP20N60A4 Fairchild HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf description 70A; 600V; 290W; IGBT   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+119.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
HGTP20N60A4 Fairchild HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf description 70A; 600V; 290W; IGBT   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+119.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGB20N60H3 IGB20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGB20N60H3_DataSheet_v02_03_EN-3361595.pdf IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.28 грн
10+ 104.3 грн
100+ 72.95 грн
250+ 67.03 грн
500+ 60.66 грн
1000+ 51.98 грн
2000+ 49.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.85 грн
8+ 105.42 грн
21+ 99.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+177.82 грн
3+ 151.85 грн
8+ 126.51 грн
21+ 119.94 грн
250+ 115.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP20N65F5 IGP20N65F5 Infineon Technologies Infineon_IGP20N65F5_DS_v02_01_EN-3360252.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.81 грн
10+ 125.46 грн
100+ 86.09 грн
250+ 80.18 грн
500+ 61.12 грн
1000+ 58.69 грн
2500+ 58.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.44 грн
4+ 110.22 грн
9+ 97.89 грн
23+ 92.42 грн
25+ 91.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 307 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+160.13 грн
3+ 137.35 грн
9+ 117.47 грн
23+ 110.9 грн
25+ 110.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 Infineon Technologies infineon-igp20n65f5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.7 грн
3+ 195.1 грн
6+ 147.18 грн
15+ 138.97 грн
50+ 133.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+280.44 грн
3+ 243.13 грн
6+ 176.62 грн
15+ 166.76 грн
50+ 160.19 грн
IKB20N60H3 IKB20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKB20N60H3_DS_v02_03_en-3360250.pdf IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.18 грн
10+ 114.88 грн
100+ 83.46 грн
250+ 81.49 грн
500+ 74.26 грн
1000+ 65.72 грн
2000+ 64.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKB20N60T IKB20N60T Infineon Technologies Infineon_IKB20N60T_DS_v02_07_EN-3360257.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+162.55 грн
10+ 138.31 грн
100+ 101.86 грн
250+ 100.55 грн
500+ 90.69 грн
1000+ 82.81 грн
2000+ 80.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.7 грн
5+ 195.79 грн
6+ 149.92 грн
15+ 141.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 957 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+280.44 грн
5+ 243.98 грн
6+ 179.91 грн
15+ 170.05 грн
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKB20N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3362061.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.85 грн
10+ 175.34 грн
25+ 143.92 грн
100+ 123.55 грн
250+ 116.98 грн
500+ 109.09 грн
1000+ 93.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N60T Infineon INFN-S-A0001299335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+119.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.18 грн
3+ 197.84 грн
6+ 150.61 грн
15+ 142.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+282.21 грн
3+ 246.54 грн
6+ 180.73 грн
15+ 170.87 грн
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 Infineon Technologies 43108097755415224dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304323b87bc.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.87 грн
7+ 128.02 грн
18+ 121.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikp20n65h5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ120N60T_DS_v02_03_EN-3362010.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+845.7 грн
10+ 758.79 грн
25+ 579.64 грн
100+ 546.78 грн
240+ 534.3 грн
480+ 458.72 грн
IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60TXKSA1 Infineon Technologies infineon-ikq120n60t-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+489.17 грн
IKQ120N65EH7XKSA1 IKQ120N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKQ120N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250810c82046 IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+855.66 грн
10+ 722.52 грн
25+ 570.44 грн
100+ 523.78 грн
240+ 492.89 грн
480+ 462.01 грн
1200+ 415.35 грн
HGTG20N60A4
Код товару: 32885
HGTG30N60A4.pdf
HGTG20N60A4
Виробник: FAIR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 6 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+230 грн
HGTG20N60A4D
Код товару: 29312
hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 9 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+220 грн
HGTG20N60B3D
Код товару: 28558
hgtg20n60b3d-d.pdf
HGTG20N60B3D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220
очікується: 50 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+195 грн
10+ 184 грн
HGTP20N60A4
Код товару: 61820
description hgtp20n60a4-1010384.pdf
HGTP20N60A4
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 63 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+102 грн
10+ 91.4 грн
IKP20N60T
Код товару: 84958
ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf
IKP20N60T
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199
у наявності: 12 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+140 грн
10+ 128 грн
JVR-20N681K-Bochen(варистор)
Код товару: 123753
datasheet-20n0680k.pdf
JVR-20N681K-Bochen(варистор)
Виробник: Bochen
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 420/560 V
Uвар, V: 680(612...748) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 1120@5 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 6500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 1 W
Ємність, pF: 565 pF
Розмір: 20D
у наявності: 187 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+14 грн
10+ 12.5 грн
100+ 10.9 грн
SPP20N60C3
Код товару: 25463
INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPP20N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
у наявності: 155 шт
очікується: 10 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+125 грн
10+ 114 грн
SPP20N60S5
Код товару: 32013
description SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b
SPP20N60S5
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
у наявності: 29 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+240 грн
10+ 226 грн
20N60A4D
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60C3
Виробник: INFINION
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60C3
Виробник: FAIRCHILD
TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60C3
Виробник: Infineon
09+
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60S5
Виробник: HARRIS
09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60S5
Виробник: SIEMENS
2004 TO220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
#220N61
Виробник: 2PAI SEMI
PAI220N61 Interfaces others - integrated circuits
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.71 грн
8+ 131.44 грн
21+ 124.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB20N60CTATMA1 Infineon_AIKB20N60CT_DS_v02_01_EN-1730938.pdf
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+282.15 грн
10+ 234.29 грн
25+ 191.9 грн
100+ 164.3 грн
250+ 155.1 грн
500+ 145.9 грн
1000+ 124.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CT.pdf
AIKP20N60CTAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 406 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+327.33 грн
3+ 278.96 грн
5+ 232.48 грн
12+ 220.16 грн
250+ 211.94 грн
AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon_AIKQ120N60CT_DS_v02_01_EN-1731031.pdf
AIKQ120N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1009.77 грн
10+ 894.08 грн
25+ 751.17 грн
50+ 728.17 грн
100+ 665.08 грн
240+ 594.1 грн
480+ 567.16 грн
AIKW20N60CTXKSA1 Infineon_AIKW20N60CT_DS_v02_01_EN-1731018.pdf
AIKW20N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+419.4 грн
10+ 383.93 грн
25+ 316.11 грн
100+ 280.62 грн
240+ 255.65 грн
AOTF20N60 AOTF20N60-DTE.pdf
AOTF20N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 934 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+184.01 грн
5+ 156.11 грн
8+ 129.8 грн
21+ 122.4 грн
500+ 118.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOTF20N60 51136592388968456aot20n60.pdf
AOTF20N60
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOTF20N60 TO220F.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+88.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
BIDW20N60T Bourns_7_25_2022_BIDW20N60T_datasheet-3005222.pdf
BIDW20N60T
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
на замовлення 7097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+239.22 грн
10+ 197.26 грн
25+ 166.93 грн
100+ 139.32 грн
250+ 123.55 грн
600+ 106.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCA20N60 FCA20N60_F109_D-2311741.pdf
FCA20N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET HIGH POWER
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+457.73 грн
10+ 378.64 грн
25+ 234.62 грн
100+ 205.04 грн
900+ 190.59 грн
FCA20N60-F109 fca20n60_f109-d.pdf
FCA20N60-F109
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FCA20N60F FCA20N60F_D-2311914.pdf
FCA20N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-CH FRFET
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+473.07 грн
10+ 425.5 грн
25+ 296.39 грн
100+ 270.76 грн
250+ 257.62 грн
450+ 250.39 грн
900+ 216.87 грн
FCB20N60FTM 3350347030925052fcb20n60f.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+162.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
FCP20N60 FCP20N60.pdf
FCP20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+399.58 грн
FCP20N60 FCP20N60.pdf
FCP20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+479.5 грн
3+ 397.54 грн
4+ 271.09 грн
10+ 256.3 грн
FCP20N60 FCP20N60_D-2311949.pdf
FCP20N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+277.55 грн
50+ 232.78 грн
100+ 185.99 грн
250+ 185.33 грн
500+ 174.16 грн
1000+ 156.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF20N60 FCP20N60.pdf
FCPF20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+411.38 грн
3+ 356.59 грн
4+ 262.88 грн
10+ 248.91 грн
FGH20N60SFDTU FGH20N60SFDTU_F085_D-2313335.pdf
FGH20N60SFDTU
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V 20A Field Stop
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+260.69 грн
10+ 216.15 грн
25+ 151.81 грн
100+ 141.3 грн
450+ 119.61 грн
900+ 118.95 грн
5400+ 118.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH20N60SFDTU fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+158.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
HGTG20N60A4
Виробник: Fairchaild
IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+246.71 грн
10+ 206.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
HGTG20N60B3D hgtg20n60b3d-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
40A; 600V; 165W; IGBT w/ Diode   HGTG20N60B3D THGTG20n60b3d
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+279.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
HGTP20N60A4 description HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf
Виробник: Fairchild
70A; 600V; 290W; IGBT   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+119.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
HGTP20N60A4 description HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf
Виробник: Fairchild
70A; 600V; 290W; IGBT   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+119.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGB20N60H3 Infineon_IGB20N60H3_DataSheet_v02_03_EN-3361595.pdf
IGB20N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.28 грн
10+ 104.3 грн
100+ 72.95 грн
250+ 67.03 грн
500+ 60.66 грн
1000+ 51.98 грн
2000+ 49.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3-DTE.pdf
IGP20N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.85 грн
8+ 105.42 грн
21+ 99.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3-DTE.pdf
IGP20N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.82 грн
3+ 151.85 грн
8+ 126.51 грн
21+ 119.94 грн
250+ 115.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP20N65F5 Infineon_IGP20N65F5_DS_v02_01_EN-3360252.pdf
IGP20N65F5
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+151.81 грн
10+ 125.46 грн
100+ 86.09 грн
250+ 80.18 грн
500+ 61.12 грн
1000+ 58.69 грн
2500+ 58.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5-DTE.pdf
IGP20N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.44 грн
4+ 110.22 грн
9+ 97.89 грн
23+ 92.42 грн
25+ 91.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5-DTE.pdf
IGP20N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 307 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.13 грн
3+ 137.35 грн
9+ 117.47 грн
23+ 110.9 грн
25+ 110.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP20N65F5XKSA1 infineon-igp20n65f5-ds-v02_01-en.pdf
IGP20N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3-DTE.pdf
IGW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+233.7 грн
3+ 195.1 грн
6+ 147.18 грн
15+ 138.97 грн
50+ 133.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3-DTE.pdf
IGW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+280.44 грн
3+ 243.13 грн
6+ 176.62 грн
15+ 166.76 грн
50+ 160.19 грн
IKB20N60H3 Infineon_IKB20N60H3_DS_v02_03_en-3360250.pdf
IKB20N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.18 грн
10+ 114.88 грн
100+ 83.46 грн
250+ 81.49 грн
500+ 74.26 грн
1000+ 65.72 грн
2000+ 64.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKB20N60T Infineon_IKB20N60T_DS_v02_07_EN-3360257.pdf
IKB20N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+162.55 грн
10+ 138.31 грн
100+ 101.86 грн
250+ 100.55 грн
500+ 90.69 грн
1000+ 82.81 грн
2000+ 80.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5.pdf
IKB20N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+233.7 грн
5+ 195.79 грн
6+ 149.92 грн
15+ 141.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5.pdf
IKB20N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 957 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+280.44 грн
5+ 243.98 грн
6+ 179.91 грн
15+ 170.05 грн
IKB20N65EH5ATMA1 Infineon_IKB20N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3362061.pdf
IKB20N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.85 грн
10+ 175.34 грн
25+ 143.92 грн
100+ 123.55 грн
250+ 116.98 грн
500+ 109.09 грн
1000+ 93.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N60T INFN-S-A0001299335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+119.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T.pdf
IKP20N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+235.18 грн
3+ 197.84 грн
6+ 150.61 грн
15+ 142.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T.pdf
IKP20N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+282.21 грн
3+ 246.54 грн
6+ 180.73 грн
15+ 170.87 грн
IKP20N60TXKSA1 43108097755415224dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304323b87bc.pdf
IKP20N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5-DTE.pdf
IKP20N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+147.87 грн
7+ 128.02 грн
18+ 121.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP20N65H5XKSA1 infineon-ikp20n65h5-ds-v02_01-en.pdf
IKP20N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKQ120N60TXKSA1 Infineon_IKQ120N60T_DS_v02_03_EN-3362010.pdf
IKQ120N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+845.7 грн
10+ 758.79 грн
25+ 579.64 грн
100+ 546.78 грн
240+ 534.3 грн
480+ 458.72 грн
IKQ120N60TXKSA1 infineon-ikq120n60t-ds-v02_03-en.pdf
IKQ120N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+489.17 грн
IKQ120N65EH7XKSA1 Infineon-IKQ120N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250810c82046
IKQ120N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+855.66 грн
10+ 722.52 грн
25+ 570.44 грн
100+ 523.78 грн
240+ 492.89 грн
480+ 462.01 грн
1200+ 415.35 грн
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]