Результат пошуку "21N60" : 43

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFP21N60LPBF IRFP21N60LPBF Vishay Semiconductors TO247AC_Side.jpg MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+414.86 грн
10+ 361.92 грн
25+ 292 грн
100+ 272.54 грн
250+ 263.45 грн
500+ 251.77 грн
1000+ 232.3 грн
SIHA21N60EF-GE3 SIHA21N60EF-GE3 Vishay / Siliconix siha21n60ef.pdf MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+352.78 грн
10+ 305.21 грн
25+ 236.85 грн
100+ 229.71 грн
500+ 202.45 грн
1000+ 135.62 грн
2000+ 131.08 грн
SIHB21N60EF-GE3 SIHB21N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihb21n60ef.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.89 грн
10+ 234.32 грн
25+ 192.72 грн
100+ 165.47 грн
250+ 156.38 грн
500+ 147.3 грн
1000+ 121.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP21N60EF-BE3 SIHP21N60EF-BE3 Vishay / Siliconix sihp21n60ef.pdf MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 7689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.59 грн
10+ 163.42 грн
25+ 134.32 грн
100+ 115.5 грн
250+ 109.01 грн
500+ 102.53 грн
1000+ 90.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP21N60EF-GE3 SIHP21N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihp21n60ef.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.02 грн
10+ 223.87 грн
50+ 151.19 грн
100+ 136.92 грн
250+ 132.37 грн
500+ 126.53 грн
1000+ 114.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP21N60L
на замовлення 608 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP21N60LPBF IR TO247AC_Side.jpg
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP21N60PBF IR TO-247
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MGP21N60E
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MGW21N60ED
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PHB21N60LT
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PHD21N60
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
T221N600EOC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
T221N600EOF
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP21N60L IRFP21N60L
Код товару: 24841 		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFP21N60L IRFP21N60L Vishay sihfp21n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
IRFP21N60LPBF VISHAY TO247AC_Side.jpg Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFP21N60LPBF VISHAY TO247AC_Side.jpg Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP21N60LPBF IRFP21N60LPBF Vishay sihfp21n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
SIHA21N60EF-E3 SIHA21N60EF-E3 Vishay / Siliconix siha21n60ef.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
товар відсутній
SIHB21N60EF-GE3 VISHAY sihb21n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIHB21N60EF-GE3 VISHAY sihb21n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHB21N60EF-GE3 Vishay sihb21n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
товар відсутній
SIHG21N60EF-GE3 VISHAY sihg21n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIHG21N60EF-GE3 VISHAY sihg21n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHG21N60EF-GE3 SIHG21N60EF-GE3 Vishay sihg21n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
SIHG21N60EF-GE3 SIHG21N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg21n60ef.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
товар відсутній
SIHH21N60E-T1-GE3 VISHAY sihh21n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIHH21N60E-T1-GE3 VISHAY sihh21n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHH21N60E-T1-GE3 SIHH21N60E-T1-GE3 Vishay sihh21n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin PowerPAK EP T/R
товар відсутній
SIHH21N60E-T1-GE3 SIHH21N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh21n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
товар відсутній
SiHH21N60EF-T1-GE3 SiHH21N60EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh21n60ef.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
товар відсутній
SIHP21N60EF-BE3 Vishay sihp21n60ef.pdf N Channel Trans MOSFET
товар відсутній
SIHP21N60EF-GE3 VISHAY sihp21n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIHP21N60EF-GE3 VISHAY sihp21n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHP21N60EF-GE3 SIHP21N60EF-GE3 Vishay sihp21n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
45-1231.21N6.000.101 45-1231.21N6.000.101 EAO EQmautoiSH1TLs636cNH Pushbutton Switches Wht LED 24VAC/DC 1NO On-Off Scrw Trm Mtl
товар відсутній
45-1231.21N6.000.401 45-1231.21N6.000.401 EAO EAO_MC_45_Main-Catalogue_US.pdf Pushbutton Switches (45-1231.21N6.000.401)
товар відсутній
N74F521N,602 N74F521N,602 NXP Semiconductors 74f521.pdf Identity Comparator 8-Bit Inverting 20-Pin PDIP Tube
товар відсутній
IRFP21N60LPBF TO247AC_Side.jpg
IRFP21N60LPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+414.86 грн
10+ 361.92 грн
25+ 292 грн
100+ 272.54 грн
250+ 263.45 грн
500+ 251.77 грн
1000+ 232.3 грн
SIHA21N60EF-GE3 siha21n60ef.pdf
SIHA21N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+352.78 грн
10+ 305.21 грн
25+ 236.85 грн
100+ 229.71 грн
500+ 202.45 грн
1000+ 135.62 грн
2000+ 131.08 грн
SIHB21N60EF-GE3 sihb21n60ef.pdf
SIHB21N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+283.89 грн
10+ 234.32 грн
25+ 192.72 грн
100+ 165.47 грн
250+ 156.38 грн
500+ 147.3 грн
1000+ 121.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP21N60EF-BE3 sihp21n60ef.pdf
SIHP21N60EF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 7689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+197.59 грн
10+ 163.42 грн
25+ 134.32 грн
100+ 115.5 грн
250+ 109.01 грн
500+ 102.53 грн
1000+ 90.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP21N60EF-GE3 sihp21n60ef.pdf
SIHP21N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+271.02 грн
10+ 223.87 грн
50+ 151.19 грн
100+ 136.92 грн
250+ 132.37 грн
500+ 126.53 грн
1000+ 114.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP21N60L
на замовлення 608 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP21N60LPBF TO247AC_Side.jpg
Виробник: IR
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP21N60PBF
Виробник: IR
TO-247
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MGP21N60E
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MGW21N60ED
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PHB21N60LT
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PHD21N60
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
T221N600EOC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
T221N600EOF
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP21N60L
Код товару: 24841
IRFP21N60L
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFP21N60L sihfp21n.pdf
IRFP21N60L
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
IRFP21N60LPBF TO247AC_Side.jpg
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFP21N60LPBF TO247AC_Side.jpg
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP21N60LPBF sihfp21n.pdf
IRFP21N60LPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
SIHA21N60EF-E3 siha21n60ef.pdf
SIHA21N60EF-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
товар відсутній
SIHB21N60EF-GE3 sihb21n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIHB21N60EF-GE3 sihb21n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHB21N60EF-GE3 sihb21n60ef.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
товар відсутній
SIHG21N60EF-GE3 sihg21n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIHG21N60EF-GE3 sihg21n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHG21N60EF-GE3 sihg21n60ef.pdf
SIHG21N60EF-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
SIHG21N60EF-GE3 sihg21n60ef.pdf
SIHG21N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
товар відсутній
SIHH21N60E-T1-GE3 sihh21n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIHH21N60E-T1-GE3 sihh21n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHH21N60E-T1-GE3 sihh21n60e.pdf
SIHH21N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin PowerPAK EP T/R
товар відсутній
SIHH21N60E-T1-GE3 sihh21n60e.pdf
SIHH21N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
товар відсутній
SiHH21N60EF-T1-GE3 sihh21n60ef.pdf
SiHH21N60EF-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
товар відсутній
SIHP21N60EF-BE3 sihp21n60ef.pdf
Виробник: Vishay
N Channel Trans MOSFET
товар відсутній
SIHP21N60EF-GE3 sihp21n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIHP21N60EF-GE3 sihp21n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHP21N60EF-GE3 sihp21n60ef.pdf
SIHP21N60EF-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
45-1231.21N6.000.101 EQmautoiSH1TLs636cNH
45-1231.21N6.000.101
Виробник: EAO
Pushbutton Switches Wht LED 24VAC/DC 1NO On-Off Scrw Trm Mtl
товар відсутній
45-1231.21N6.000.401 EAO_MC_45_Main-Catalogue_US.pdf
45-1231.21N6.000.401
Виробник: EAO
Pushbutton Switches (45-1231.21N6.000.401)
товар відсутній
N74F521N,602 74f521.pdf
N74F521N,602
Виробник: NXP Semiconductors
Identity Comparator 8-Bit Inverting 20-Pin PDIP Tube
товар відсутній